RALEC
文件編號
旺 詮
額定功率
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/08
2/20
3.2阻值範圍:＜1Ω
型別
最高額定電流
最高過負荷電流
T.C.R ( ppm / ℃ )
溫度係數
±600±300±250±200±600±300±600±400±1500±1200±800±600±200±1500±1200±1000±600±200±1500±1000±700±400±200±1500±1200±900±500±200±1500±1200±900±500±200
阻值範圍
F(±1%)、G(±2%)、J((±5%)
E-24、E-9680 ≦R ＜200 mΩ200≦R ＜400 mΩ400 ≦R ＜600 mΩ600≦R ＜1000 mΩ60≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜200 mΩ200 ≦R ＜500 mΩ500 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜33 mΩ33 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ
RTT02(0402)
1/16W0.88A 2.2A
RTT03(0603)
1/10W1.29A 3.22A
RTT05(0805)
1/8W3.53A 8.82A
RTT06(1206)
1/3W5.77A 14.42A
RTT12(1210)
1/2W7.07A 17.67A
RTT20(2010)
3/4W8.66A 21.65A
RTT25(2512)
1 W10A 25A
使用溫度範圍－55℃ ~ ＋155℃
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
旺 詮
ITEM 項目
Core bodystrength 本體強度
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
版本日期頁 次
2009/06/08
6/20
6.2機械性能試驗(Mechanical Performance Test)
Specifications 規格Resistors Jumper
使用R0.5的測試探針在本體中央向下施加10N ｛1.021. 阻值範圍:≧1Ω
kgf ｝的負載持續10 sec.。 ±(1.0%+0.05Ω)
參考3. 規格表
1.RTT02、RTT03測試探針R0.22. 阻值範圍:＜1Ω2.RTT05、06、12、20、25測試探針R0.5 ±(1.0%+0.001Ω) 依據 JIS-C5201-1 4.15外觀無損傷，側導無裂痕
Terminal 測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面施以項目一:外觀無損傷，無側導脫落及本體斷裂發Strength 5N 的力量持續10 sec後，檢查側導體外觀生。。(RTT01:3N)項目二:RTT01≧3N 測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸施加力量於電其它≧5N
阻背面，測試端電極最大剝離強度。
依據 JIS-C5201-1 4.16
Resistance to浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜置1. 阻值範圍:≧1Ω 參考3. 規格表
型別RTT01其它Solvent 48 hr以上，再量測阻值變化率。
△R%±(1.0%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 耐溶劑性試驗依據 JIS-C5201-1 4.29
2. 阻值範圍:＜1Ω ±(1.0%+0.001Ω)
外觀無損傷，無G2保護層及錫層被Leaching 現象。1. 試驗項目一:Solderability 前處理
將晶片電阻放置於PCT 試驗機內，在溫度105℃、濕導體吃錫面積應大於95%。焊錫性
5
度100%及氣壓1.22×10 pa的飽和條件下進行4小時2. 試驗項目二:
Zero Cross Time在3秒內完成。的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。
測試方法
◎測試項目一(焊錫爐測試):
將電阻浸於235±5℃之爐中2±0.5秒後取出置於顯微鏡下觀察焊錫面積。◎測試項目二(小球平衡法):
將浸漬助焊劑後的電阻置放於Wetting Balance測試機，依下列條件做設定，並記錄晶片電阻焊錫潤濕時間。
焊錫槽平衡法測試條件
焊錫溫度浸漬速度浸漬高度浸漬角度
條件235±2℃1~5mm/S0.10mm 水平
5mg →0201
錫球重量25mg →0402、0603
200mg →0805、1206、1210、2010、2512
依據 SONY (SS-00254-2)依據 JIS-C5201-1 4.17
Resistance to◎測試方法一(Reflow測試):1. 阻值範圍:≧1Ω參考3. 規格表Soldering △R%=±(1.0%+0.05Ω) 晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗Heat ，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或2. 阻值範圍:＜1Ω抗焊錫熱△R%=±(1.0%+0.001Ω) 較低的條件下2小時以上。
電極外觀無異常，無側導脫落。
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
RALEC
文件編號
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
步驟1234567
製程名稱阻值量測烘乾濕潤Reflow(1)濕潤
試驗環境條件
室溫
125℃， 24小時85℃，85%，168小時
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/08
7/20
Specifications 規格Resistors Jumper
Reflow 溫度曲線及元件表面溫
度 Table1
85℃，65%，24小時
Reflow 溫度曲線及元件表面溫
Reflow(2)度
Table2
阻值量測
室溫
1.Reflow 溫度曲線
2. 元件表面溫度
Table 1規格文件說明(1)
溫度保留時間:高測試元件表面溫度
尖峰溫度
於或等於230℃在前製程
30秒240℃150 至160℃
Table 2規格文件說明(2)
溫度保留測試元件表面溫度
溫度
時間在前製程
高於或等於220℃90秒150至160℃高於或等於230℃60秒高於或等於240℃5秒
尖峰溫度245℃◎測試方法二(焊錫爐測試):
晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或較低的條件下2小時以上。
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
版本日期頁 次
2009/06/0810/20
6.3環境試驗(Environmental Test)
Specifications 規格Resistors
1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±(1.0%＋0.05Ω) 2%、5%:±(2.0%＋0.10Ω) 2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(1.0%＋0.001Ω)
Jumper
參考3. 規格表
Resistance to置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hr，取出靜置1Dry Heathr 以上再量測阻值變化率。耐熱性試驗PS:RTT01置於125±3℃中。
依據 JIS-C5201-1 4.25Thermal Shock 冷熱沖擊
將晶片電阻置入冷熱沖擊機中，溫度為-55℃ 15分鐘，+125℃ 15分鐘，共計循環300次後取出，靜置60分鐘再量測阻值變化率。
最低溫度最高溫度溫度保留時間
測試條件-55±5℃125±5℃15 分鐘
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±(0.5%＋0.05Ω) 2%、5%:±(1.0%＋0.05Ω) 2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(1.0%＋0.001Ω)
參考3. 規格表
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
依據 MIL-STD 202 Method 107
Loading Life置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中，in Moisture並施加額定電壓，90分鐘ON ，30分鐘OFF ，共耐濕負荷1,000 hr取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。
依據 JIS-C5201-1 4.24
1. 阻值範圍:≧1Ω
型別
RTT01其它
1%:±(1.0%+0.05Ω) 0.1%、0.5%、1%:5%:±(3.0%+0.1Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 範圍
2%、5%:
±(2.0%+0.10Ω)
參考3. 規格表
2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(2.0%＋0.001Ω)
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Load Life 負荷壽命
置於70±2℃之烤箱中施加額定電壓，90分鐘ON ，30分鐘OFF ，共1,000 hr取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。
依據 JIS-C5201-1 4.25
1. 阻值範圍:≧1Ω
型別
RTT01其它
1%:±(1.0%+0.05Ω) 0.1%、0.5%、1%:5%:±(3.0%+0.1Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 範圍
2%、5%:
±(2.0%+0.10Ω)
參考3. 規格表
2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(2.0%＋0.001Ω)
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Low Temperature Operation 低溫操作將晶片電阻放置-55℃恆溫箱中60分鐘，施加額定電1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±
壓45分鐘，停止施壓15分鐘取出後靜置8±1 hr再量 2%
、5%:±
測阻值變化率。2. 阻值範圍:＜1Ω依據MIL-R-55342D 4.7.4 1%、 2%、5% :±
(0.5%＋0.05Ω)
(1.0%＋0.05Ω) (1.0%＋0.001Ω)
參考3. 規格表
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Whisker 試驗晶片電阻可化分為下面二種測試:
◎測試項目一(冷熱衝擊測試):
將晶片電阻置放於冷熱衝擊試驗箱內，並依下列條件做測試，試驗後置於室溫下2小時。
Table 1溫度循環測試條件最低儲存溫度-40±2℃最高儲存溫度85±2℃溫度保留時間7分溫度循環次數1,500
◎測試項目二(耐濕性測試):
將晶片電阻置放於恆溫恆濕箱內，並依下列條件做測試，試驗後置於室溫下2小時。
Table 2不變的溫度與濕度的測試條件
溫度85℃濕度85% RH測試時間500±4小時
Whisker 長度在50μm 之內。
備發行管制文件
發行管制章 DATA Center.
RALEC
文件編號
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
◎檢查
將放大鏡的倍數調至40或大於40的倍數下做視察和測試，如果此方法難做出判斷，我們可以改用掃描電子顯微鏡(SEM)，且將倍數調至1000或大於1000倍數下做視察和測試。 依據 SONY (SS-00254-8)
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/0811/20
Specifications 規格Resistors
Jumper
7建議焊錫條件:
7.1Lead Free Reflow Soldering Profile
備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。7.2烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。
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旺 詮
9.5字碼表
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
2009/06/0814/20
9.5.1E-24 系列
1033
1136
1239
1343
1547
1651
1856
2062
2268
2475
2782
3091
9.5.2E-96 系列
[***********]562750
[***********]576768
[***********]590787
[***********]604806
[***********]619825
[***********]634845
[***********]649866
[***********]665887
[***********]681909
[***********]698931
[***********]715953
[***********]732976
9.5.3EIAJ 代碼表:
代碼[***********]101112
阻值[***********][***********]
代碼[***********]2223 24
阻值[***********][***********]
代碼[***********]343536
阻值[***********][***********]
代碼[***********]464748
阻值[***********][***********]
代碼[***********]585960
阻值[***********][***********]
代碼6162 63 64 65 66 [1**********]2
阻值[***********][***********]
代碼[***********]828384
阻值代碼[***********][***********][***********]573296
阻值[***********][***********]
Y ＝10-2 X ＝10-1 A＝100 B＝101 C ＝102 D＝103 E＝104 F ＝105
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旺 詮
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
2009/06/0815/20
9.6標準字碼外觀一覽表
10鍍層厚度:
10.1鎳層厚度:≧1μｍ10.2純錫:≧3μｍ10.3電鍍純錫為霧錫
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RALEC
文件編號
旺 詮
13儲存期限
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/0820/20
13.1在儲存環境25±5℃、60±15%之條件下可儲存二年。
14電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸)
電子信息產品污染控制標誌包裝回收標誌
15此部份中規定，產品不使用含有RoHS 指定中限制使用之有害物質的材料，詳細內容可參考RoHS (2002/95/EC 指令) 之禁用物質部份
15.1鎘及鎘化合物 (允許含量＜100ppm) 15.2鉛及鉛化合物 (允許含量＜1000ppm)
15.2.1排除條款:
15.2.1.1陰極射線管，電子零件及螢光燈管之玻璃中的鉛。
15.2.1.2電子部件中使用的玻璃材料包括電阻，導電漿，粘著劑，玻璃料，密封料等。
15.3汞及汞化合物 (允許含量＜100ppm) 15.4六價鉻化合物 (允許含量＜100ppm) 15.5聚溴聯苯 (PBB) (允許含量＜100ppm) 15.6聚溴二苯謎 (PBDE) (允許含量＜100ppm)
16附件
16.1文件修訂記錄表
(QA-QR-027)
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旺 詮
額定功率
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/08
2/20
3.2阻值範圍:＜1Ω
型別
最高額定電流
最高過負荷電流
T.C.R ( ppm / ℃ )
溫度係數
±600±300±250±200±600±300±600±400±1500±1200±800±600±200±1500±1200±1000±600±200±1500±1000±700±400±200±1500±1200±900±500±200±1500±1200±900±500±200
阻值範圍
F(±1%)、G(±2%)、J((±5%)
E-24、E-9680 ≦R ＜200 mΩ200≦R ＜400 mΩ400 ≦R ＜600 mΩ600≦R ＜1000 mΩ60≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜200 mΩ200 ≦R ＜500 mΩ500 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜33 mΩ33 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ10 ≦R ＜19 mΩ19 ≦R ＜25 mΩ25 ≦R ＜50 mΩ50 ≦R ＜100 mΩ100 ≦R ＜1000 mΩ
RTT02(0402)
1/16W0.88A 2.2A
RTT03(0603)
1/10W1.29A 3.22A
RTT05(0805)
1/8W3.53A 8.82A
RTT06(1206)
1/3W5.77A 14.42A
RTT12(1210)
1/2W7.07A 17.67A
RTT20(2010)
3/4W8.66A 21.65A
RTT25(2512)
1 W10A 25A
使用溫度範圍－55℃ ~ ＋155℃
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
旺 詮
ITEM 項目
Core bodystrength 本體強度
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
版本日期頁 次
2009/06/08
6/20
6.2機械性能試驗(Mechanical Performance Test)
Specifications 規格Resistors Jumper
使用R0.5的測試探針在本體中央向下施加10N ｛1.021. 阻值範圍:≧1Ω
kgf ｝的負載持續10 sec.。 ±(1.0%+0.05Ω)
參考3. 規格表
1.RTT02、RTT03測試探針R0.22. 阻值範圍:＜1Ω2.RTT05、06、12、20、25測試探針R0.5 ±(1.0%+0.001Ω) 依據 JIS-C5201-1 4.15外觀無損傷，側導無裂痕
Terminal 測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面施以項目一:外觀無損傷，無側導脫落及本體斷裂發Strength 5N 的力量持續10 sec後，檢查側導體外觀生。。(RTT01:3N)項目二:RTT01≧3N 測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸施加力量於電其它≧5N
阻背面，測試端電極最大剝離強度。
依據 JIS-C5201-1 4.16
Resistance to浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜置1. 阻值範圍:≧1Ω 參考3. 規格表
型別RTT01其它Solvent 48 hr以上，再量測阻值變化率。
△R%±(1.0%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 耐溶劑性試驗依據 JIS-C5201-1 4.29
2. 阻值範圍:＜1Ω ±(1.0%+0.001Ω)
外觀無損傷，無G2保護層及錫層被Leaching 現象。1. 試驗項目一:Solderability 前處理
將晶片電阻放置於PCT 試驗機內，在溫度105℃、濕導體吃錫面積應大於95%。焊錫性
5
度100%及氣壓1.22×10 pa的飽和條件下進行4小時2. 試驗項目二:
Zero Cross Time在3秒內完成。的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。
測試方法
◎測試項目一(焊錫爐測試):
將電阻浸於235±5℃之爐中2±0.5秒後取出置於顯微鏡下觀察焊錫面積。◎測試項目二(小球平衡法):
將浸漬助焊劑後的電阻置放於Wetting Balance測試機，依下列條件做設定，並記錄晶片電阻焊錫潤濕時間。
焊錫槽平衡法測試條件
焊錫溫度浸漬速度浸漬高度浸漬角度
條件235±2℃1~5mm/S0.10mm 水平
5mg →0201
錫球重量25mg →0402、0603
200mg →0805、1206、1210、2010、2512
依據 SONY (SS-00254-2)依據 JIS-C5201-1 4.17
Resistance to◎測試方法一(Reflow測試):1. 阻值範圍:≧1Ω參考3. 規格表Soldering △R%=±(1.0%+0.05Ω) 晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗Heat ，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或2. 阻值範圍:＜1Ω抗焊錫熱△R%=±(1.0%+0.001Ω) 較低的條件下2小時以上。
電極外觀無異常，無側導脫落。
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
RALEC
文件編號
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
步驟1234567
製程名稱阻值量測烘乾濕潤Reflow(1)濕潤
試驗環境條件
室溫
125℃， 24小時85℃，85%，168小時
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/08
7/20
Specifications 規格Resistors Jumper
Reflow 溫度曲線及元件表面溫
度 Table1
85℃，65%，24小時
Reflow 溫度曲線及元件表面溫
Reflow(2)度
Table2
阻值量測
室溫
1.Reflow 溫度曲線
2. 元件表面溫度
Table 1規格文件說明(1)
溫度保留時間:高測試元件表面溫度
尖峰溫度
於或等於230℃在前製程
30秒240℃150 至160℃
Table 2規格文件說明(2)
溫度保留測試元件表面溫度
溫度
時間在前製程
高於或等於220℃90秒150至160℃高於或等於230℃60秒高於或等於240℃5秒
尖峰溫度245℃◎測試方法二(焊錫爐測試):
晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或較低的條件下2小時以上。
備發行管制文件發行管制章 DATA Center.
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
版本日期頁 次
2009/06/0810/20
6.3環境試驗(Environmental Test)
Specifications 規格Resistors
1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±(1.0%＋0.05Ω) 2%、5%:±(2.0%＋0.10Ω) 2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(1.0%＋0.001Ω)
Jumper
參考3. 規格表
Resistance to置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hr，取出靜置1Dry Heathr 以上再量測阻值變化率。耐熱性試驗PS:RTT01置於125±3℃中。
依據 JIS-C5201-1 4.25Thermal Shock 冷熱沖擊
將晶片電阻置入冷熱沖擊機中，溫度為-55℃ 15分鐘，+125℃ 15分鐘，共計循環300次後取出，靜置60分鐘再量測阻值變化率。
最低溫度最高溫度溫度保留時間
測試條件-55±5℃125±5℃15 分鐘
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±(0.5%＋0.05Ω) 2%、5%:±(1.0%＋0.05Ω) 2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(1.0%＋0.001Ω)
參考3. 規格表
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
依據 MIL-STD 202 Method 107
Loading Life置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中，in Moisture並施加額定電壓，90分鐘ON ，30分鐘OFF ，共耐濕負荷1,000 hr取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。
依據 JIS-C5201-1 4.24
1. 阻值範圍:≧1Ω
型別
RTT01其它
1%:±(1.0%+0.05Ω) 0.1%、0.5%、1%:5%:±(3.0%+0.1Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 範圍
2%、5%:
±(2.0%+0.10Ω)
參考3. 規格表
2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(2.0%＋0.001Ω)
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Load Life 負荷壽命
置於70±2℃之烤箱中施加額定電壓，90分鐘ON ，30分鐘OFF ，共1,000 hr取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。
依據 JIS-C5201-1 4.25
1. 阻值範圍:≧1Ω
型別
RTT01其它
1%:±(1.0%+0.05Ω) 0.1%、0.5%、1%:5%:±(3.0%+0.1Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 範圍
2%、5%:
±(2.0%+0.10Ω)
參考3. 規格表
2. 阻值範圍:＜1Ω
1%、 2%、5% :±(2.0%＋0.001Ω)
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Low Temperature Operation 低溫操作將晶片電阻放置-55℃恆溫箱中60分鐘，施加額定電1. 阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±
壓45分鐘，停止施壓15分鐘取出後靜置8±1 hr再量 2%
、5%:±
測阻值變化率。2. 阻值範圍:＜1Ω依據MIL-R-55342D 4.7.4 1%、 2%、5% :±
(0.5%＋0.05Ω)
(1.0%＋0.05Ω) (1.0%＋0.001Ω)
參考3. 規格表
外觀無損傷，無短路及燒毀現象。
Whisker 試驗晶片電阻可化分為下面二種測試:
◎測試項目一(冷熱衝擊測試):
將晶片電阻置放於冷熱衝擊試驗箱內，並依下列條件做測試，試驗後置於室溫下2小時。
Table 1溫度循環測試條件最低儲存溫度-40±2℃最高儲存溫度85±2℃溫度保留時間7分溫度循環次數1,500
◎測試項目二(耐濕性測試):
將晶片電阻置放於恆溫恆濕箱內，並依下列條件做測試，試驗後置於室溫下2小時。
Table 2不變的溫度與濕度的測試條件
溫度85℃濕度85% RH測試時間500±4小時
Whisker 長度在50μm 之內。
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RALEC
文件編號
旺 詮
ITEM 項目
厚膜晶片電阻器規格標準書
Conditions 條件
◎檢查
將放大鏡的倍數調至40或大於40的倍數下做視察和測試，如果此方法難做出判斷，我們可以改用掃描電子顯微鏡(SEM)，且將倍數調至1000或大於1000倍數下做視察和測試。 依據 SONY (SS-00254-8)
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/0811/20
Specifications 規格Resistors
Jumper
7建議焊錫條件:
7.1Lead Free Reflow Soldering Profile
備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。7.2烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。
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旺 詮
9.5字碼表
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
2009/06/0814/20
9.5.1E-24 系列
1033
1136
1239
1343
1547
1651
1856
2062
2268
2475
2782
3091
9.5.2E-96 系列
[***********]562750
[***********]576768
[***********]590787
[***********]604806
[***********]619825
[***********]634845
[***********]649866
[***********]665887
[***********]681909
[***********]698931
[***********]715953
[***********]732976
9.5.3EIAJ 代碼表:
代碼[***********]101112
阻值[***********][***********]
代碼[***********]2223 24
阻值[***********][***********]
代碼[***********]343536
阻值[***********][***********]
代碼[***********]464748
阻值[***********][***********]
代碼[***********]585960
阻值[***********][***********]
代碼6162 63 64 65 66 [1**********]2
阻值[***********][***********]
代碼[***********]828384
阻值代碼[***********][***********][***********]573296
阻值[***********][***********]
Y ＝10-2 X ＝10-1 A＝100 B＝101 C ＝102 D＝103 E＝104 F ＝105
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旺 詮
厚膜晶片電阻器規格標準書
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2009/06/0815/20
9.6標準字碼外觀一覽表
10鍍層厚度:
10.1鎳層厚度:≧1μｍ10.2純錫:≧3μｍ10.3電鍍純錫為霧錫
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RALEC
文件編號
旺 詮
13儲存期限
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期頁 次
IE-SP-0072009/06/0820/20
13.1在儲存環境25±5℃、60±15%之條件下可儲存二年。
14電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸)
電子信息產品污染控制標誌包裝回收標誌
15此部份中規定，產品不使用含有RoHS 指定中限制使用之有害物質的材料，詳細內容可參考RoHS (2002/95/EC 指令) 之禁用物質部份
15.1鎘及鎘化合物 (允許含量＜100ppm) 15.2鉛及鉛化合物 (允許含量＜1000ppm)
15.2.1排除條款:
15.2.1.1陰極射線管，電子零件及螢光燈管之玻璃中的鉛。
15.2.1.2電子部件中使用的玻璃材料包括電阻，導電漿，粘著劑，玻璃料，密封料等。
15.3汞及汞化合物 (允許含量＜100ppm) 15.4六價鉻化合物 (允許含量＜100ppm) 15.5聚溴聯苯 (PBB) (允許含量＜100ppm) 15.6聚溴二苯謎 (PBDE) (允許含量＜100ppm)
16附件
16.1文件修訂記錄表
(QA-QR-027)
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