Sanjing ElectronicsSJ8430 红外接收模块
概述
SJ8430 是用于红外遥控系统的一体化接收模块,内置PIN光敏二极管和前置放大器IC,实现红外遥控信号的拾取、放大和解调,检波输出信号可以直接由微处理器解码。
SJ8430 采用可滤除可见光干扰的环氧树脂封装,不易受环境光干扰,并能够抑制非控制信号的脉冲输出。
主要特点
* 内置光敏二极管和前置放大器 * 抗光抗电磁波干扰 * 内置PCM频率滤波器 * 无需外围元器件 * 输出低电平有效 * 低功率消耗
应用
* 各种红外遥控系统,VCD、DVD、VCR、空调等等
■内部框图
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
1
Sanjing ElectronicsSJ8430 测 试 条 件
参 数 范 围
单 位
■极限参数 (除非特别指定,Tamb=25°C)
参 数
工作电压 工作电流 输出电压 工作温度 贮存温度 功率消耗 焊接温度
符 号 VCC ICC Vo
管脚2 管脚2 管脚1
-10~+75 -25~+85 260
°C °C °C
输出电流管脚Tsd
t≤10s,离壳体1毫米
amb≤85°注:在使用中,如超出上述的极限参数值,将导致器件的损坏。
■电气参数(除非特别指定,否则Tamb=25°C ,VCC=5.0V)
参 数 工作电压 工作电流
VCC ICC IIN=0 tPW1
输出脉冲宽度
fin=f0, 输入脉冲波
Vin=500 μVp-p ,注1
fin=f0, 输入脉冲波
tPW2
Vin=500mVp-p ,注1 VOL VOH
EV=200±50Lx,测试信
接收距离
d
号见图4,红外二极管SED112,IF=400mA
2
脉冲持续时间:tpi-5/fo
mW/mEemin 辐射功率(56kHz)
见图4
测 试 条 件 最小值 典型值
单位
μs μs
VCC-0.3VCC18
低电平输出电压 高电平输出电压
辐射功率 入射角度 响应峰值波长 中心频率 (B.P.F)
Eemax
ϕ1/2 半程接收距离 λp
mW/m-- --
2
±37.9
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
2
Sanjing ElectronicsSJ8430
■典型电气特性曲线 (除非特别指定, Tamb = 25°C)
图1. 典型带通曲线 图2. 中心频率 vs 温度
图3. 相对频谱灵敏度 vs 波长
S(λ)rel - Relative Spe
ctral Sensitivity
1.21.00.8
图 4.输出功能
0.60.40.20750
V*tpi≥ 10/fo is recommended for optimal function
8509501050
1150
Vλ - Wavelength (nm)
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
3
Sanjing ElectronicsSJ8430
30°
图 5. 入射角度 vs 接收距离
0°
10°
20°
1.00.90.8
40
°
50°60°
0.7
70°80°
0.6
0.4
0.2
■测试方法
A.
标准发射器
B.
接收距离、入射角度测试
图8
注:1. 发射器和红外接收模块之间的最大接收距离,是对于标准发射器而言,测试条件如下:
(1) 测量位置
……….室内,没有太多干扰光
(2) 周围光源…......... 普通荧光灯下测试;待测器件表面照度在200±50Lux之内。 (3) 标准发射………. 标准发射器所发射的脉冲串为50mVp-p。
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
4
C.脉冲宽度测试
Sanjing ElectronicsSJ8430 DUT图9
■典型应用电路图
*)在需要抑制电源干扰的场合使用,推荐≥4.7uF,如果不使用将影响产品性能. **) 允许工作电压范围:2.7V
■可靠性测试
测试项目 高温储存 高温高湿储存 低温储存 温度循环 耐焊接热 跌落试验
测 试 条 件
Tamb=+85°
C t=500H Tamb=+85℃, 85%RH t=500H Tamb=-25°C t=500H -20℃(0.5H)~+75℃(0.5H) 20循环 Tamb=260°C 10±1秒, 1次,距封装体1mm 待测器件从75cm高度自然的下落在硬木板上,三次
标 准 注 1 注 1 注 1 注 1 注 1 注 2
注: 1. 在正常温度下放置2小时后仍满足电气参数。
2. 没有外观变形(管脚变形除外),且仍满足电气参
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
5
Sanjing ElectronicsSJ8430
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
6
Sanjing Electronics
SJ8430
■材料构成表
部件名称
材料
重量 (mg/单位)
材料构成
材料构成比例
放大芯片 掺杂硅 3.0
Si
微量SiO2,Al,Al3N4
99.9%
光敏二极管 掺杂硅 3.8
Si
微量As,Al,Ni,Ti
99.9%
Fe
引线框架
铁
160
Cu 微量Ni,Ag,Zn,P
封装体
环氧树脂
环氧树脂 Ag
导电胶
银浆
0.1
树脂 固化剂 微量Cl,Na,K
98.8% 1.1% 100% 80% 10% 9.9%
200
金丝 金 0.05
Au 微量Be,Mg
99.99%
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概述
SJ8430 是用于红外遥控系统的一体化接收模块,内置PIN光敏二极管和前置放大器IC,实现红外遥控信号的拾取、放大和解调,检波输出信号可以直接由微处理器解码。
SJ8430 采用可滤除可见光干扰的环氧树脂封装,不易受环境光干扰,并能够抑制非控制信号的脉冲输出。
主要特点
* 内置光敏二极管和前置放大器 * 抗光抗电磁波干扰 * 内置PCM频率滤波器 * 无需外围元器件 * 输出低电平有效 * 低功率消耗
应用
* 各种红外遥控系统,VCD、DVD、VCR、空调等等
■内部框图
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
1
Sanjing ElectronicsSJ8430 测 试 条 件
参 数 范 围
单 位
■极限参数 (除非特别指定,Tamb=25°C)
参 数
工作电压 工作电流 输出电压 工作温度 贮存温度 功率消耗 焊接温度
符 号 VCC ICC Vo
管脚2 管脚2 管脚1
-10~+75 -25~+85 260
°C °C °C
输出电流管脚Tsd
t≤10s,离壳体1毫米
amb≤85°注:在使用中,如超出上述的极限参数值,将导致器件的损坏。
■电气参数(除非特别指定,否则Tamb=25°C ,VCC=5.0V)
参 数 工作电压 工作电流
VCC ICC IIN=0 tPW1
输出脉冲宽度
fin=f0, 输入脉冲波
Vin=500 μVp-p ,注1
fin=f0, 输入脉冲波
tPW2
Vin=500mVp-p ,注1 VOL VOH
EV=200±50Lx,测试信
接收距离
d
号见图4,红外二极管SED112,IF=400mA
2
脉冲持续时间:tpi-5/fo
mW/mEemin 辐射功率(56kHz)
见图4
测 试 条 件 最小值 典型值
单位
μs μs
VCC-0.3VCC18
低电平输出电压 高电平输出电压
辐射功率 入射角度 响应峰值波长 中心频率 (B.P.F)
Eemax
ϕ1/2 半程接收距离 λp
mW/m-- --
2
±37.9
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2
Sanjing ElectronicsSJ8430
■典型电气特性曲线 (除非特别指定, Tamb = 25°C)
图1. 典型带通曲线 图2. 中心频率 vs 温度
图3. 相对频谱灵敏度 vs 波长
S(λ)rel - Relative Spe
ctral Sensitivity
1.21.00.8
图 4.输出功能
0.60.40.20750
V*tpi≥ 10/fo is recommended for optimal function
8509501050
1150
Vλ - Wavelength (nm)
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
3
Sanjing ElectronicsSJ8430
30°
图 5. 入射角度 vs 接收距离
0°
10°
20°
1.00.90.8
40
°
50°60°
0.7
70°80°
0.6
0.4
0.2
■测试方法
A.
标准发射器
B.
接收距离、入射角度测试
图8
注:1. 发射器和红外接收模块之间的最大接收距离,是对于标准发射器而言,测试条件如下:
(1) 测量位置
……….室内,没有太多干扰光
(2) 周围光源…......... 普通荧光灯下测试;待测器件表面照度在200±50Lux之内。 (3) 标准发射………. 标准发射器所发射的脉冲串为50mVp-p。
SHENZHEN SANJING ELECTRONICS CO.,LTD.
4
C.脉冲宽度测试
Sanjing ElectronicsSJ8430 DUT图9
■典型应用电路图
*)在需要抑制电源干扰的场合使用,推荐≥4.7uF,如果不使用将影响产品性能. **) 允许工作电压范围:2.7V
■可靠性测试
测试项目 高温储存 高温高湿储存 低温储存 温度循环 耐焊接热 跌落试验
测 试 条 件
Tamb=+85°
C t=500H Tamb=+85℃, 85%RH t=500H Tamb=-25°C t=500H -20℃(0.5H)~+75℃(0.5H) 20循环 Tamb=260°C 10±1秒, 1次,距封装体1mm 待测器件从75cm高度自然的下落在硬木板上,三次
标 准 注 1 注 1 注 1 注 1 注 1 注 2
注: 1. 在正常温度下放置2小时后仍满足电气参数。
2. 没有外观变形(管脚变形除外),且仍满足电气参
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6
Sanjing Electronics
SJ8430
■材料构成表
部件名称
材料
重量 (mg/单位)
材料构成
材料构成比例
放大芯片 掺杂硅 3.0
Si
微量SiO2,Al,Al3N4
99.9%
光敏二极管 掺杂硅 3.8
Si
微量As,Al,Ni,Ti
99.9%
Fe
引线框架
铁
160
Cu 微量Ni,Ag,Zn,P
封装体
环氧树脂
环氧树脂 Ag
导电胶
银浆
0.1
树脂 固化剂 微量Cl,Na,K
98.8% 1.1% 100% 80% 10% 9.9%
200
金丝 金 0.05
Au 微量Be,Mg
99.99%
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