开关电源中的变压器隔离驱动电路（二）
普高（杭州）科技开发有限公司 张兴柱 博士
图1(a)是另一种隔离驱动电路，其原边类似于不对称半桥中的接法，副边的电容和二极管
(a)
(b)
图1： 隔离驱动电路#2
来实现隔离后信号的恢复，当原边和副边匝数相同时，该隔离驱动电路在二极管D1上的波形将与隔离前的驱动信号具有完全相同的形状，而且其幅度为Vcc_s。R 2、R 3、ZD 1的作用与隔离驱动电路#1中对应的元件类似。这个隔离驱动电路的占空比没有限制，其变压器对称地工作于B-H 的I 、III 象限，变压器的激磁电流平均值为零。如前面所说的，该隔离驱动变压器的设计可先按原则选好铁芯的材料和铁芯的形状及尺寸，然后按下面的公式计算匝数：
N p =
D (1−D ) ×V cc _s
×108（匝）
2B m A c f s
其中：B m
电电源，单位（V ），显然在D =0. 5时，上式最大，所以有：
N p =
0. 125×V cc _s
×108（匝）
B m A c f s
对计算的匝数取整数，并取N s =N p ，然后在所选择的铁芯上按安规要求绕制这两个绕组，看看是否可以绕下，如果能够绕下，且实验波形没有失真，则该隔离变压器的设计就是成功的，否则就要选择一个大一些的铁芯来重新进行计算。从变压器匝数计算公式可知，同样频率、同样截面积的铁芯，在隔离驱动电路#2中的变压器匝数会远少于隔离驱动电路#1中（昨天介绍的）的变压器匝数，所以当处理的功率相同时，隔离驱动电路#2中的变压器会比隔离驱动电路#1中的变压器小。
图1(a)的隔离驱动电路，在产品的大动态过程或电源保护后再恢复工作的过程中，常会因为二极管D 1的没有及时导通，而导致其控制的MOSFET 不能被可靠关断，从而损坏主电路。图1(b)是用一个PNP 三极管Q 3、一个电阻R 4和一个电容C 3组成的电路来代替二极管D 1，以保证只要变压器的副边一有负电压，三极管Q 3就会立即导通，从而确保其控制的MOSFET 无论在什么样的大动态下，都能可靠关断。
开关电源中的变压器隔离驱动电路（二）
普高（杭州）科技开发有限公司 张兴柱 博士
图1(a)是另一种隔离驱动电路，其原边类似于不对称半桥中的接法，副边的电容和二极管
(a)
(b)
图1： 隔离驱动电路#2
来实现隔离后信号的恢复，当原边和副边匝数相同时，该隔离驱动电路在二极管D1上的波形将与隔离前的驱动信号具有完全相同的形状，而且其幅度为Vcc_s。R 2、R 3、ZD 1的作用与隔离驱动电路#1中对应的元件类似。这个隔离驱动电路的占空比没有限制，其变压器对称地工作于B-H 的I 、III 象限，变压器的激磁电流平均值为零。如前面所说的，该隔离驱动变压器的设计可先按原则选好铁芯的材料和铁芯的形状及尺寸，然后按下面的公式计算匝数：
N p =
D (1−D ) ×V cc _s
×108（匝）
2B m A c f s
其中：B m
电电源，单位（V ），显然在D =0. 5时，上式最大，所以有：
N p =
0. 125×V cc _s
×108（匝）
B m A c f s
对计算的匝数取整数，并取N s =N p ，然后在所选择的铁芯上按安规要求绕制这两个绕组，看看是否可以绕下，如果能够绕下，且实验波形没有失真，则该隔离变压器的设计就是成功的，否则就要选择一个大一些的铁芯来重新进行计算。从变压器匝数计算公式可知，同样频率、同样截面积的铁芯，在隔离驱动电路#2中的变压器匝数会远少于隔离驱动电路#1中（昨天介绍的）的变压器匝数，所以当处理的功率相同时，隔离驱动电路#2中的变压器会比隔离驱动电路#1中的变压器小。
图1(a)的隔离驱动电路，在产品的大动态过程或电源保护后再恢复工作的过程中，常会因为二极管D 1的没有及时导通，而导致其控制的MOSFET 不能被可靠关断，从而损坏主电路。图1(b)是用一个PNP 三极管Q 3、一个电阻R 4和一个电容C 3组成的电路来代替二极管D 1，以保证只要变压器的副边一有负电压，三极管Q 3就会立即导通，从而确保其控制的MOSFET 无论在什么样的大动态下，都能可靠关断。