SDIO: （Secure Digital Input and Output Card ） 安全数字输入输出卡SDIO 在SD 标准上定义了一种外设接口。目前，SDIO 有两类主要应用——可移动和不可移动。目前的可移动设备作为Palm 和Windows Mobile 的扩展设备，用来增加蓝牙、照相机、GPS 和802.11b 功能。不可移动设备遵循相同的电气标准，但不要求符合物理标准。某些手机内包含通过SDIO 连接CPU 的802.11芯片。此举将“珍贵”的I/ O管脚资源用于更重要的功能。
I/O: 输出/输入(Input/Output),分为IO 设备和IO 接口两个部分。
LVDS: Low-Voltage Differential Signaling 低压差分信号
1994年由美国国家半导体公司提出的一种信号传输模式，它是一种标准 它在提供高数据传输率的同时会有很低的功耗，另外它还有许多其他的优势：
1、低电压电源的兼容性
2、低噪声
3、高噪声抑制能力
4、可靠的信号传输
5、能够集成到系统级IC 内
使用LVDS 技术的的产品数据速率可以从几百Mbps 到2Gbps 。
它是电流驱动的，通过在接收端放置一个负载而得到电压，当电流正向流动，接收端输出为1，反之为0
他的摆幅为250mv-450mv
TTL 与LVDS
以前的屏一般使用TTL 接口，信号需要5V 电压驱动，功率大而且抗干扰不强 后来的屏多数为LVDS 低压驱动信号，功率小抗干扰强
跟接什么设备没关系，只是视频板与屏之间的通信方式
:Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，通用异步接收/发送装置，UART 是一个并行输入成为串行输出的芯片，通常集成在主板上，多数是16550AFN 芯片。
UART 是一种通用串行数据总线，用于异步通信。该总线双向通信，可以实现全双工传输和接收。在嵌入式设计中，UART 用来与PC 进行通信，包括与监控调试器和其它器件，如EEPROM 通信。
GPIO ：General Purpose Input Output
GPIO (通用输入/输出) 或总线扩展器利用工业标准I2C 、SMBus或SPI接口简化了I/O口的扩展。当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口，或当系统需要采用远端串行通信或控制时，GPIO 产品能够提供额外的控制和监视功
能。
PWM ：脉冲宽度调制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。
脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管栅极或基极的偏置，来实现开关稳压电源输出晶 体管或晶体管导通时间的改变，这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。
CCFL ：冷阴极萤光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)，简称CCFL 。
英文缩写: CCIR (Consultative Committee of International Radio) 中文译名: 国际无线电咨询委员会
SECAM 制式，又称塞康制，SECAM 是法文Sequentiel Couleur A Memoire 缩写，意为“按顺序传送彩色与存储”，是一个首先用在法国模拟彩色电视系统，系统化一个8MHz 宽的调制信号。1966年由法国研制成功，属于同时顺序制，有三种形式的SECAM ：法国SECAM(SECAM-L)，用在法国和它的以前的群体上；SECAM-B/G，用在中东，先前的东德和希腊；SECAM D/K用在俄罗斯和西欧。
CVBS ：中文解释：复合视频广播信号 或 复合视频消隐和同步
全称：Composite Video Broadcast Signal 或Composite Video Blanking and Sync
它是一个模拟电视节目（图片）信号在与声音信号结合，并调制到射频载波之前的一种格式。 CVBS 是" C olor, V ideo, B lank and S ync", " C omposite V i deo B aseband S ignal", " C omposite V ideo B urst S ignal", or " C omposite V ideo with B urst and S ync". 的缩写
CVBS 是被广泛使用的标准，也叫做基带视频或RCA 视频，是“(美国) 国家电视标准委员会（NTSC ）电视信号的传统图像数据传输方法，它以模拟波形来传输数据。复合视频包含色差（色调和饱和度）和亮度（光亮）信息，并将它们同步在消隐脉冲中，用同一信号传输。
TCON （Timer Control Register ）定时器/计数器控制寄存器
TCON 在特殊功能寄存器中，字节地址为88H ，位地址(由低位到高位) 为88H 一8FH ，由于有位地址，十分便于进行位操作。
TCON 的作用是控制定时器的启、停，标志定时器溢出和中断情况。 TCON 的格式如下图所示。其中，TFl ，TRl ，TF0和TR0位用于定时器／计数器；IEl ，ITl ，IE0和IT0位用于中断系统。
DAC: 相关简述 电脑对声音这种信号不能直接处理，先把它转化成电脑能识别的数字信号，就要用到声卡中的DAC （数字/模拟转换），它把声音信号转换成数字信号，要分两步进行，采样和转换。
即数／模转装换器，一种将数字信号转换成模拟信号的装置。 DAC 的位数越高，信号失真就越小。声音也更清晰稳定。 DAC 格式具有以下特点：支持AC-3、DTS 同一级别的高质量音频压缩算法；支持频率从22K-1M ；支持通道数从1-32通道，包括5.1和7.1；支持16位到32位；每通道独立编码，无干扰、串扰问题；每通道位率为75、100、120、150Kbps 等等。
CSTN: color super-twist nematic ：彩色STN 移动装置用彩色显示屏. STN LCD 的彩色化，就是我们所说的CSTN （Color STN ）。它其实就是一个FSTN 屏加上一层彩膜。用RGB 三个像素点来组成一个显示像素点。CSTN 的基本显示原理和STN 完全一样，因此它也继承了STN LCD 所有的优缺点，响应速度慢是它的致命伤。
TFT 属于液晶显示器。
补充：TFT （ThinFilmTransistor ）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的彩色显示设备之一，其效果接近显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT 的每个像素点都是由集成在自身上的TFT 来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。TFT ( Thin film Transistor ，薄膜晶体管）屏幕，它也是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 色及26 万色，1600万色三种，其显示效果非常出色。TFT 俗称“真彩”。
OTG: 就是On The Go ，正在进行中的意思。大家都知道自从1996年USB 传输协议的诞生，并以其优势很快的风靡了所有计算机外设以及数码设备，大家都知道USB 设备分为HOST （主设备）和SLAVE （从设备），只有当一台HOST 于一台SLAVE 连接时才能实现数据的传输，OTG 设备就是是我们的“EX”既能充当HOST ，亦能充当SLAVE 。
NOR 和NAND 区别：
NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于1988年首先开发出NOR flash 技术, 彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989年, 东芝公司发表了NAND flash 结构, 强调降低每比特的成本, 更高的性能, 并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后, 仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND 闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND 闪存技术相对于NOR 技术的优越之处, 因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码, 这时NOR 闪存更适合一些。而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行, 不必再把代码读到系统RAM 中。
NOR 的传输效率很高, 在1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益, 但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND 结构能提供极高的单元密度, 可以达到高存储密度, 并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND 的困难在于flash 的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash 闪存是非易失存储器, 可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行, 所以大多数情况下, 在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的, 而NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的, 执行一个写入/擦除操作的时间为5s, 与此相反, 擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的, 执行相同的操作最多只需要4ms 。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NADN 之间的性能差距, 统计表明, 对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中进行。这样, 当选择存储解决方案时, 设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
● NAN D 的写入速度比NOR 快很多。
● NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND 的擦除单元更小, 相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash 带有SRAM 接口, 有足够的地址引脚来寻址, 可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND 器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据, 各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND 读和写操作采用512字节的块, 这一点有点像硬盘管理此类操作, 很自然地, 基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半, 由于生产过程更为简单, NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量, 也就相应地降低了价格。
NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪存市场的大部分, 而NAND flash 只是用在8～128MB 的产品当中, 这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中,NA ND 适合于数据存储,NAND 在CompactFlash 、Secure Digital 、PC Cards 和MMC 存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性
采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTB F 的系统来说,Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性) 、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR 和NAND 的可靠性。
寿命(耐用性)
在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次, 而NOR 的擦写次数是十万次。NAND 存储器除了具有10比1的块擦除周期优势, 典型的NAND 块尺寸要比NOR 器件小8倍, 每个NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND 发生的次数要比NOR 多), 一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显, 但是如果发生在一个关键文件上, 这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题, 多读几次就可能解决了。 当然, 如果这个位真的改变了, 就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND 闪存,NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时候, 同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然, 如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时, 必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
坏块处理
NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力, 但发现成品率太低, 代价太高, 根本不划算。
NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块, 并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中, 如果通过可靠的方法不能进行这项处理, 将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR 的闪存, 可以像其他存储器那样连接, 并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口,NAND 要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND 器件时, 必须先写入驱动程序, 才能继续执行其他操作。向N AND 器件写入信息需要相当的技巧, 因为设计师绝不能向坏
块写入, 这就意味着在NAND 器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 软件支持
当讨论软件支持的时候, 应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件, 包括性能优化。
在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持, 在NAND 器件上进行同样操作时, 通常需要驱动程序, 也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR 器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。
使用NOR 器件时所需要的MTD 要相对少一些, 许多厂商都提供用于NOR 器件的更高级软件, 这其中包括M-System 的TrueFFS 驱动, 该驱动被Wind Ri ver System 、Microsoft 、QNX Software System 、Symbian 和Intel 等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip 产品进行仿真和NAND 闪存的管理, 包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
群创光电 Lnnolux Display 友达光电 AU Optronics AUO
瀚宇彩晶（翰彩） HannStar （HSD ）
元太科技 电子纸
天马微电子 TM
夏普 SHARP
三星 Samsung
中华映管 CPT
国显 K&D
凌动 Atom
产品名称 Intel Atom N270
适用类型 笔记本CPU
主频(MHz) 1600
核心数量 单核心
总线频率(MHz) 533
制作工艺 45 纳米
L2缓存(KB) 512KB
超线程技术 支持
N450:主频1.66GHz ，FSB 667MHz，支持64位
N270:主频1.6GHz,FSB 533MHz,不支持64位
另外N450整合了内存控制器和图形核心, 也就是说把945G 系列北桥的功能集成进CPU 里面去了, 可以使用CPU+南桥的设计, 而不是原来的北桥+南桥+CPU. N450不论性能, 功耗, 成本都要比N270要强多了, 是N270的取代产品.
威盛 VIA
西格玛 Sigma Designs
安卓 Google Android
Linux
SDIO: （Secure Digital Input and Output Card ） 安全数字输入输出卡SDIO 在SD 标准上定义了一种外设接口。目前，SDIO 有两类主要应用——可移动和不可移动。目前的可移动设备作为Palm 和Windows Mobile 的扩展设备，用来增加蓝牙、照相机、GPS 和802.11b 功能。不可移动设备遵循相同的电气标准，但不要求符合物理标准。某些手机内包含通过SDIO 连接CPU 的802.11芯片。此举将“珍贵”的I/ O管脚资源用于更重要的功能。
I/O: 输出/输入(Input/Output),分为IO 设备和IO 接口两个部分。
LVDS: Low-Voltage Differential Signaling 低压差分信号
1994年由美国国家半导体公司提出的一种信号传输模式，它是一种标准 它在提供高数据传输率的同时会有很低的功耗，另外它还有许多其他的优势：
1、低电压电源的兼容性
2、低噪声
3、高噪声抑制能力
4、可靠的信号传输
5、能够集成到系统级IC 内
使用LVDS 技术的的产品数据速率可以从几百Mbps 到2Gbps 。
它是电流驱动的，通过在接收端放置一个负载而得到电压，当电流正向流动，接收端输出为1，反之为0
他的摆幅为250mv-450mv
TTL 与LVDS
以前的屏一般使用TTL 接口，信号需要5V 电压驱动，功率大而且抗干扰不强 后来的屏多数为LVDS 低压驱动信号，功率小抗干扰强
跟接什么设备没关系，只是视频板与屏之间的通信方式
:Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，通用异步接收/发送装置，UART 是一个并行输入成为串行输出的芯片，通常集成在主板上，多数是16550AFN 芯片。
UART 是一种通用串行数据总线，用于异步通信。该总线双向通信，可以实现全双工传输和接收。在嵌入式设计中，UART 用来与PC 进行通信，包括与监控调试器和其它器件，如EEPROM 通信。
GPIO ：General Purpose Input Output
GPIO (通用输入/输出) 或总线扩展器利用工业标准I2C 、SMBus或SPI接口简化了I/O口的扩展。当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口，或当系统需要采用远端串行通信或控制时，GPIO 产品能够提供额外的控制和监视功
能。
PWM ：脉冲宽度调制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。
脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管栅极或基极的偏置，来实现开关稳压电源输出晶 体管或晶体管导通时间的改变，这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。
CCFL ：冷阴极萤光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)，简称CCFL 。
英文缩写: CCIR (Consultative Committee of International Radio) 中文译名: 国际无线电咨询委员会
SECAM 制式，又称塞康制，SECAM 是法文Sequentiel Couleur A Memoire 缩写，意为“按顺序传送彩色与存储”，是一个首先用在法国模拟彩色电视系统，系统化一个8MHz 宽的调制信号。1966年由法国研制成功，属于同时顺序制，有三种形式的SECAM ：法国SECAM(SECAM-L)，用在法国和它的以前的群体上；SECAM-B/G，用在中东，先前的东德和希腊；SECAM D/K用在俄罗斯和西欧。
CVBS ：中文解释：复合视频广播信号 或 复合视频消隐和同步
全称：Composite Video Broadcast Signal 或Composite Video Blanking and Sync
它是一个模拟电视节目（图片）信号在与声音信号结合，并调制到射频载波之前的一种格式。 CVBS 是" C olor, V ideo, B lank and S ync", " C omposite V i deo B aseband S ignal", " C omposite V ideo B urst S ignal", or " C omposite V ideo with B urst and S ync". 的缩写
CVBS 是被广泛使用的标准，也叫做基带视频或RCA 视频，是“(美国) 国家电视标准委员会（NTSC ）电视信号的传统图像数据传输方法，它以模拟波形来传输数据。复合视频包含色差（色调和饱和度）和亮度（光亮）信息，并将它们同步在消隐脉冲中，用同一信号传输。
TCON （Timer Control Register ）定时器/计数器控制寄存器
TCON 在特殊功能寄存器中，字节地址为88H ，位地址(由低位到高位) 为88H 一8FH ，由于有位地址，十分便于进行位操作。
TCON 的作用是控制定时器的启、停，标志定时器溢出和中断情况。 TCON 的格式如下图所示。其中，TFl ，TRl ，TF0和TR0位用于定时器／计数器；IEl ，ITl ，IE0和IT0位用于中断系统。
DAC: 相关简述 电脑对声音这种信号不能直接处理，先把它转化成电脑能识别的数字信号，就要用到声卡中的DAC （数字/模拟转换），它把声音信号转换成数字信号，要分两步进行，采样和转换。
即数／模转装换器，一种将数字信号转换成模拟信号的装置。 DAC 的位数越高，信号失真就越小。声音也更清晰稳定。 DAC 格式具有以下特点：支持AC-3、DTS 同一级别的高质量音频压缩算法；支持频率从22K-1M ；支持通道数从1-32通道，包括5.1和7.1；支持16位到32位；每通道独立编码，无干扰、串扰问题；每通道位率为75、100、120、150Kbps 等等。
CSTN: color super-twist nematic ：彩色STN 移动装置用彩色显示屏. STN LCD 的彩色化，就是我们所说的CSTN （Color STN ）。它其实就是一个FSTN 屏加上一层彩膜。用RGB 三个像素点来组成一个显示像素点。CSTN 的基本显示原理和STN 完全一样，因此它也继承了STN LCD 所有的优缺点，响应速度慢是它的致命伤。
TFT 属于液晶显示器。
补充：TFT （ThinFilmTransistor ）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的彩色显示设备之一，其效果接近显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT 的每个像素点都是由集成在自身上的TFT 来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。TFT ( Thin film Transistor ，薄膜晶体管）屏幕，它也是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 色及26 万色，1600万色三种，其显示效果非常出色。TFT 俗称“真彩”。
OTG: 就是On The Go ，正在进行中的意思。大家都知道自从1996年USB 传输协议的诞生，并以其优势很快的风靡了所有计算机外设以及数码设备，大家都知道USB 设备分为HOST （主设备）和SLAVE （从设备），只有当一台HOST 于一台SLAVE 连接时才能实现数据的传输，OTG 设备就是是我们的“EX”既能充当HOST ，亦能充当SLAVE 。
NOR 和NAND 区别：
NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于1988年首先开发出NOR flash 技术, 彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989年, 东芝公司发表了NAND flash 结构, 强调降低每比特的成本, 更高的性能, 并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后, 仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND 闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND 闪存技术相对于NOR 技术的优越之处, 因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码, 这时NOR 闪存更适合一些。而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行, 不必再把代码读到系统RAM 中。
NOR 的传输效率很高, 在1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益, 但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND 结构能提供极高的单元密度, 可以达到高存储密度, 并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND 的困难在于flash 的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash 闪存是非易失存储器, 可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行, 所以大多数情况下, 在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的, 而NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的, 执行一个写入/擦除操作的时间为5s, 与此相反, 擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的, 执行相同的操作最多只需要4ms 。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NADN 之间的性能差距, 统计表明, 对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中进行。这样, 当选择存储解决方案时, 设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
● NAN D 的写入速度比NOR 快很多。
● NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND 的擦除单元更小, 相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash 带有SRAM 接口, 有足够的地址引脚来寻址, 可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND 器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据, 各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND 读和写操作采用512字节的块, 这一点有点像硬盘管理此类操作, 很自然地, 基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半, 由于生产过程更为简单, NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量, 也就相应地降低了价格。
NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪存市场的大部分, 而NAND flash 只是用在8～128MB 的产品当中, 这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中,NA ND 适合于数据存储,NAND 在CompactFlash 、Secure Digital 、PC Cards 和MMC 存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性
采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTB F 的系统来说,Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性) 、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR 和NAND 的可靠性。
寿命(耐用性)
在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次, 而NOR 的擦写次数是十万次。NAND 存储器除了具有10比1的块擦除周期优势, 典型的NAND 块尺寸要比NOR 器件小8倍, 每个NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND 发生的次数要比NOR 多), 一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显, 但是如果发生在一个关键文件上, 这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题, 多读几次就可能解决了。 当然, 如果这个位真的改变了, 就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND 闪存,NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时候, 同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然, 如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时, 必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
坏块处理
NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力, 但发现成品率太低, 代价太高, 根本不划算。
NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块, 并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中, 如果通过可靠的方法不能进行这项处理, 将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR 的闪存, 可以像其他存储器那样连接, 并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口,NAND 要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND 器件时, 必须先写入驱动程序, 才能继续执行其他操作。向N AND 器件写入信息需要相当的技巧, 因为设计师绝不能向坏
块写入, 这就意味着在NAND 器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 软件支持
当讨论软件支持的时候, 应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件, 包括性能优化。
在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持, 在NAND 器件上进行同样操作时, 通常需要驱动程序, 也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR 器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD 。
使用NOR 器件时所需要的MTD 要相对少一些, 许多厂商都提供用于NOR 器件的更高级软件, 这其中包括M-System 的TrueFFS 驱动, 该驱动被Wind Ri ver System 、Microsoft 、QNX Software System 、Symbian 和Intel 等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip 产品进行仿真和NAND 闪存的管理, 包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
群创光电 Lnnolux Display 友达光电 AU Optronics AUO
瀚宇彩晶（翰彩） HannStar （HSD ）
元太科技 电子纸
天马微电子 TM
夏普 SHARP
三星 Samsung
中华映管 CPT
国显 K&D
凌动 Atom
产品名称 Intel Atom N270
适用类型 笔记本CPU
主频(MHz) 1600
核心数量 单核心
总线频率(MHz) 533
制作工艺 45 纳米
L2缓存(KB) 512KB
超线程技术 支持
N450:主频1.66GHz ，FSB 667MHz，支持64位
N270:主频1.6GHz,FSB 533MHz,不支持64位
另外N450整合了内存控制器和图形核心, 也就是说把945G 系列北桥的功能集成进CPU 里面去了, 可以使用CPU+南桥的设计, 而不是原来的北桥+南桥+CPU. N450不论性能, 功耗, 成本都要比N270要强多了, 是N270的取代产品.
威盛 VIA
西格玛 Sigma Designs
安卓 Google Android
Linux