随着电子产品快速向高性能化、轻薄化发展,电子变压器和电感器技术升级是下游客户的诉求,也是企业长期发展的根基。而技术升级和成本降低离不开磁性材料的创新,更需要对磁性材料进行优化利用。
1锰锌铁氧体材料
由于铁氧体的电阻率比金属、合金磁性材料大得多,而且还有较高的介电性能,同时铁氧体的磁性能还表现在高频时具有较高的磁导率,因此,铁氧体已成为高频弱电领域用途广泛的非金属磁性材料。但是在高频条件下,涡流损耗和剩余损耗所占比例较大,这是阻碍铁氧体材料应用到更高频率范围的关键因素之一。
2FeSiCr软磁合金粉末
FeSiCr合金粉具有较高的饱和磁感强度、使用频率范围内高磁导率、价格便宜等优势,与其他软磁材料比较,在应用端容易取得较好的综合性能。
FeSi合金的间隙固溶体比较靠近Si和Fe原子,因此会减小单位体积内的Si原子。而Cr原子的掺杂又不利于有序相D03的形成,会降低磁性能。因此FeSi6.5的优势是合金电阻率高,饱和磁致伸缩系数很低,缺点是D03相很硬,不易压制。研究表明,Si元素的添加可以降低Fe矫顽力,而Cr则会增加矫顽力。Cr元素的添加不会影响FeSi软磁的频率稳定性。
总结Cr元素添加的优点,一是提高防锈性,二是能够改善FeSi合金粉末的加工型(塑形和延展性)。
3高频铁硅铝材料
随着新型的GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)半导体材料运用,使得电路工作频率 >1MHz 得以实现,我们需要更高的开关频率,以达到小型化、降低成本、提高效率的目的。
高频铁硅铝材料满足以下特性:
① 高频范围 = 500kHz – 100MHz;
② 高饱和磁通密度 (Bsat) 避免大电流偏置时饱和;
③ 低磁导率——迫使增加圈数降低交流磁通密度;
④ 小气隙或者没有离散气隙——减少边缘效应;
⑤ 单层线圈绕组——降低临近效应损耗;
⑥ 低磁芯损耗 (涡流);
⑦ 良好的线性关系 电感 Vs 频率/功率。
新能源磁元件设计及发展方向
随着电子变压器、电感器在传统应用领域的逐渐饱和,LED照明、EV/HEV、充电桩等新能源领域正在逐渐成为行业新的投资方向,而作为配套产品的磁元件也将迎来新的蓝海。
尽管时代在不断变革,电力电子技术从过去的功能性需求转变为现在的成本性需求,但磁元件设计的永恒方向仍然是“高频化”。而要实现这一技术方向,其根本在于“材料改性”、“材料创新”和“工艺创新”三个方面。
在工艺创新方面,目前磁元件行业最前沿的技术有磁集成技术、混合磁路技术、L-I Trimming技术、Spike Blocker技术、静音技术、超大型磁粉芯技术、大功率立绕工艺等。
来源:互联网,电子材料圈编辑整理。
随着电子产品快速向高性能化、轻薄化发展,电子变压器和电感器技术升级是下游客户的诉求,也是企业长期发展的根基。而技术升级和成本降低离不开磁性材料的创新,更需要对磁性材料进行优化利用。
1锰锌铁氧体材料
由于铁氧体的电阻率比金属、合金磁性材料大得多,而且还有较高的介电性能,同时铁氧体的磁性能还表现在高频时具有较高的磁导率,因此,铁氧体已成为高频弱电领域用途广泛的非金属磁性材料。但是在高频条件下,涡流损耗和剩余损耗所占比例较大,这是阻碍铁氧体材料应用到更高频率范围的关键因素之一。
2FeSiCr软磁合金粉末
FeSiCr合金粉具有较高的饱和磁感强度、使用频率范围内高磁导率、价格便宜等优势,与其他软磁材料比较,在应用端容易取得较好的综合性能。
FeSi合金的间隙固溶体比较靠近Si和Fe原子,因此会减小单位体积内的Si原子。而Cr原子的掺杂又不利于有序相D03的形成,会降低磁性能。因此FeSi6.5的优势是合金电阻率高,饱和磁致伸缩系数很低,缺点是D03相很硬,不易压制。研究表明,Si元素的添加可以降低Fe矫顽力,而Cr则会增加矫顽力。Cr元素的添加不会影响FeSi软磁的频率稳定性。
总结Cr元素添加的优点,一是提高防锈性,二是能够改善FeSi合金粉末的加工型(塑形和延展性)。
3高频铁硅铝材料
随着新型的GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)半导体材料运用,使得电路工作频率 >1MHz 得以实现,我们需要更高的开关频率,以达到小型化、降低成本、提高效率的目的。
高频铁硅铝材料满足以下特性:
① 高频范围 = 500kHz – 100MHz;
② 高饱和磁通密度 (Bsat) 避免大电流偏置时饱和;
③ 低磁导率——迫使增加圈数降低交流磁通密度;
④ 小气隙或者没有离散气隙——减少边缘效应;
⑤ 单层线圈绕组——降低临近效应损耗;
⑥ 低磁芯损耗 (涡流);
⑦ 良好的线性关系 电感 Vs 频率/功率。
新能源磁元件设计及发展方向
随着电子变压器、电感器在传统应用领域的逐渐饱和,LED照明、EV/HEV、充电桩等新能源领域正在逐渐成为行业新的投资方向,而作为配套产品的磁元件也将迎来新的蓝海。
尽管时代在不断变革,电力电子技术从过去的功能性需求转变为现在的成本性需求,但磁元件设计的永恒方向仍然是“高频化”。而要实现这一技术方向,其根本在于“材料改性”、“材料创新”和“工艺创新”三个方面。
在工艺创新方面,目前磁元件行业最前沿的技术有磁集成技术、混合磁路技术、L-I Trimming技术、Spike Blocker技术、静音技术、超大型磁粉芯技术、大功率立绕工艺等。
来源:互联网,电子材料圈编辑整理。