IGBT元件能做到把BJT和MOSFET的优点集中于一体。
(1)与BJT相比开关时间短，开关频率高，但比MOSFET低。
(2)导通电压比MOSFET低，相同导通电压其电流密度比MOSFET高3倍，比BJT高1.5 倍。
(3)控制极用电压控制，驱动功率小，线路简单.
(4)通态损耗比MOSFET小.
(5)安全工作范围大，负载短路瞬时功率破坏耐量比BJT好，没有二次击穿现象。
(6)器件容易并联运行。饱和压降在小电流范围其温度系数为负，大电流范围其温度系数为正。
1.8.3 IGBT定额值的选择和使用
1.电压
交流输入电压(V) 器件电压定额(V)
220 600
380 1200
575 1400
690 1700
2.电流
(1-30)
式中 2—考虑过载系数；
1.2—考虑咏动系数。
3.在选择器件定额时下面的几点经验可供参考
(1)电压定额使用值 在最恶劣条件下（包括浪涌电压），电压使用值为定额的80%或更小，
(2)电流定额使用值 在最恶劣条件下(包括浪涌电流）电流使用值通常为定额值的80%或更小。
(3)功率损耗定额使用值 在最劣的条件下(包括浪涌或环境温度），功率损耗使用值为最大定额的50%或更小。
(4)结温定额使用值 在器件工作期间，除了非正常情况外，器件结温的使用值通常为最大定额的70%?80%或更小。
(5)对于要求高可靠性的应用场合器件的实际使用值仅为定额值的1/3~1/4。
4.IGBT并联使用IGBT导通电阻具有正温度系数，因此容易进行并联运行，但也要考虑其静态、动态电流均匀分配。造成电流不均勻因素有：
1)开通特性不一致。
2)关断特性不一致。
3)阀值电压不一致。
4)电路布线欠考虑，诸如主电路布线不对称，驱动电路引线不一致，回路电感不一致，栅极不能直接并联，容易引起栅一射电压振荡等。
5)饱和压降不一致。
6)器件的温度特性不一致等。
上一篇：IGBT的工作原理和特性
下一篇：IGBT绝缘栅双极性晶体管的改进和发展
IGBT元件能做到把BJT和MOSFET的优点集中于一体。
(1)与BJT相比开关时间短，开关频率高，但比MOSFET低。
(2)导通电压比MOSFET低，相同导通电压其电流密度比MOSFET高3倍，比BJT高1.5 倍。
(3)控制极用电压控制，驱动功率小，线路简单.
(4)通态损耗比MOSFET小.
(5)安全工作范围大，负载短路瞬时功率破坏耐量比BJT好，没有二次击穿现象。
(6)器件容易并联运行。饱和压降在小电流范围其温度系数为负，大电流范围其温度系数为正。
1.8.3 IGBT定额值的选择和使用
1.电压
交流输入电压(V) 器件电压定额(V)
220 600
380 1200
575 1400
690 1700
2.电流
(1-30)
式中 2—考虑过载系数；
1.2—考虑咏动系数。
3.在选择器件定额时下面的几点经验可供参考
(1)电压定额使用值 在最恶劣条件下（包括浪涌电压），电压使用值为定额的80%或更小，
(2)电流定额使用值 在最恶劣条件下(包括浪涌电流）电流使用值通常为定额值的80%或更小。
(3)功率损耗定额使用值 在最劣的条件下(包括浪涌或环境温度），功率损耗使用值为最大定额的50%或更小。
(4)结温定额使用值 在器件工作期间，除了非正常情况外，器件结温的使用值通常为最大定额的70%?80%或更小。
(5)对于要求高可靠性的应用场合器件的实际使用值仅为定额值的1/3~1/4。
4.IGBT并联使用IGBT导通电阻具有正温度系数，因此容易进行并联运行，但也要考虑其静态、动态电流均匀分配。造成电流不均勻因素有：
1)开通特性不一致。
2)关断特性不一致。
3)阀值电压不一致。
4)电路布线欠考虑，诸如主电路布线不对称，驱动电路引线不一致，回路电感不一致，栅极不能直接并联，容易引起栅一射电压振荡等。
5)饱和压降不一致。
6)器件的温度特性不一致等。
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