IGBT 模块电路结构
2.1 单管模块
一般说来，单管IGBT 模块其额定电流比较大，是由多个IGBT 芯片和快恢复二极管（FRD ）芯片在模块内部并联而成，其电路结构如图1所示。表1给出了美国IR 公司在中国的合资
公司西安爱帕克公司生产的单管IGBT 模块型号及电性能参数。
图1 单管电路结构
图2 半桥电路结构
2.2 半桥模块
半桥IGBT 模块也称为2单元模块，是一个桥臂，其内部电路结构如图2所示。表2给出了西安爱帕克公司生产的半桥IGBT 模块型号及电性能参数。两只半桥IGBT 模块可组成全桥（H 桥）逆变电路。
2.3 高端模块
高端IGBT 模块其内部电路结构如图3（a ）和图3（b ）所示。图3（a ）为斩波器应用电路结构，图3（b ）为感应加热应用电路结构。表2给出了西安爱帕克公司生产的高端IGBT 模块型号及电性能参数。
图3(a) 高端电路结构
图3(b) 高端电路结构
2.4 低端模块
低端IGBT 模块其内部电路结构如图4（a ）图4（b ）所示。图4（a ）为斩波器应用电路结构，图4（b ）为感应加热应用电路结构。表2给出了西安爱帕克公司生产的低端IGBT 模块型号及电性能参数。
3 IGBT模块驱动保护要点
3.1 IGBT栅极驱动电压Uge
理论上Uge≥Uge(th)，即栅极驱动电压大于阈值电压时IGBT 即可开通，一般情况下阈值电压Uge(th)＝5～6V 。为了使IGBT 开通时完全饱和，并使通态损耗最小，又具有限制短路电流能力，栅极驱动电压Uge 需要选择一个合适的值。当栅极驱动电压Uge 增加时，
通态压降减小，通态损耗减小，但IGBT 承受短路电流能力减小；当Uge 太大时，可能引起栅极电压振荡，损坏栅极。当栅极驱动电压Uge 减小时，通态压降增加，通态损耗增加，但IGBT 承受短路电流能力提高。为获得通态损耗最小，同时IGBT 又具有较好的承受短路电流能力，通常选取栅极驱动电压Uge≥D*Uge(th)，系数D ＝1.5、2、2.5、3。当阈值电压Uge(th)为6V 时，栅极驱动电压Uge 则分别为9V 、12V 、15V 、18V ；栅极驱动电压Uge 折中取12V ～15V 为宜，12V 最佳。IGBT 关断时，栅极加负偏压，提高抗干挠能力，提高承受dv/dt能力，栅极负偏压一般为－10V 。
3.2 IGBT栅极电阻Rg
选择适当的栅极串联电阻Rg 对IGBT 驱动相当重要。 当Rg 增大时，可抑制栅极脉冲前后沿陡度和防止振荡，减小开关di/dt,限制IGBT 集电极尖峰电压；但Rg 增大时，IGBT 开关时间延长，开关损耗加大。当Rg 减小时，减小IGBT 开关时间，减小开关损耗；但Rg 太小时，可导致ge 之间振荡，IGBT 集电极di/dt增加，引起IGBT 集电极尖峰电压，使IGBT 损坏。因此，应根据IGBT 电流容量和电压额定值以及开关频率选取Rg 值，如10Ω、15Ω、27Ω等，并建议ge 之间并联一数值为10KΩ左右的Rge ，以防止栅极损坏。
3.3 IGBT过电压过电流保护
过电压过电流是造成IGBT 损坏的两大主要因素，应加以有效的保护。对于过电流，如果采用电流传感器保护，首先应考虑电流传感器的响应时间，建议过电流保护点设定为模块额定电流的1.5~2倍为宜；如GA100TS120K 的模块电流额度值为100A ，电流传感器设定为150A~200A；如GA200TD120K 的模块电流额度值为200A ，电流传感器设定为300A~400A。如果采用通态电压Vce(on)来保护，建议Vce(on)设定为5～6V ，这时模块的峰值电流约为额度值的2～2.5倍。
对于过电压，通常采用RCD 吸收过电压尖峰，最好是采用无感电阻和无感电容。同时，必须尽量减少或者消除布线时的杂散电感，可以通过减小整个电路有效回路面积来减小杂散电感。另外，还可以通过适当增加栅极串联电阻Rg 来抑制过电压尖峰。
4 IGBT模块典型应用
4.1 感应加热电源
图5 为并联谐振感应加热电源主电路，由两只低端IGBT 模块和两只高端IGBT 模块组成，也可由四只单管IGBT 模块和四只快恢复二极管模块组成，视感应加热电源功率而定。对管G1、G4和G2、G3轮流开通关断工作，输出电压和电流分别为正弦波和方波。
图5 IGBT感应加热电源主电路
4.2 逆变焊机电源
图6 为一全桥式逆变电路，由两只半桥IGBT 模块组成，采用PWM 控制，对管G1、G4和G2、G3轮流开通关断工作，输出电压为交变方波。此电路广泛应用于电焊机电源。
图6 IGBT逆变焊机电源主电路
4.3 变频调速电源
图7为IGBT 三相PWM 逆变电路，由三只半桥IGBT 模块组成，用于变频调速电源和UPS 电源。
图7 IGBT变频调速电源主电路
5 结 论
本文简要叙述了IGBT 模块的几种典型内部电路结构，给出了美国IR 公司在中国的合资公司西安爱帕克公司生产的单管IGBT 模块、半桥IGBT 模块、高端IGBT 模块和低端IGBT 模块型号及电性能参数，IGBT 模块驱动保护要点，以及IGBT 模块在感应加热、逆变焊机、UPS 和变频调速电源应用中的主电路。(end)
IGBT 模块电路结构
2.1 单管模块
一般说来，单管IGBT 模块其额定电流比较大，是由多个IGBT 芯片和快恢复二极管（FRD ）芯片在模块内部并联而成，其电路结构如图1所示。表1给出了美国IR 公司在中国的合资
公司西安爱帕克公司生产的单管IGBT 模块型号及电性能参数。
图1 单管电路结构
图2 半桥电路结构
2.2 半桥模块
半桥IGBT 模块也称为2单元模块，是一个桥臂，其内部电路结构如图2所示。表2给出了西安爱帕克公司生产的半桥IGBT 模块型号及电性能参数。两只半桥IGBT 模块可组成全桥（H 桥）逆变电路。
2.3 高端模块
高端IGBT 模块其内部电路结构如图3（a ）和图3（b ）所示。图3（a ）为斩波器应用电路结构，图3（b ）为感应加热应用电路结构。表2给出了西安爱帕克公司生产的高端IGBT 模块型号及电性能参数。
图3(a) 高端电路结构
图3(b) 高端电路结构
2.4 低端模块
低端IGBT 模块其内部电路结构如图4（a ）图4（b ）所示。图4（a ）为斩波器应用电路结构，图4（b ）为感应加热应用电路结构。表2给出了西安爱帕克公司生产的低端IGBT 模块型号及电性能参数。
3 IGBT模块驱动保护要点
3.1 IGBT栅极驱动电压Uge
理论上Uge≥Uge(th)，即栅极驱动电压大于阈值电压时IGBT 即可开通，一般情况下阈值电压Uge(th)＝5～6V 。为了使IGBT 开通时完全饱和，并使通态损耗最小，又具有限制短路电流能力，栅极驱动电压Uge 需要选择一个合适的值。当栅极驱动电压Uge 增加时，
通态压降减小，通态损耗减小，但IGBT 承受短路电流能力减小；当Uge 太大时，可能引起栅极电压振荡，损坏栅极。当栅极驱动电压Uge 减小时，通态压降增加，通态损耗增加，但IGBT 承受短路电流能力提高。为获得通态损耗最小，同时IGBT 又具有较好的承受短路电流能力，通常选取栅极驱动电压Uge≥D*Uge(th)，系数D ＝1.5、2、2.5、3。当阈值电压Uge(th)为6V 时，栅极驱动电压Uge 则分别为9V 、12V 、15V 、18V ；栅极驱动电压Uge 折中取12V ～15V 为宜，12V 最佳。IGBT 关断时，栅极加负偏压，提高抗干挠能力，提高承受dv/dt能力，栅极负偏压一般为－10V 。
3.2 IGBT栅极电阻Rg
选择适当的栅极串联电阻Rg 对IGBT 驱动相当重要。 当Rg 增大时，可抑制栅极脉冲前后沿陡度和防止振荡，减小开关di/dt,限制IGBT 集电极尖峰电压；但Rg 增大时，IGBT 开关时间延长，开关损耗加大。当Rg 减小时，减小IGBT 开关时间，减小开关损耗；但Rg 太小时，可导致ge 之间振荡，IGBT 集电极di/dt增加，引起IGBT 集电极尖峰电压，使IGBT 损坏。因此，应根据IGBT 电流容量和电压额定值以及开关频率选取Rg 值，如10Ω、15Ω、27Ω等，并建议ge 之间并联一数值为10KΩ左右的Rge ，以防止栅极损坏。
3.3 IGBT过电压过电流保护
过电压过电流是造成IGBT 损坏的两大主要因素，应加以有效的保护。对于过电流，如果采用电流传感器保护，首先应考虑电流传感器的响应时间，建议过电流保护点设定为模块额定电流的1.5~2倍为宜；如GA100TS120K 的模块电流额度值为100A ，电流传感器设定为150A~200A；如GA200TD120K 的模块电流额度值为200A ，电流传感器设定为300A~400A。如果采用通态电压Vce(on)来保护，建议Vce(on)设定为5～6V ，这时模块的峰值电流约为额度值的2～2.5倍。
对于过电压，通常采用RCD 吸收过电压尖峰，最好是采用无感电阻和无感电容。同时，必须尽量减少或者消除布线时的杂散电感，可以通过减小整个电路有效回路面积来减小杂散电感。另外，还可以通过适当增加栅极串联电阻Rg 来抑制过电压尖峰。
4 IGBT模块典型应用
4.1 感应加热电源
图5 为并联谐振感应加热电源主电路，由两只低端IGBT 模块和两只高端IGBT 模块组成，也可由四只单管IGBT 模块和四只快恢复二极管模块组成，视感应加热电源功率而定。对管G1、G4和G2、G3轮流开通关断工作，输出电压和电流分别为正弦波和方波。
图5 IGBT感应加热电源主电路
4.2 逆变焊机电源
图6 为一全桥式逆变电路，由两只半桥IGBT 模块组成，采用PWM 控制，对管G1、G4和G2、G3轮流开通关断工作，输出电压为交变方波。此电路广泛应用于电焊机电源。
图6 IGBT逆变焊机电源主电路
4.3 变频调速电源
图7为IGBT 三相PWM 逆变电路，由三只半桥IGBT 模块组成，用于变频调速电源和UPS 电源。
图7 IGBT变频调速电源主电路
5 结 论
本文简要叙述了IGBT 模块的几种典型内部电路结构，给出了美国IR 公司在中国的合资公司西安爱帕克公司生产的单管IGBT 模块、半桥IGBT 模块、高端IGBT 模块和低端IGBT 模块型号及电性能参数，IGBT 模块驱动保护要点，以及IGBT 模块在感应加热、逆变焊机、UPS 和变频调速电源应用中的主电路。(end)