第34卷 第10期
2007年10月
中 国 激 光
Vol. 34, No. 10
October , 2007
文章编号:025827025(2007) 1021427204
电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
侯广辉, 温继敏, 黄亨沛, 王 欣, 刘 宇, 谢 亮, 祝宁华
(中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京100083)
摘要 提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML ) 集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上, 同时采用光探测器作为光电转换器, 二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线, 使用微波探针作为测试夹具加载信号, 另一端是同轴线, 两个测试端口不同, 。测试过程中采用扩展的开路2短路2负载(OSL ) , 扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响, 影响, 得到集成光源散射参数的精确测试结果。关键词 光电子学; 电吸收调制器; 测试; 散射参量中图分类号 TN 248. 4 文献标识码A
High Measurement of Electroabsorption
Integrated Distributed 2Feedback Laser Module
HOU Guang 2hui , WEN Ji 2min , HUAN G Heng 2pei , WAN G Xin , L IU Yu , XIE Liang , ZHU Ning 2hua
(S tate Key L aboratory on I nteg rated O ptoelect ronics , I nstitute of S emiconductors ,
T he Chinese A cadem y of S ciences , B ei j ing 100083, China )
Abstract A method of accurately measuring the high f requency characterization of an electroabsorption modulated integrated distributed feedback (DFB ) electroabsorption modulator laser (EML ) is presented. The integrated device under test is mounted on the ground electrode of an AlN submount with micro bonding wire , which has coplanar electrodes with a gap of 50μm to load the microwave signals. A high speed photodetector is used as the photoelectro converter. The two instruments consist of a two 2port network. One port of the network under test is a coplanar electrode with a microwave probe to load signals , the other port is a coaxial line , and thus the two test ports are different , so the network can not be calibrated just with the coaxial calibration method. The microwave test fixtures 2microwave probe is calibrated by use of the extended open 2short 2load (OSL ) method , and the effects of microwave probe on high frequency characteristic of integrated laser are subtracted. Meanwhile , the f requency response of the high speed photodetector is also subtracted by the improved optical heterodyne method and the accurate scattering parameters measurement results of the integrated device are obtained. K ey w ords optoelectronic ; electroabsorption modulator ; measurement ; scattering parameter
1 引 言
电吸收调制激光器(EML ) 作为一种稳定可靠的光源在长距离高速光纤传输系统中发挥着重要的
收稿日期:2006211217; 收到修改稿日期:2007204202
作用[1～3]。这种集成光源的突出优点是使用外调制
技术, 避免了高速调制时激光器中光子与电子之间的相互作用, 减小了直接调制引起的较大啁啾。集成光源还具有体积小、耦合效率高等优点, 目前, 此
基金项目:国家自然科学基金(60510173,60536010,90401025) 资助项目。
) , 男, 河北人, 硕士研究生, 主要从事光电子器件高频特性方面的研究。 作者简介:侯广辉(1981—E 2mail :[email protected]. cn
) , 男, 贵州人, 研究员, 博士生导师, 目前研究方向为微波光电子器件的封装与测试。 导师简介:祝宁华(1959—E 2mail :[email protected]. cn (通信作者)
中 国 激 光 34卷
类器件实用化产品的调制带宽已经达到20GHz 以上[4～7]。
对于电吸收调制激光器集成芯片高频特性的测试, 普遍采用微波矢量网络分析仪(VNA ) 进行, 然而, 在网络分析仪的测试夹具校准过程中, 测试夹具的双口校准至少需要一个传输参数不为零的已知双口网络作为标准, 如t hru 或line 标准。当两个测试端口相同时, 这类传输标准容易得到, 而且标准的精度也较高。然而实际上, 在测试电吸收调制激光器集成芯片的高频反射和传输特性时, 两个测试端口是不同的, 被测双口网络的一端是同轴线, 而另一端是共面线, 此时需要用微波探针来连接集成光源中的调制器部分, 调制器模块的输入端为共面微带线, 输出射频信号, 探测器的输出端是Sub 2A (SMA ) 同轴接头, 因此, , , 会, 对集成光源的高频特性的精确性产生影响[8]; 同时, 由于实验中使用的光探测器同样是高频响应器件, 在精确测试电吸收调制激光器集成光源的高频特性的时候也会对测量结果产生影响, 这部分影响也应该扣除。本文采用扩展的开路2短路2负载(OSL ) 方法对电吸收调制激光器的测试夹具进行了校准, 这种方法扣除了测试中使用的微波探针的影响, 同时采用光外差的方法扣除了实验用高频响应器件光探测器的影响, 可以得到精确的测试结果。
图1制作在热沉上的集成芯片的结构示意图
Fig. 1Schematic configuration of the integrated device
chip on 3. 5, 应用短路2开路2
2通(法, 在50M Hz ～H P8720D 矢量网络
, 将测试参考面校准到两根电的同轴端口, 网络分析仪的输出电功率为-5dBm 。在测试中, 使用一台光探测器作为实验用的光电转换器, 探测器使用光外差方法校准[9], 测试中探测器引起的误差可以通过校准扣除。
测试中首先将ACP402SG 2200微波探针压在电吸收调制器端加载高频信号和反向偏压, 另外将ACP402GS 2200微波探针压在分布反馈激光器端加
载偏置电流, 测试电吸收调制器的反射参数S 11和传输参数S 21, 这时, 需要对探针进行校准, 把探针的影响排除, 校准后测试参考面就移动到了探针的尖端上。采用开路2短路2负载单端校准方法[10]和扩展开路2短路2负载方法[11]就可以确定探针的散射参数。
设三个已知标准———开路、短路、负载的反射系数为Γi (i =O , S ,L ) , 测试夹具微波探针的散射参数S 为S F , 在网络分析仪测试端口得到的反射参数为ΓMi , 于是有关系式[10]
ΓMi =S F11+,
1-S F22Γi
(1)
2 实 验
实验用的电吸收调制激光器集成芯片制作在设计好的AlN 材料的热沉上, 热沉上镀有共面电极, 电极间的缝隙为50μm 。用金丝将激光器和调制器的顶部焊盘和热沉上的信号电极连接起来用以加载微波信号和偏置电信号, 如图1所示。端口1是电吸收(EA ) 调制器的共面微带线, 其共面电极之间并联了50Ω薄膜匹配电阻; 端口2是电吸收调制器的光输出端口。
实验中使用的集成芯片是1. 55μm 电吸收调制器集成分布反馈(DFB ) 激光器芯片, 其中激光器的阈值电流大约16mA 。测试用的微波探针由Cascade Microtech 公司生产。测试中, 选择H P8720D 矢量网络分析仪对样品进行测试,
使用
1428
式中下标M 为测量得到的反射系数, 下标F 为微波探针, i 为O , S ,L 采用的终端接标准开路、短路和负载。将标准开路、短路、负载的反射系数ΓO =1, ΓS =-1, ΓL =0代入(1) 式, 可以得到S F11=ΓM L ,
S F22=
(2) (3)
Γ,
ΓM O -ΓM S
S F21S F12=S F11S F22+
Γ。
ΓM O -ΓM S
(4)
对电吸收调制激光器进行测试的结果中包含探
10期 侯广辉等:电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
针的影响, 利用上面校准得到的探针的数据, 通过级连网络变换矩阵运算可以扣除探针的影响
S D11=S D21=
,
S P12S P21+S P11(S P22+S M 11) S P12S P21
,
+S P11(S P22+S M 11)
(5) (6)
式中D 为扣除探针的影响后被测器件的结果, 校准后的结果更加精确。图2为测试装置示意图
。
图2Fig. 2setup
3 测试结果
图3所示为通过光外差法得到的实验用光探测器的频率响应, 测试结果扣除掉微波探针的影响和探测器的响应, 就可以得到准确的电吸收调制器的反射参数和传输参数, 如图4和图5所示。图4(a ) 为集成器件偏置电流为60mA , 反向偏压为0. 5V 时电吸收调制器的反射参数的史密斯(Smit h ) 圆图; (b ) 和(c ) 分别显示了不同偏流和不同偏压下电吸收
调制器的反射参数的幅度变化; 图5(a ) 和(b ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收调制器的传输参数的幅度变化示意图。
从图4(b ) 中可以看出, 随着激光器注入电流的变化, 电吸收调制器的反射参数S 11
的幅度有很大
图4扣除掉微波探针的影响后得到的集成器件的
反射参数
(a ) 集成器件偏置电流为60mA , 反向偏压为0. 5V 时的反射参
数; (b ) 和(c ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收调制器的反射 参数的幅度变化
Fig. 4Measured reflection coefficient of the EML after
substraction of the effect of the microwave probe
at different bias condition
(a ) 60mA bias current and 0. 5V reverse bias voltage ; (b ) 0. 5V reverse bias voltage and different bias current ; (c ) 40mA
bias current and different bias voltage
图3探测器的高频响应
Fig. 3Frequency responses of the photodetector
变化, 这是因为, S 11表示的不仅是电吸收调制器的阻抗, 还包括匹配电阻的阻抗, 事实上, 由于激光器和调制器之间存在耦合作用[12, 13], S 11表示的是整个集成器件的阻抗。图4(c ) 则表明S 11的幅度随电吸收调制器反向偏压的变化较小, 这说明集成器件
1429
中 国 激 光 34卷
参考文献
图5(a ) 和(b ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收
调制器的频率响应的幅度变化
Fig. 5Measured transmission parameter of the EML
after substraction of the effect of both the microwave
probe
and
the
photodetector
at
different bias condition
(a ) 0. 5V reverse bias voltage and different bias current ;
(b ) 40mA bias current and different bias voltage
间的耦合作用对器件的阻抗特性有着更大的影响。
从图5(b ) 所示集成器件的频率响应曲线中, 可以看到, 随着调制器反向偏压V EA 的增加, 调制器对注入其中的光子的吸收大大加强, 使得器件频率响应曲线的相对幅度下降, 当V EA 增大到-1V 时, 测量噪声对频率响应的测试起了很大的干扰作用。
4 结 论
对制作在设计好的AlN 热沉上的电吸收调制激光器集成芯片的高频特性进行了测试, 测试中分别采用光外差方法和扩展的开路2短路2负载方法对探测器和集成光源的测试夹具进行校准, 这种方法同时扣除了测试中使用的微波探针和光电探测器的高频影响, 得到了精确的测试结果。
1 Lou Caiyun , Yang Yanpu , Huo Li et al. . 40Gb/s all 2optical
3R regeneration [J].Chinese J . Lasers , 2005, 32(11) :1467～1471 娄采云, 杨彦甫, 霍 力等. 40Gb/s 信号的全光3R 再生[J].
中国激光. 2005, 32(11) :1467～14712 Liu Y ongjun , Xuan Li , Hu Lifa et al. . Investigation on t he
liquid crystal spatial light modulator wit h high precision and pure phase [J].Acta Optica S inica , 2005, 25(12) :1682～1686 刘永军, 宣 丽, 胡立发等. 高精度纯相位液晶空间光调制器
的研究[J].光学学报, 2005, 25(12) :1682～1686
3 Yang Yanfang , Y in Jie , Cao Zhuangqi et al. . Simultaneous
modulation of different 2channel light based on single 2channel electrooptic modulator [J].Optica S inica , 2006, 26(12) :1777～1780 , 印 杰, . , 2006, 26(12) :4, , I. K otaka et al. . 20Gbit/s , 1. 55μm
MQW modulator integrated DFB laser [J].Elect ron. Lett. , 1994, 30(4) :302～3035 Liu Guoli , Wang Wei , Zhang Jingyuan et al. . Wavelengt h
tunable single ridge waveguide electroabsorption modulated DFB laser [J].Chinese J . L asers , 2001, A28(12) :1057～1060 刘国利, 王 圩, 张静媛等. 单脊条形可调谐电吸收调制DFB
激光器[J].中国激光, 2001, A28(12) :1057～1060
6 Hidekaze Kawanishi , Y oshinori Yamauchi , Naoyuki Mineo et
al. . Over 2402GHz modulation bandwidt h of EAM 2integrated DFB laser modules [C ].Optical Fiber Communication Conference , OFC2001, Anacheim , California , USA , Paper MJ 321～MJ 3237 Liu Yu , Xie Liang , Yuan Haiqing et al. . Microwave packaging for 10Gb/s EML modulators [J].Chinese J . L asers , 2005, 32(11) :1495～1498 刘 宇, 谢 亮, 袁海庆等. 10Gb/s 电吸收调制器的微波封装
设计[J].中国激光, 2005, 32(11) :1495～14988 Chen Zhenyu , Wang Y oulin , Zhu Ninghua. The extended OSL
met hod for calibrating t he two 2port microwave test fixtures [J].Acta Elect ronica S inica , 2002, 30(11) :1711～1714 陈振宇, 王幼林, 祝宁华. 扩展OSL 方法校准微波双口测试夹
具[J].电子学报, 2002, 30(11) :1711～17149 Ninghua Zhu , Jimin Wen , Haisheng San et al. . Improved
optical heterodyne met hods for measuring frequency responses of photodetectors [J].I E E E J . Quant um Elect ron. , 2006, 42(3) :241～248
10 Richard T. Webster , Andrew J. Slobodnik , George A.
Robert s. Determination of InP H EM T noise parameters and S 2parameters to 60GHz [J ].I E E E T rans. Microw. Theory Technol. , 1995, 43(6) :1216～1225
11 Zhenyu Chen , Y oulin Wang , Yu Liu et al. . Two 2port
calibration of test fixtures wit h different test port s [J ].Microw. Opt. Technol. Lett. , 2002, 35(4) :299～302
12 W. W. Feng , N. H. Zhu. Analysis of chirp characteristics of
DFB lasers and integrated laser 2modulators [J].Opt. Quant um Elect ron. , 2005, 37(14) :1237～124513 Muhammed Al 2Mumayiz. Microwave interactions of laser
diodes and modulators [C ].London Communications Symposium , 2002
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October , 2007
文章编号:025827025(2007) 1021427204
电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
侯广辉, 温继敏, 黄亨沛, 王 欣, 刘 宇, 谢 亮, 祝宁华
(中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京100083)
摘要 提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML ) 集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上, 同时采用光探测器作为光电转换器, 二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线, 使用微波探针作为测试夹具加载信号, 另一端是同轴线, 两个测试端口不同, 。测试过程中采用扩展的开路2短路2负载(OSL ) , 扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响, 影响, 得到集成光源散射参数的精确测试结果。关键词 光电子学; 电吸收调制器; 测试; 散射参量中图分类号 TN 248. 4 文献标识码A
High Measurement of Electroabsorption
Integrated Distributed 2Feedback Laser Module
HOU Guang 2hui , WEN Ji 2min , HUAN G Heng 2pei , WAN G Xin , L IU Yu , XIE Liang , ZHU Ning 2hua
(S tate Key L aboratory on I nteg rated O ptoelect ronics , I nstitute of S emiconductors ,
T he Chinese A cadem y of S ciences , B ei j ing 100083, China )
Abstract A method of accurately measuring the high f requency characterization of an electroabsorption modulated integrated distributed feedback (DFB ) electroabsorption modulator laser (EML ) is presented. The integrated device under test is mounted on the ground electrode of an AlN submount with micro bonding wire , which has coplanar electrodes with a gap of 50μm to load the microwave signals. A high speed photodetector is used as the photoelectro converter. The two instruments consist of a two 2port network. One port of the network under test is a coplanar electrode with a microwave probe to load signals , the other port is a coaxial line , and thus the two test ports are different , so the network can not be calibrated just with the coaxial calibration method. The microwave test fixtures 2microwave probe is calibrated by use of the extended open 2short 2load (OSL ) method , and the effects of microwave probe on high frequency characteristic of integrated laser are subtracted. Meanwhile , the f requency response of the high speed photodetector is also subtracted by the improved optical heterodyne method and the accurate scattering parameters measurement results of the integrated device are obtained. K ey w ords optoelectronic ; electroabsorption modulator ; measurement ; scattering parameter
1 引 言
电吸收调制激光器(EML ) 作为一种稳定可靠的光源在长距离高速光纤传输系统中发挥着重要的
收稿日期:2006211217; 收到修改稿日期:2007204202
作用[1～3]。这种集成光源的突出优点是使用外调制
技术, 避免了高速调制时激光器中光子与电子之间的相互作用, 减小了直接调制引起的较大啁啾。集成光源还具有体积小、耦合效率高等优点, 目前, 此
基金项目:国家自然科学基金(60510173,60536010,90401025) 资助项目。
) , 男, 河北人, 硕士研究生, 主要从事光电子器件高频特性方面的研究。 作者简介:侯广辉(1981—E 2mail :[email protected]. cn
) , 男, 贵州人, 研究员, 博士生导师, 目前研究方向为微波光电子器件的封装与测试。 导师简介:祝宁华(1959—E 2mail :[email protected]. cn (通信作者)
中 国 激 光 34卷
类器件实用化产品的调制带宽已经达到20GHz 以上[4～7]。
对于电吸收调制激光器集成芯片高频特性的测试, 普遍采用微波矢量网络分析仪(VNA ) 进行, 然而, 在网络分析仪的测试夹具校准过程中, 测试夹具的双口校准至少需要一个传输参数不为零的已知双口网络作为标准, 如t hru 或line 标准。当两个测试端口相同时, 这类传输标准容易得到, 而且标准的精度也较高。然而实际上, 在测试电吸收调制激光器集成芯片的高频反射和传输特性时, 两个测试端口是不同的, 被测双口网络的一端是同轴线, 而另一端是共面线, 此时需要用微波探针来连接集成光源中的调制器部分, 调制器模块的输入端为共面微带线, 输出射频信号, 探测器的输出端是Sub 2A (SMA ) 同轴接头, 因此, , , 会, 对集成光源的高频特性的精确性产生影响[8]; 同时, 由于实验中使用的光探测器同样是高频响应器件, 在精确测试电吸收调制激光器集成光源的高频特性的时候也会对测量结果产生影响, 这部分影响也应该扣除。本文采用扩展的开路2短路2负载(OSL ) 方法对电吸收调制激光器的测试夹具进行了校准, 这种方法扣除了测试中使用的微波探针的影响, 同时采用光外差的方法扣除了实验用高频响应器件光探测器的影响, 可以得到精确的测试结果。
图1制作在热沉上的集成芯片的结构示意图
Fig. 1Schematic configuration of the integrated device
chip on 3. 5, 应用短路2开路2
2通(法, 在50M Hz ～H P8720D 矢量网络
, 将测试参考面校准到两根电的同轴端口, 网络分析仪的输出电功率为-5dBm 。在测试中, 使用一台光探测器作为实验用的光电转换器, 探测器使用光外差方法校准[9], 测试中探测器引起的误差可以通过校准扣除。
测试中首先将ACP402SG 2200微波探针压在电吸收调制器端加载高频信号和反向偏压, 另外将ACP402GS 2200微波探针压在分布反馈激光器端加
载偏置电流, 测试电吸收调制器的反射参数S 11和传输参数S 21, 这时, 需要对探针进行校准, 把探针的影响排除, 校准后测试参考面就移动到了探针的尖端上。采用开路2短路2负载单端校准方法[10]和扩展开路2短路2负载方法[11]就可以确定探针的散射参数。
设三个已知标准———开路、短路、负载的反射系数为Γi (i =O , S ,L ) , 测试夹具微波探针的散射参数S 为S F , 在网络分析仪测试端口得到的反射参数为ΓMi , 于是有关系式[10]
ΓMi =S F11+,
1-S F22Γi
(1)
2 实 验
实验用的电吸收调制激光器集成芯片制作在设计好的AlN 材料的热沉上, 热沉上镀有共面电极, 电极间的缝隙为50μm 。用金丝将激光器和调制器的顶部焊盘和热沉上的信号电极连接起来用以加载微波信号和偏置电信号, 如图1所示。端口1是电吸收(EA ) 调制器的共面微带线, 其共面电极之间并联了50Ω薄膜匹配电阻; 端口2是电吸收调制器的光输出端口。
实验中使用的集成芯片是1. 55μm 电吸收调制器集成分布反馈(DFB ) 激光器芯片, 其中激光器的阈值电流大约16mA 。测试用的微波探针由Cascade Microtech 公司生产。测试中, 选择H P8720D 矢量网络分析仪对样品进行测试,
使用
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式中下标M 为测量得到的反射系数, 下标F 为微波探针, i 为O , S ,L 采用的终端接标准开路、短路和负载。将标准开路、短路、负载的反射系数ΓO =1, ΓS =-1, ΓL =0代入(1) 式, 可以得到S F11=ΓM L ,
S F22=
(2) (3)
Γ,
ΓM O -ΓM S
S F21S F12=S F11S F22+
Γ。
ΓM O -ΓM S
(4)
对电吸收调制激光器进行测试的结果中包含探
10期 侯广辉等:电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
针的影响, 利用上面校准得到的探针的数据, 通过级连网络变换矩阵运算可以扣除探针的影响
S D11=S D21=
,
S P12S P21+S P11(S P22+S M 11) S P12S P21
,
+S P11(S P22+S M 11)
(5) (6)
式中D 为扣除探针的影响后被测器件的结果, 校准后的结果更加精确。图2为测试装置示意图
。
图2Fig. 2setup
3 测试结果
图3所示为通过光外差法得到的实验用光探测器的频率响应, 测试结果扣除掉微波探针的影响和探测器的响应, 就可以得到准确的电吸收调制器的反射参数和传输参数, 如图4和图5所示。图4(a ) 为集成器件偏置电流为60mA , 反向偏压为0. 5V 时电吸收调制器的反射参数的史密斯(Smit h ) 圆图; (b ) 和(c ) 分别显示了不同偏流和不同偏压下电吸收
调制器的反射参数的幅度变化; 图5(a ) 和(b ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收调制器的传输参数的幅度变化示意图。
从图4(b ) 中可以看出, 随着激光器注入电流的变化, 电吸收调制器的反射参数S 11
的幅度有很大
图4扣除掉微波探针的影响后得到的集成器件的
反射参数
(a ) 集成器件偏置电流为60mA , 反向偏压为0. 5V 时的反射参
数; (b ) 和(c ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收调制器的反射 参数的幅度变化
Fig. 4Measured reflection coefficient of the EML after
substraction of the effect of the microwave probe
at different bias condition
(a ) 60mA bias current and 0. 5V reverse bias voltage ; (b ) 0. 5V reverse bias voltage and different bias current ; (c ) 40mA
bias current and different bias voltage
图3探测器的高频响应
Fig. 3Frequency responses of the photodetector
变化, 这是因为, S 11表示的不仅是电吸收调制器的阻抗, 还包括匹配电阻的阻抗, 事实上, 由于激光器和调制器之间存在耦合作用[12, 13], S 11表示的是整个集成器件的阻抗。图4(c ) 则表明S 11的幅度随电吸收调制器反向偏压的变化较小, 这说明集成器件
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参考文献
图5(a ) 和(b ) 分别为不同偏流和不同偏压下电吸收
调制器的频率响应的幅度变化
Fig. 5Measured transmission parameter of the EML
after substraction of the effect of both the microwave
probe
and
the
photodetector
at
different bias condition
(a ) 0. 5V reverse bias voltage and different bias current ;
(b ) 40mA bias current and different bias voltage
间的耦合作用对器件的阻抗特性有着更大的影响。
从图5(b ) 所示集成器件的频率响应曲线中, 可以看到, 随着调制器反向偏压V EA 的增加, 调制器对注入其中的光子的吸收大大加强, 使得器件频率响应曲线的相对幅度下降, 当V EA 增大到-1V 时, 测量噪声对频率响应的测试起了很大的干扰作用。
4 结 论
对制作在设计好的AlN 热沉上的电吸收调制激光器集成芯片的高频特性进行了测试, 测试中分别采用光外差方法和扩展的开路2短路2负载方法对探测器和集成光源的测试夹具进行校准, 这种方法同时扣除了测试中使用的微波探针和光电探测器的高频影响, 得到了精确的测试结果。
1 Lou Caiyun , Yang Yanpu , Huo Li et al. . 40Gb/s all 2optical
3R regeneration [J].Chinese J . Lasers , 2005, 32(11) :1467～1471 娄采云, 杨彦甫, 霍 力等. 40Gb/s 信号的全光3R 再生[J].
中国激光. 2005, 32(11) :1467～14712 Liu Y ongjun , Xuan Li , Hu Lifa et al. . Investigation on t he
liquid crystal spatial light modulator wit h high precision and pure phase [J].Acta Optica S inica , 2005, 25(12) :1682～1686 刘永军, 宣 丽, 胡立发等. 高精度纯相位液晶空间光调制器
的研究[J].光学学报, 2005, 25(12) :1682～1686
3 Yang Yanfang , Y in Jie , Cao Zhuangqi et al. . Simultaneous
modulation of different 2channel light based on single 2channel electrooptic modulator [J].Optica S inica , 2006, 26(12) :1777～1780 , 印 杰, . , 2006, 26(12) :4, , I. K otaka et al. . 20Gbit/s , 1. 55μm
MQW modulator integrated DFB laser [J].Elect ron. Lett. , 1994, 30(4) :302～3035 Liu Guoli , Wang Wei , Zhang Jingyuan et al. . Wavelengt h
tunable single ridge waveguide electroabsorption modulated DFB laser [J].Chinese J . L asers , 2001, A28(12) :1057～1060 刘国利, 王 圩, 张静媛等. 单脊条形可调谐电吸收调制DFB
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