双向可控硅mA级Ⅲ-
(包括版面2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9) 1. 选用N型单晶片，晶向面，片厚240-250μm，电阻率：45-48,48-52.晶圆直径100mm+0.3mm。 2. 激光打标。
（1） 格式：版面积 批号 片号
（2） 字体：字高：2mm，字间距80%，仿宋体。
（3） 要求：字体清晰，与定位面齐平，据定位面边缘1mm左右。 3. 氧化。 （1） 清洗
（2） 装舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。编号
从炉口到炉尾由大到小排列。
（3） 进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内，放在恒温区中间。 （4） 运行程序。
一次氧化
（5） 程序结束，出炉。将硅舟缓慢拉至炉口，冷却。放置在净化
操作台上。
（6） 检验。氧化层颜色的一致性，无氧化层发白，发花现象，表
面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2层膜厚，厚度在1.6μm以上。做好记录。
（7） 装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。 4.镓扩散 一、预扩
（1）装镓源。将镓源粉末放在承源器内，推入石英管内。 （2）装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上，定位面向上，每槽一片，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。 （3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区，盖紧帽子。
（4）气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接，观察鼓泡瓶内气泡是否正常。 （5）运行程序
恒温时间根据实际情况
（6）出炉。
（7）检验。取出调试片，用HF漂去氧化层后，测R口，在120-140Ωcm，如有不均匀，报告工艺员。 二、镓再扩
（1）装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口由大到小排列。
（2）进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内，盖上帽子。 （3）运行程序。
镓再扩
（4） 出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操
作台上。
（5） 检验。观察晶圆表面状态是否正常；取出调试片， 测结深
（29-31）和R口（250-300）； （6） 下片。将晶圆装入片盒内。 5.镓补硼扩散 一、硼预扩 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向
内，从炉尾到炉口编号由小到大。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （4）运行程序。
22（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。 （7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在30-35Ωcm范围内正常。如超出此范围报告工艺员。
（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：200S；注意表面滤水。 （9）冲水，甩干。 二、补硼再分布 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由大到小。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （4）运行程序。
（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。 （6）检验。①目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上；②测结深36-39μm ；③测R口：45-55ΩCM；④晶圆表面状态。
（7）下片。将晶圆装入片盒内。 6.光刻（浓硼区光刻）
（1） 匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；
先匀正面，烘5min，再匀背面。
（2） 检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （3） 前烘。温度：120℃；时间：25min
（4） 曝光。双面机，同时曝光，5S；用浓硼区光刻版。 （5） 显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （6） 检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （7） 坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（8） 腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；
时间：按实际情况而定；超声腐蚀。 （9） 去胶。硫酸去胶。
（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
7.浓硼区扩散 一、预扩
（1）检验。校对批号，型号，版面；目测晶圆表面状态。 （2）清洗
（3）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向
内，从炉尾到炉口编号由小到大。
（4）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （5）运行程序。
22（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。 （7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在3-4范围内正常。如超出此范围报告工艺员。 （8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：150-200S；注意表面滤水。 （9）冲水，甩干。 二、硼再分布 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面
向内，从炉尾到炉口编号由大到小。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅管内。盖上帽子。 （4）运行程序。
（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。 （6）检验。目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上； 晶圆表面状态。
（7）下片。将晶圆装入片盒内。 8.光刻阴极
(1)匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。
(2)检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 (3)前烘。温度：120℃；时间：25min
(4)曝光。单面机，两面逐一曝光，3S；用发射区光刻版。 (5)显影。显影定影液，时间：4*4分钟 (6)检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 (7)坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
(8)腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。
(9)去胶。硫酸去胶。
(10)检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。 9.磷扩散 （1）清洗处理：
（2）装舟。用磷扩石英舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，编号从进气口向出气口由大变小。前中后各放一个调试片。 （3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区。 （4）运行程序：
22，
（5）出炉。程序结束，将石英舟缓慢拉出，置于净化操作台。 （6）观察晶圆表面颜色是否正常，表面是否有腐蚀。取调试片测试R口：0.9-1.0ΩCM，记录。
（7）小样调试。每片架取一片，记录片号。 （7-1）清洗处理 （7-2）装舟。用硅舟，每槽一片，可直面向内，定位面向上，均匀分散装在两条舟上，编号从进气口向出气口由大变小。 （7-3）进炉。将硅舟缓慢推至恒温区。
（7-4）运行程序：
℃
700℃00℃
N22湿O2222
N2=4000ml/min O2=2000ml/min 湿O2=1500ml/min T、X根据实际调试结果而定
（7-5）出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉出，置于净化操作台。观察晶圆表面颜色是否正常。
（7-6）下传下道工序。流传至合金
（8）小样测试。小样到合金后，测试小样IGT1-4、VDRM、VRRM、VFGM等参数，看是否符合要求。
（9）如符合要求，则按第（6）条做整批；如不符合要求，则进行重新调试小样。
10.槽光刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。 （3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻7S；用槽光刻版；正反面逐一曝光。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。
（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
11.台面腐蚀
（1）来料检验：①版图是否正确；②氧化层是否腐净；③两面是否都有光刻胶；④有缺角的地方要用光刻胶保护。
（2）腐蚀液配比:HNO3:HF:HAC=10:3:1.5(现采购厂家配好的腐蚀液) （3）腐蚀液冷却：将腐蚀液冷却至4℃以下
（4）腐蚀： 20片一次，腐蚀时间根据不同版面而定（有统计表查询）。
（5）冲水。10min以上
（6）检验。①槽宽测量并记录（与标准对比）；②有角片的话，测量槽深70-75μm；③槽型笔直，无钻蚀 （7）甩干
（8）去胶。硫酸去胶，去胶彻底 （9）冲水。10min以上
（10）超声。将每个晶圆平铺在超声台底部，15min， （11）冲水，甩干
（12）检验。氧化层挂边去除彻底，表面氧化层完整，无残胶。
12.CVD（SIPOS）
（1）检验。批号，型号，版面；表面状态。 （2）清洗
（3）装舟。将晶圆装在SIPOS专用石英舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。前后至少各有5个挡片，空的槽内必须装满挡片。 （4）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在SIPOS炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。
（5）运行程序。检查每一步的动作是否正确，做好记录。 800℃
时间：40min 时间：4min
（6）出炉。将石英管缓慢拉至炉口，套上石英大象管，将石英舟缓
慢拉至石英大象管内，再将大象管和石英舟整体放置在净化操作台上冷却。
（7）检验。晶圆表面颜色（无发花、发白现象），测量sipos层的膜层厚度。（ ） 13．玻璃钝化
（1）来料检验：①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）玻璃粉配比：粘结剂:玻璃粉=1:2.5（重量比）；
其中粘结剂配比为乙基纤维素：丁基卡必醇=2:100（重量比） （3）清洗：
注：做sipos的晶圆，只需从2号液开始清洗。
（4）刮玻璃粉。与槽45°方向上玻璃粉，保证每个位置刮2次以上，注意晶圆表面不要划伤。先刮正面，在热板上烘2min，再刮背面。
（5）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。 （6）进炉：用10min将舟从炉口推至恒温区。
（7）烧出。恒温区450°，时间10min。N2：4/min;O2:1L/min。 （8）出炉。用10min将舟从恒温区拉至炉口，冷却10min
（9）擦玻璃粉。用硅橡胶擦去晶圆表面的玻璃粉。擦好一面，再擦另一面，注意表面玻璃粉擦拭彻底。 （10）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。 （11）进炉：用20min将舟从炉口推至恒温区。
（12）烧出。恒温区450°，时间15min。N2：4/min;O2:1L/min。 （13）出炉。用20min将舟从恒温区拉至炉口，冷却20min （14）重复5-13步。
（15）检验：①表面无成条或成块的玻璃粉残留。②显微镜下玻璃层晶莹光亮。③测电压符合要求，无软击穿。
14.CVD（LTO）
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）装舟。每槽一片，刻字面向内，定位面向上，每个笼舟两端各放一个挡片。
（3）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在LTO管炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。 （4）运行程序。
420℃
（5）出炉。
（6）检验。表面氧化层颜色均匀，颜色前中后一致；测量LTO层膜厚在2000-2500A。
15.光刻引线。
（1） 检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间8S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。 （3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min （5）曝光。单面机刻7S；用引线光刻版。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。①腐蚀LTO。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：100S；超声腐蚀。
②腐蚀SIPOS。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=12:1:1.腐蚀时间：50S-70S，腐蚀温度≦12℃。
③腐蚀SiO2。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：视虑水时间而定；超声腐蚀。
（10）去胶。硫酸去胶。
（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。 16.蒸铝
（1）检验。来料数量，版面，批号；表面情况。 （2）清洗
（3）装片：将干燥的晶圆装在行星盘上，置于红外灯下等待进炉。 （4）将行星盘装入蒸发台真空室内。 （5）运行程序。
（6）程序结束，将行星盘取出，将晶圆翻一面装于行星盘上，置于红外灯下等待。
（7）将行星盘装入蒸发台真空室内。 （8）运行程序。
（9）程序结束。将晶圆装于片盒内，小心铝层表面擦伤。 （10）检验。每次取一片测铝层厚度3.5-4.5μm。铝层颜色光亮，无发白发雾现象。是否存在铝层起泡，表面无划伤。
17.铝反刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：100胶；转速：1400转/min；时间：30S；先匀正面，烘5min，再匀背面。
（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻3S；用反刻光刻版，正反面逐一光刻。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。磷酸腐蚀，温度：68±2℃；时间：视具体情况而定；腐蚀时加入少量无水乙醇，并经常拎动片架，防止晶圆浮出片架。 （10）去胶。发烟硝酸去胶，新旧两个方缸各3min。 （11）冲水。及时将酸液冲洗彻底。
（12）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
18.合金
（1） 检验。来片的版面、数量、批号。逐片检验表面情况。 （2） 装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，方向一致。
（3） 进炉。炉温恒温在500℃，氮气3L/min，氧气2L/min。将硅舟
缓慢推入恒温区。带上硅帽。恒温20min。
（4） 出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操作台上冷却。 （5） 检验。①表面铝层颜色；②铝层是否起泡。 （6） 测试。
19.背金
（1） 检验。来片的版面、数量、批号。表面铝层颜色。 （2） 清洗
（3） 烘干。温度90-100℃，时间:30min。
（4） 装片。将背面向下装入行星盘，盖上后盖。置于红外灯下，等
待蒸发。
（5） 蒸发。将行星盘装入电子束蒸发台（背金），关门后，运行程序。
（注意蒸发过程中程序动作是否正确，过程中真空度情况，蒸发过程是否出现异常）
（13）下片。注意表面擦伤。
（14）检验。银表面颜色，正反面是否正确，金属厚度是否正确Ti：800A，Ni：4000A，Ag：10000A。
20.背金反刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。
（2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；只匀背面。
（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。
（4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻7S；用背金反刻光刻版。
（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟
（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。
（8）背面保护。用300胶涂正面，放日光灯下曝光至胶膜成金黄色。
（9）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（10）腐蚀。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=20:1:1；腐蚀温度：室温；时间：按实际情况而定。超声腐蚀。
（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。背面钝化槽内金属腐蚀彻底。
双向可控硅mA级Ⅲ-
(包括版面2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9) 1. 选用N型单晶片，晶向面，片厚240-250μm，电阻率：45-48,48-52.晶圆直径100mm+0.3mm。 2. 激光打标。
（1） 格式：版面积 批号 片号
（2） 字体：字高：2mm，字间距80%，仿宋体。
（3） 要求：字体清晰，与定位面齐平，据定位面边缘1mm左右。 3. 氧化。 （1） 清洗
（2） 装舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。编号
从炉口到炉尾由大到小排列。
（3） 进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内，放在恒温区中间。 （4） 运行程序。
一次氧化
（5） 程序结束，出炉。将硅舟缓慢拉至炉口，冷却。放置在净化
操作台上。
（6） 检验。氧化层颜色的一致性，无氧化层发白，发花现象，表
面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2层膜厚，厚度在1.6μm以上。做好记录。
（7） 装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。 4.镓扩散 一、预扩
（1）装镓源。将镓源粉末放在承源器内，推入石英管内。 （2）装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上，定位面向上，每槽一片，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。 （3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区，盖紧帽子。
（4）气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接，观察鼓泡瓶内气泡是否正常。 （5）运行程序
恒温时间根据实际情况
（6）出炉。
（7）检验。取出调试片，用HF漂去氧化层后，测R口，在120-140Ωcm，如有不均匀，报告工艺员。 二、镓再扩
（1）装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口由大到小排列。
（2）进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内，盖上帽子。 （3）运行程序。
镓再扩
（4） 出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操
作台上。
（5） 检验。观察晶圆表面状态是否正常；取出调试片， 测结深
（29-31）和R口（250-300）； （6） 下片。将晶圆装入片盒内。 5.镓补硼扩散 一、硼预扩 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向
内，从炉尾到炉口编号由小到大。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （4）运行程序。
22（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。 （7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在30-35Ωcm范围内正常。如超出此范围报告工艺员。
（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：200S；注意表面滤水。 （9）冲水，甩干。 二、补硼再分布 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由大到小。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （4）运行程序。
（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。 （6）检验。①目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上；②测结深36-39μm ；③测R口：45-55ΩCM；④晶圆表面状态。
（7）下片。将晶圆装入片盒内。 6.光刻（浓硼区光刻）
（1） 匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；
先匀正面，烘5min，再匀背面。
（2） 检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （3） 前烘。温度：120℃；时间：25min
（4） 曝光。双面机，同时曝光，5S；用浓硼区光刻版。 （5） 显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （6） 检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （7） 坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（8） 腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；
时间：按实际情况而定；超声腐蚀。 （9） 去胶。硫酸去胶。
（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
7.浓硼区扩散 一、预扩
（1）检验。校对批号，型号，版面；目测晶圆表面状态。 （2）清洗
（3）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向
内，从炉尾到炉口编号由小到大。
（4）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。 （5）运行程序。
22（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。 （7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在3-4范围内正常。如超出此范围报告工艺员。 （8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：150-200S；注意表面滤水。 （9）冲水，甩干。 二、硼再分布 （1）清洗
（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面
向内，从炉尾到炉口编号由大到小。
（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅管内。盖上帽子。 （4）运行程序。
（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。 （6）检验。目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上； 晶圆表面状态。
（7）下片。将晶圆装入片盒内。 8.光刻阴极
(1)匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。
(2)检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 (3)前烘。温度：120℃；时间：25min
(4)曝光。单面机，两面逐一曝光，3S；用发射区光刻版。 (5)显影。显影定影液，时间：4*4分钟 (6)检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 (7)坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
(8)腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。
(9)去胶。硫酸去胶。
(10)检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。 9.磷扩散 （1）清洗处理：
（2）装舟。用磷扩石英舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，编号从进气口向出气口由大变小。前中后各放一个调试片。 （3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区。 （4）运行程序：
22，
（5）出炉。程序结束，将石英舟缓慢拉出，置于净化操作台。 （6）观察晶圆表面颜色是否正常，表面是否有腐蚀。取调试片测试R口：0.9-1.0ΩCM，记录。
（7）小样调试。每片架取一片，记录片号。 （7-1）清洗处理 （7-2）装舟。用硅舟，每槽一片，可直面向内，定位面向上，均匀分散装在两条舟上，编号从进气口向出气口由大变小。 （7-3）进炉。将硅舟缓慢推至恒温区。
（7-4）运行程序：
℃
700℃00℃
N22湿O2222
N2=4000ml/min O2=2000ml/min 湿O2=1500ml/min T、X根据实际调试结果而定
（7-5）出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉出，置于净化操作台。观察晶圆表面颜色是否正常。
（7-6）下传下道工序。流传至合金
（8）小样测试。小样到合金后，测试小样IGT1-4、VDRM、VRRM、VFGM等参数，看是否符合要求。
（9）如符合要求，则按第（6）条做整批；如不符合要求，则进行重新调试小样。
10.槽光刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。 （3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻7S；用槽光刻版；正反面逐一曝光。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。
（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
11.台面腐蚀
（1）来料检验：①版图是否正确；②氧化层是否腐净；③两面是否都有光刻胶；④有缺角的地方要用光刻胶保护。
（2）腐蚀液配比:HNO3:HF:HAC=10:3:1.5(现采购厂家配好的腐蚀液) （3）腐蚀液冷却：将腐蚀液冷却至4℃以下
（4）腐蚀： 20片一次，腐蚀时间根据不同版面而定（有统计表查询）。
（5）冲水。10min以上
（6）检验。①槽宽测量并记录（与标准对比）；②有角片的话，测量槽深70-75μm；③槽型笔直，无钻蚀 （7）甩干
（8）去胶。硫酸去胶，去胶彻底 （9）冲水。10min以上
（10）超声。将每个晶圆平铺在超声台底部，15min， （11）冲水，甩干
（12）检验。氧化层挂边去除彻底，表面氧化层完整，无残胶。
12.CVD（SIPOS）
（1）检验。批号，型号，版面；表面状态。 （2）清洗
（3）装舟。将晶圆装在SIPOS专用石英舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。前后至少各有5个挡片，空的槽内必须装满挡片。 （4）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在SIPOS炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。
（5）运行程序。检查每一步的动作是否正确，做好记录。 800℃
时间：40min 时间：4min
（6）出炉。将石英管缓慢拉至炉口，套上石英大象管，将石英舟缓
慢拉至石英大象管内，再将大象管和石英舟整体放置在净化操作台上冷却。
（7）检验。晶圆表面颜色（无发花、发白现象），测量sipos层的膜层厚度。（ ） 13．玻璃钝化
（1）来料检验：①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）玻璃粉配比：粘结剂:玻璃粉=1:2.5（重量比）；
其中粘结剂配比为乙基纤维素：丁基卡必醇=2:100（重量比） （3）清洗：
注：做sipos的晶圆，只需从2号液开始清洗。
（4）刮玻璃粉。与槽45°方向上玻璃粉，保证每个位置刮2次以上，注意晶圆表面不要划伤。先刮正面，在热板上烘2min，再刮背面。
（5）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。 （6）进炉：用10min将舟从炉口推至恒温区。
（7）烧出。恒温区450°，时间10min。N2：4/min;O2:1L/min。 （8）出炉。用10min将舟从恒温区拉至炉口，冷却10min
（9）擦玻璃粉。用硅橡胶擦去晶圆表面的玻璃粉。擦好一面，再擦另一面，注意表面玻璃粉擦拭彻底。 （10）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。 （11）进炉：用20min将舟从炉口推至恒温区。
（12）烧出。恒温区450°，时间15min。N2：4/min;O2:1L/min。 （13）出炉。用20min将舟从恒温区拉至炉口，冷却20min （14）重复5-13步。
（15）检验：①表面无成条或成块的玻璃粉残留。②显微镜下玻璃层晶莹光亮。③测电压符合要求，无软击穿。
14.CVD（LTO）
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）装舟。每槽一片，刻字面向内，定位面向上，每个笼舟两端各放一个挡片。
（3）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在LTO管炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。 （4）运行程序。
420℃
（5）出炉。
（6）检验。表面氧化层颜色均匀，颜色前中后一致；测量LTO层膜厚在2000-2500A。
15.光刻引线。
（1） 检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间8S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。 （3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min （5）曝光。单面机刻7S；用引线光刻版。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。①腐蚀LTO。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：100S；超声腐蚀。
②腐蚀SIPOS。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=12:1:1.腐蚀时间：50S-70S，腐蚀温度≦12℃。
③腐蚀SiO2。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：视虑水时间而定；超声腐蚀。
（10）去胶。硫酸去胶。
（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。 16.蒸铝
（1）检验。来料数量，版面，批号；表面情况。 （2）清洗
（3）装片：将干燥的晶圆装在行星盘上，置于红外灯下等待进炉。 （4）将行星盘装入蒸发台真空室内。 （5）运行程序。
（6）程序结束，将行星盘取出，将晶圆翻一面装于行星盘上，置于红外灯下等待。
（7）将行星盘装入蒸发台真空室内。 （8）运行程序。
（9）程序结束。将晶圆装于片盒内，小心铝层表面擦伤。 （10）检验。每次取一片测铝层厚度3.5-4.5μm。铝层颜色光亮，无发白发雾现象。是否存在铝层起泡，表面无划伤。
17.铝反刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。 （2）匀胶。光刻胶：100胶；转速：1400转/min；时间：30S；先匀正面，烘5min，再匀背面。
（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。 （4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻3S；用反刻光刻版，正反面逐一光刻。 （6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟 （7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。 （8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（9）腐蚀。磷酸腐蚀，温度：68±2℃；时间：视具体情况而定；腐蚀时加入少量无水乙醇，并经常拎动片架，防止晶圆浮出片架。 （10）去胶。发烟硝酸去胶，新旧两个方缸各3min。 （11）冲水。及时将酸液冲洗彻底。
（12）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。
18.合金
（1） 检验。来片的版面、数量、批号。逐片检验表面情况。 （2） 装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，方向一致。
（3） 进炉。炉温恒温在500℃，氮气3L/min，氧气2L/min。将硅舟
缓慢推入恒温区。带上硅帽。恒温20min。
（4） 出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操作台上冷却。 （5） 检验。①表面铝层颜色；②铝层是否起泡。 （6） 测试。
19.背金
（1） 检验。来片的版面、数量、批号。表面铝层颜色。 （2） 清洗
（3） 烘干。温度90-100℃，时间:30min。
（4） 装片。将背面向下装入行星盘，盖上后盖。置于红外灯下，等
待蒸发。
（5） 蒸发。将行星盘装入电子束蒸发台（背金），关门后，运行程序。
（注意蒸发过程中程序动作是否正确，过程中真空度情况，蒸发过程是否出现异常）
（13）下片。注意表面擦伤。
（14）检验。银表面颜色，正反面是否正确，金属厚度是否正确Ti：800A，Ni：4000A，Ag：10000A。
20.背金反刻
（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。
（2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；只匀背面。
（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。
（4）前烘。温度：120℃；时间：25min
（5）曝光。单面机刻7S；用背金反刻光刻版。
（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟
（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。
（8）背面保护。用300胶涂正面，放日光灯下曝光至胶膜成金黄色。
（9）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。
（10）腐蚀。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=20:1:1；腐蚀温度：室温；时间：按实际情况而定。超声腐蚀。
（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。背面钝化槽内金属腐蚀彻底。