模拟电子技术基础试题
一、选择题：
1、当NPN 型BJT 的V CE > VBE 且V BE >0.5V时，则BJT 工作在（ ）。 A 、截止区 B 、放大区 C 、饱和区 D 、击穿区
X 2、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益A F =o
X i
为（ ）。
A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09
o X
3、电路如下所示，A 为理想运放，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。 A 、1与3相接，2与4相接 B 、 1与4相接，2与3相接 C 、 1与3相接，2与5相接 D 、2与3相接，1与5相接
4、下图所示电路，二个稳压管的正向导通压降均为0.7V ，稳定电压均为5.3V 。图中A 为理想运算放大器，所用电源电压为±12V 。若v i =0.5V，则输出电压v o =( ) 。 A 、-12V B 、12V C 、6V D 、-6V
＋ v o －
5
5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，出现交越失真的原因是（ ）。 A 、两个BJT 不对称 B 、输入信号过大
C 、输出信号过大 D 、两个BJT 的发射结偏置为零 6、BJT 放大电路增益在高频段下降的主要原因是（ ）。 A 、耦合电容的影响 B 、滤波电感的影响 C 、BJT 的结电容的影响 D 、滤波电容的影响 7、下图所示电路实现（ ）运算。
A 、积分 B 、对数 C 、微分 D 、反对数
8、若希望抑制500Hz 以下的信号，应采用（ ）类型的滤波电路。 A 、低通 B 、带通 C 、带阻 D 、高通 9、下列电路中，能实现交流放大的是（ ）。
A 、（a ）图 B 、(b)图 C 、(c)图 D 、(d)图
＋ v o －
(a)
(b)
o v o
10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压（ ）。 A ．大小相等、极性相反 B ． 大小相等、极性相同 C ． 大小不等、极性相同 D ．大小不等、极性相反
11．在杂质半导体中, 少子浓度主要取决于( )
(A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度
12．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态
13．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100, 则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 14．在OCL 电路中，引起交越失真的原因是( )
(A): 输入信号过大、 (B):晶体管输入特性的非线性、 (C):电路中有电容 15．差动放大器中, 用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A): 提高差模电压增益、 (B):提高共模输入电压范围、 (C): 提高共模抑制比 16．若A+B=A+C，则（ ）
(A) B=C； (B) B=C ；(C)在A=0的条件下，B=C 17．同步计数器中的同步是指（ ）
（A ）各触发器同时输入信号；（B ） 各触发器状态同时改变； （C ） 各触发器受同一时钟脉冲的控制
18．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ）
（A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 19．对PN 结施加反向电压时，参与导电的是 （ ）
（A ）多数载流子 （B ）少数载流子 （C ）既有多数载流子又有少数载流子
20．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变
21．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ） A 、输入电阻高 B 、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 22入失调电压UIO 是（ ）
A 、两个输入端电压之差 B 、输入端都为零时的输出电压 C. 出端为零时输入端的等效补偿电压。
23抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路 A 、差放 B 、正弦 C 、数字
24对于钟控RS 触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS 信号（ ） A 、RS=X0 B 、RS=0X C 、RS=X1 二、填空题：
1、 在P 型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。
2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V ，则二极管处于__________状态，电流I D =__________。
3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。 4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT 复合，其复合管的β值约为__________。 5、一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则
随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。
6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频
率。
7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为
____________________。
8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。
9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字或数学式子
描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。 10、
单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等
于__________。 11、
如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示，则可
知功放管__________工作不正常。
v i 12、
v o ω t
CC (a)
(b)
下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定电路的
输出电__________。
v o
13、
C
根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。
2
14、 15、
场效应管是__________控制器件。BJT 是__________控制器件。
下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流I DSS =__________。
V GS (V)
16．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。
17．PN 结具有_________特性。
18．三极管具有放大作用的外部条件是________、_________。 19．集成运放的输入级一般采用__________放大电路。
20．正弦波振荡的相位平衡条件是_____________幅度平衡条件是_________。 21．电压串联负反馈可以稳定输出_______并能使输入电阻________。
22．多级放大器的极间耦合方式有_______________，_______________，______________。 23．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 24．功率管工作在甲乙类状态的目的是__________________。
25．在常温下，硅二极管的开启电压是__________V，导通后在较大电流下时正向压降约_________V。
26．RC 桥式振荡电路中，ω0=1/RC时，Fu=________。
27．二极管的最主要特性是_________，它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的_________。
28．并联反馈的反馈量以_________形式馈入输入回路，和输入_________相比较而产生净输入量。 三、判断
1．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。 （ ）
2．半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的 （ ） 3．反馈具有稳定输出量的作用。（ ）
4．在运算放大器的运用电路中，若存在反馈则运放工作在线性状态。（ ）
5．某放大器不带负载时的输出电压为1.5V ，带上RL=5KΩ的负载后，测得输出电压下降为1V ，则放大器的输出电阻RO=2.5KΩ。（ ）
6．差动放大电路中，恒流源的作用是提高共模抑制比（ ）
7．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合。（8．放大电路的AVb>Ve （ ） 15．三级管放大电路中，加入Re 一定可稳定输出电流。（ ）
.
.
16．正弦波振荡电路的起振条件是|A F |=1。 （ ） 17．TTL 或门电路不使用的输入端可以接地。 （ ） 18．CMOS 逻辑与门电路，多余的输入端可以悬空。 （ ） 19．CMOS 传输门，具有双向传输特性。 （ ）
20．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合（
1．已知三极管工作在线性放大区，各极对地电位如图所示：
1）试在图中补全三极管的符号，并标出b,c,e 极；
2）三极管的材料为___________（硅管还是锗管）； 3）三极管的管型为___________（NPN 还是PNP ）。
） ） 四、简答题
2．已知下图中，二极管为理想器件，判断两个二极管是导通还
A
是截止。
O
3．判断反馈类型（正负反馈、串并联反馈、电压电流反馈、交直流反馈） （1）判断下图中反馈元件Rf 的反馈类型
(a)
(b)
（2）判断下图中R 的反馈类型
(a)
4、杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？ 5、什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？
6、什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？
7、测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U 1、U 2、U 3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN 型还是PNP 型？并确定三个电极。
(1) U1=2.5V (2) U1=2.5V
U 2=6V U 3=1.8V
U 2=-6V U 3=1.8V
(3) U1=-6V U 2=-3V U 3=-2.8V (4) U1=-4.8V
U 2=-5V U 3=0V
8、如何用万用表的电阻挡判断某一个三极管是NPN 型还是PNP 型？如何确定它们的三个电极e 、b 、c ？
9、解释什么是共模信号、差模信号？
10、什么叫" 虚短" 、" 虚地" ？什么叫" 虚断" ？在什么情况下存在" 虚地" ？ 五、计算
1．电路如下图所示，已知U CC ＝12V ，R C ＝3k ，β＝40 且忽略U BE ，若要使静态时U CE ＝9V ，则R B 应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？
2、如下图所示为NPN 型晶体三极管组成的单管放大电路，已知U CC ＝12V ，R B ＝400kΩ，R C ＝4kΩ，晶体管的β＝40。
⑴ 若晶体管的β＝40，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ 的值（U BE 忽略不计）； ⑵ 若将原三极管换成β＝90的另一只同类型三极管，问电路能否正常工作？
3、出图示电路中v O 与v i 1与v i 2的关系式。 1R 1 o
4、理想运放和BJT 组成的稳压电路如图示，要求： 1) 标出电路中运放两个输入端的极性
2) 设BJT 的V BE ≈0V ，计算本电路的输出电压V O
3) 若运放最大输出电流为10mA ，BJT 的β=200，求输出最大电流I Omax 4) 当负载R L 减小（即I O 增加）时，试说明稳压过程
V o
5、在下图所示的差分式放大电路中，设两个BJT 完全对称，V BE =0.7V，r bb’ =200Ω，要求：
1) 估算T 1管的静态值I C1、I B1、V CE1
2) 求双端输入、单端输出（从T
2管的集电极输出）时的差模电压增益A VD2=v o 2v i1-v
i2
3) 双端输入时的差模输入电阻r id
i2
=50,
β
6、分析下图电路中R F1和R F2引入反馈的类型，并说明这些反馈对放大器性能有何影响。
7、下图所示为共射极基本放大电路，若三极管的U CC ＝12V ， R C ＝3ΚΩ，U BE 忽略不计
(1) 若R B ＝400kΩ，β＝50，试求静态工作点。
(2) 若要把U CEQ 调到2.4V ，R B 应调到多大阻值？
(3) 若要把I CQ 调到1.6mA ，R B 应调到多大阻值？
8、下图所示为应用运算放大器测量电阻的原理电路，输出端接电压表，当电压表指示5V 时，试计算被测电阻R x 的阻值。
11
9、在下图中，已知R f = 2R1，u i = -2V。试求输出电压u o 。
10、用公式法化简下列函数
（1）F =A B C +A B C +AB C +ABC
（2）F =A B C +A BC +ABC +AB C
（3）F =A +A BCD +A B C +BC +B C
（4）F =A B C +AC +B +C
（5）F =(A +A C )(A +CD +D )
答案
一、单选题
1、B 2、B 3、A 4、C 5、D 6、C 7、C 8、D 9、B 10、B 11、A 12、C 13、
B 14、C 15、C 16、A 17、C 18、A 19、C 20、A 21、C 22、C 23、A 24、B
二、填空题
1、空穴，自由电子
12
2、导通，2.75mA
3、|AF|=1， |AF|>1
4、β1β2
5、截止，饱和
6、0.707（或 1
2 ）
7、频率失真(线性失真)
8、∞，∞
9、|Ad/Ac|，∞
10、9V
11、T 1
12、电流串联负反馈，13、能
14、电压，电流
15、3mA
16、电容、短路
17、单向导电 18、发射结正偏、集电结反偏 19、差动 21、电压、增大 22、直接耦合、阻容耦合、光电耦合和变压器耦合 23、0、无穷大 25、0.7、0.3
三、判断题 × √ √ × √ √ × √√ ×√××××√√√√×
四、简答题
1、1）v-c 、0.3v-e 、0v-b 2）锗管 3）PNP 型
2、D1截止、D2导通
3、（1）a 电压并联负反馈 b 电流串联负反馈（2）a 电压并联负反馈 b 电压串联负反馈
4、答；半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
5、答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。PN 结最基本的特性是单向导电性。
6、答；因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。
13
7、答：（1）NPN 型硅管1-B ，2-C ，3-E ；（2）PNP 型硅管1-E ，2-C ，3-B ；（3）PNP 型锗管1-C ，2-B ，3-E ；（4）NPN 型锗管1-B ，2-E ，3-C 。
8、答．采用万用表R ⨯1K 或R ⨯100挡进行测试，具体测试方法如下：
第一步 假设三个管脚中任一管脚为基极，判断基极
把万用表的一个表笔接假设的基极，另一表笔分别接另外两个管脚。
若测得的电阻：
1）都很小或都很大，把万用表的两个表笔调换一下重新测试。若原来都很小，调换表笔后测得都很大，或原来都很大，调换表笔后测得都很小，则假设的基极是正确的。
2）一大一小，则假设是错误的，需重新假设进行测试。
第二步 判断管型
若以测得阻值都很小为准，若黑表笔接的是基极，则该管为NPN 型，否则为PNP 型。 第三步 假设剩余的两个管脚中其中一个是集电极，判断集电极
若为NPN 型管，用手同时捏住基极和假设的集电极（但两管脚不能接触），黑表笔接假设的集电极，红表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。若为PNP 型管，红表笔接假设的集电极，黑表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。
9、答：共模信号：大小相等、极性相同的输入信号。
差模信号：大小相等、极性相反的输入信号。
10、答：" 虚短" 是指集成运放两输入端电压相同；" 虚断" 是指集成运放两个输入端电流为零。" 虚地" 是指集成运放反相输入端电位与地相同，但反相输入端并未接地，反相输入端称为" 虚地" ，只有反相输入电路才有" 虚地" 的概念。
五、计算题
1、解：由
I C =U CE =U CC -I C R C 知 U CC -U CE R C =12-93=1mA
14
I I C
B =β=1
40=0. 025mA
R U CC
B =I =12=480k Ω
B 0. 025
R 26
i =r be =300+(1+β) I ≈300+(1+40) 261. 4k Ω
E 1≈1366Ω≈
R o =R C =3k Ω
≈CC 12=30μA
2、解：（1）I BQ R =
B 400=0. 03mA
I CQ ≈βI BQ =40⨯0. 03=1. 2mA
U CEQ =U CC -I CQ R C =12-1. 2⨯4=7. 2V
（2）I CQ ≈βI BQ =90⨯0. 03=2. 7mA
U CEQ =U CC -I CQ R C =12-2. 7⨯4=1. 2V
由于电路的动态范围变小，若输入信号不变，易发生非线性失真。3、 1
解： v R f 1
01=(1+R ) ⋅v =(1+R 1
i 1R ) ⋅v i 1
11
=4
对于第2i 个运放：3v i 1
v p =v i 2
v -v o 1
N =v o R 2+3R ⨯R 2+v o 12
根据 v p ≈v N
得： v v o 1
i 2=v o -4R ⨯R 2+v o 1
2
4、 1）“+”下“-”v o =4(v i 2-v i 1)
V o
2） 5⨯3≈6
∴V o =10V
I o max ≈10mA ⨯β
3） =10⨯200=2000mA =2A
R L ↓(I o ↑) →V o ↓→V -↓→V b ↑
V o 15
4）
5、1）静态时，v i1=vi2=0
∴I B 1⋅10K +0. 7+2I B 1(1+β) ⨯10K -12V =0
I 12-0. 7
B 1=10+2⨯51⨯10=0. 0112mA
=11. 2mA
I C 1=βI B 1=50⨯11. 2=0. 56mA
V CE 1=12-10⨯I c 1-2I E 1⨯10K +12V
≈7V
2）、 A VD 2=βR C
2(R b +r be )
r =200+51⨯26
be 0. 57≈2. 526K Ω
R C =10K R b =10K
3）r ∴id =A VD 2(R 2b =+250⨯10
be (10+2. 526) ≈2. 20526) ≈5. 1K Ω
6、答：R F1为电路引入了电压串联交直流负反馈。使输入电阻变大，输出电阻变小。R F2为电路引入了电流并联直流负反馈。使输入电阻变小，输出电阻变大。
I U CC
BQ =R =12μA
7、（1）B 400=30
I CQ =βI BQ =50⨯0. 03=1. 5mA
U C EQ =U CC -I CQ R C =12-1. 5⨯3=7. 5V
（2）U CEQ =U CC -I CQ R C
I U CC -U CE Q 12-2. 4
CQ =R ==3. 2mA
C 3
I CQ
BQ =I β=3. 2
50=0. 064mA
R U CC
B =I =12187. 5k Ω
BQ 0. 064=
I I CQ 1. 6
BQ =β=50=0. 032mA
（3）
16
R U CC
B =I =12Ω
BQ 0. 032=375k
8、
u o =-R x R ⨯10
1
R 1⨯5
x =10=0. 5M Ω
u 0=-R f R u i =4V
9、一级是电压跟随器电路，后一级是反相比例运算电路，所以1
10、（1）A （2）A C +AB （3）A+C（4）A +B +C （5）A+CD
17
模拟电子技术基础试题
一、选择题：
1、当NPN 型BJT 的V CE > VBE 且V BE >0.5V时，则BJT 工作在（ ）。 A 、截止区 B 、放大区 C 、饱和区 D 、击穿区
X 2、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益A F =o
X i
为（ ）。
A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09
o X
3、电路如下所示，A 为理想运放，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。 A 、1与3相接，2与4相接 B 、 1与4相接，2与3相接 C 、 1与3相接，2与5相接 D 、2与3相接，1与5相接
4、下图所示电路，二个稳压管的正向导通压降均为0.7V ，稳定电压均为5.3V 。图中A 为理想运算放大器，所用电源电压为±12V 。若v i =0.5V，则输出电压v o =( ) 。 A 、-12V B 、12V C 、6V D 、-6V
＋ v o －
5
5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，出现交越失真的原因是（ ）。 A 、两个BJT 不对称 B 、输入信号过大
C 、输出信号过大 D 、两个BJT 的发射结偏置为零 6、BJT 放大电路增益在高频段下降的主要原因是（ ）。 A 、耦合电容的影响 B 、滤波电感的影响 C 、BJT 的结电容的影响 D 、滤波电容的影响 7、下图所示电路实现（ ）运算。
A 、积分 B 、对数 C 、微分 D 、反对数
8、若希望抑制500Hz 以下的信号，应采用（ ）类型的滤波电路。 A 、低通 B 、带通 C 、带阻 D 、高通 9、下列电路中，能实现交流放大的是（ ）。
A 、（a ）图 B 、(b)图 C 、(c)图 D 、(d)图
＋ v o －
(a)
(b)
o v o
10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压（ ）。 A ．大小相等、极性相反 B ． 大小相等、极性相同 C ． 大小不等、极性相同 D ．大小不等、极性相反
11．在杂质半导体中, 少子浓度主要取决于( )
(A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度
12．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态
13．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100, 则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 14．在OCL 电路中，引起交越失真的原因是( )
(A): 输入信号过大、 (B):晶体管输入特性的非线性、 (C):电路中有电容 15．差动放大器中, 用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A): 提高差模电压增益、 (B):提高共模输入电压范围、 (C): 提高共模抑制比 16．若A+B=A+C，则（ ）
(A) B=C； (B) B=C ；(C)在A=0的条件下，B=C 17．同步计数器中的同步是指（ ）
（A ）各触发器同时输入信号；（B ） 各触发器状态同时改变； （C ） 各触发器受同一时钟脉冲的控制
18．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ）
（A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 19．对PN 结施加反向电压时，参与导电的是 （ ）
（A ）多数载流子 （B ）少数载流子 （C ）既有多数载流子又有少数载流子
20．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变
21．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ） A 、输入电阻高 B 、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 22入失调电压UIO 是（ ）
A 、两个输入端电压之差 B 、输入端都为零时的输出电压 C. 出端为零时输入端的等效补偿电压。
23抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路 A 、差放 B 、正弦 C 、数字
24对于钟控RS 触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS 信号（ ） A 、RS=X0 B 、RS=0X C 、RS=X1 二、填空题：
1、 在P 型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。
2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V ，则二极管处于__________状态，电流I D =__________。
3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。 4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT 复合，其复合管的β值约为__________。 5、一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则
随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。
6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频
率。
7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为
____________________。
8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。
9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字或数学式子
描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。 10、
单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等
于__________。 11、
如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示，则可
知功放管__________工作不正常。
v i 12、
v o ω t
CC (a)
(b)
下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定电路的
输出电__________。
v o
13、
C
根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。
2
14、 15、
场效应管是__________控制器件。BJT 是__________控制器件。
下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流I DSS =__________。
V GS (V)
16．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。
17．PN 结具有_________特性。
18．三极管具有放大作用的外部条件是________、_________。 19．集成运放的输入级一般采用__________放大电路。
20．正弦波振荡的相位平衡条件是_____________幅度平衡条件是_________。 21．电压串联负反馈可以稳定输出_______并能使输入电阻________。
22．多级放大器的极间耦合方式有_______________，_______________，______________。 23．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 24．功率管工作在甲乙类状态的目的是__________________。
25．在常温下，硅二极管的开启电压是__________V，导通后在较大电流下时正向压降约_________V。
26．RC 桥式振荡电路中，ω0=1/RC时，Fu=________。
27．二极管的最主要特性是_________，它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的_________。
28．并联反馈的反馈量以_________形式馈入输入回路，和输入_________相比较而产生净输入量。 三、判断
1．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。 （ ）
2．半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的 （ ） 3．反馈具有稳定输出量的作用。（ ）
4．在运算放大器的运用电路中，若存在反馈则运放工作在线性状态。（ ）
5．某放大器不带负载时的输出电压为1.5V ，带上RL=5KΩ的负载后，测得输出电压下降为1V ，则放大器的输出电阻RO=2.5KΩ。（ ）
6．差动放大电路中，恒流源的作用是提高共模抑制比（ ）
7．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合。（8．放大电路的AVb>Ve （ ） 15．三级管放大电路中，加入Re 一定可稳定输出电流。（ ）
.
.
16．正弦波振荡电路的起振条件是|A F |=1。 （ ） 17．TTL 或门电路不使用的输入端可以接地。 （ ） 18．CMOS 逻辑与门电路，多余的输入端可以悬空。 （ ） 19．CMOS 传输门，具有双向传输特性。 （ ）
20．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合（
1．已知三极管工作在线性放大区，各极对地电位如图所示：
1）试在图中补全三极管的符号，并标出b,c,e 极；
2）三极管的材料为___________（硅管还是锗管）； 3）三极管的管型为___________（NPN 还是PNP ）。
） ） 四、简答题
2．已知下图中，二极管为理想器件，判断两个二极管是导通还
A
是截止。
O
3．判断反馈类型（正负反馈、串并联反馈、电压电流反馈、交直流反馈） （1）判断下图中反馈元件Rf 的反馈类型
(a)
(b)
（2）判断下图中R 的反馈类型
(a)
4、杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？ 5、什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？
6、什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？
7、测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U 1、U 2、U 3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN 型还是PNP 型？并确定三个电极。
(1) U1=2.5V (2) U1=2.5V
U 2=6V U 3=1.8V
U 2=-6V U 3=1.8V
(3) U1=-6V U 2=-3V U 3=-2.8V (4) U1=-4.8V
U 2=-5V U 3=0V
8、如何用万用表的电阻挡判断某一个三极管是NPN 型还是PNP 型？如何确定它们的三个电极e 、b 、c ？
9、解释什么是共模信号、差模信号？
10、什么叫" 虚短" 、" 虚地" ？什么叫" 虚断" ？在什么情况下存在" 虚地" ？ 五、计算
1．电路如下图所示，已知U CC ＝12V ，R C ＝3k ，β＝40 且忽略U BE ，若要使静态时U CE ＝9V ，则R B 应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？
2、如下图所示为NPN 型晶体三极管组成的单管放大电路，已知U CC ＝12V ，R B ＝400kΩ，R C ＝4kΩ，晶体管的β＝40。
⑴ 若晶体管的β＝40，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ 的值（U BE 忽略不计）； ⑵ 若将原三极管换成β＝90的另一只同类型三极管，问电路能否正常工作？
3、出图示电路中v O 与v i 1与v i 2的关系式。 1R 1 o
4、理想运放和BJT 组成的稳压电路如图示，要求： 1) 标出电路中运放两个输入端的极性
2) 设BJT 的V BE ≈0V ，计算本电路的输出电压V O
3) 若运放最大输出电流为10mA ，BJT 的β=200，求输出最大电流I Omax 4) 当负载R L 减小（即I O 增加）时，试说明稳压过程
V o
5、在下图所示的差分式放大电路中，设两个BJT 完全对称，V BE =0.7V，r bb’ =200Ω，要求：
1) 估算T 1管的静态值I C1、I B1、V CE1
2) 求双端输入、单端输出（从T
2管的集电极输出）时的差模电压增益A VD2=v o 2v i1-v
i2
3) 双端输入时的差模输入电阻r id
i2
=50,
β
6、分析下图电路中R F1和R F2引入反馈的类型，并说明这些反馈对放大器性能有何影响。
7、下图所示为共射极基本放大电路，若三极管的U CC ＝12V ， R C ＝3ΚΩ，U BE 忽略不计
(1) 若R B ＝400kΩ，β＝50，试求静态工作点。
(2) 若要把U CEQ 调到2.4V ，R B 应调到多大阻值？
(3) 若要把I CQ 调到1.6mA ，R B 应调到多大阻值？
8、下图所示为应用运算放大器测量电阻的原理电路，输出端接电压表，当电压表指示5V 时，试计算被测电阻R x 的阻值。
11
9、在下图中，已知R f = 2R1，u i = -2V。试求输出电压u o 。
10、用公式法化简下列函数
（1）F =A B C +A B C +AB C +ABC
（2）F =A B C +A BC +ABC +AB C
（3）F =A +A BCD +A B C +BC +B C
（4）F =A B C +AC +B +C
（5）F =(A +A C )(A +CD +D )
答案
一、单选题
1、B 2、B 3、A 4、C 5、D 6、C 7、C 8、D 9、B 10、B 11、A 12、C 13、
B 14、C 15、C 16、A 17、C 18、A 19、C 20、A 21、C 22、C 23、A 24、B
二、填空题
1、空穴，自由电子
12
2、导通，2.75mA
3、|AF|=1， |AF|>1
4、β1β2
5、截止，饱和
6、0.707（或 1
2 ）
7、频率失真(线性失真)
8、∞，∞
9、|Ad/Ac|，∞
10、9V
11、T 1
12、电流串联负反馈，13、能
14、电压，电流
15、3mA
16、电容、短路
17、单向导电 18、发射结正偏、集电结反偏 19、差动 21、电压、增大 22、直接耦合、阻容耦合、光电耦合和变压器耦合 23、0、无穷大 25、0.7、0.3
三、判断题 × √ √ × √ √ × √√ ×√××××√√√√×
四、简答题
1、1）v-c 、0.3v-e 、0v-b 2）锗管 3）PNP 型
2、D1截止、D2导通
3、（1）a 电压并联负反馈 b 电流串联负反馈（2）a 电压并联负反馈 b 电压串联负反馈
4、答；半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
5、答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。PN 结最基本的特性是单向导电性。
6、答；因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。
13
7、答：（1）NPN 型硅管1-B ，2-C ，3-E ；（2）PNP 型硅管1-E ，2-C ，3-B ；（3）PNP 型锗管1-C ，2-B ，3-E ；（4）NPN 型锗管1-B ，2-E ，3-C 。
8、答．采用万用表R ⨯1K 或R ⨯100挡进行测试，具体测试方法如下：
第一步 假设三个管脚中任一管脚为基极，判断基极
把万用表的一个表笔接假设的基极，另一表笔分别接另外两个管脚。
若测得的电阻：
1）都很小或都很大，把万用表的两个表笔调换一下重新测试。若原来都很小，调换表笔后测得都很大，或原来都很大，调换表笔后测得都很小，则假设的基极是正确的。
2）一大一小，则假设是错误的，需重新假设进行测试。
第二步 判断管型
若以测得阻值都很小为准，若黑表笔接的是基极，则该管为NPN 型，否则为PNP 型。 第三步 假设剩余的两个管脚中其中一个是集电极，判断集电极
若为NPN 型管，用手同时捏住基极和假设的集电极（但两管脚不能接触），黑表笔接假设的集电极，红表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。若为PNP 型管，红表笔接假设的集电极，黑表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。
9、答：共模信号：大小相等、极性相同的输入信号。
差模信号：大小相等、极性相反的输入信号。
10、答：" 虚短" 是指集成运放两输入端电压相同；" 虚断" 是指集成运放两个输入端电流为零。" 虚地" 是指集成运放反相输入端电位与地相同，但反相输入端并未接地，反相输入端称为" 虚地" ，只有反相输入电路才有" 虚地" 的概念。
五、计算题
1、解：由
I C =U CE =U CC -I C R C 知 U CC -U CE R C =12-93=1mA
14
I I C
B =β=1
40=0. 025mA
R U CC
B =I =12=480k Ω
B 0. 025
R 26
i =r be =300+(1+β) I ≈300+(1+40) 261. 4k Ω
E 1≈1366Ω≈
R o =R C =3k Ω
≈CC 12=30μA
2、解：（1）I BQ R =
B 400=0. 03mA
I CQ ≈βI BQ =40⨯0. 03=1. 2mA
U CEQ =U CC -I CQ R C =12-1. 2⨯4=7. 2V
（2）I CQ ≈βI BQ =90⨯0. 03=2. 7mA
U CEQ =U CC -I CQ R C =12-2. 7⨯4=1. 2V
由于电路的动态范围变小，若输入信号不变，易发生非线性失真。3、 1
解： v R f 1
01=(1+R ) ⋅v =(1+R 1
i 1R ) ⋅v i 1
11
=4
对于第2i 个运放：3v i 1
v p =v i 2
v -v o 1
N =v o R 2+3R ⨯R 2+v o 12
根据 v p ≈v N
得： v v o 1
i 2=v o -4R ⨯R 2+v o 1
2
4、 1）“+”下“-”v o =4(v i 2-v i 1)
V o
2） 5⨯3≈6
∴V o =10V
I o max ≈10mA ⨯β
3） =10⨯200=2000mA =2A
R L ↓(I o ↑) →V o ↓→V -↓→V b ↑
V o 15
4）
5、1）静态时，v i1=vi2=0
∴I B 1⋅10K +0. 7+2I B 1(1+β) ⨯10K -12V =0
I 12-0. 7
B 1=10+2⨯51⨯10=0. 0112mA
=11. 2mA
I C 1=βI B 1=50⨯11. 2=0. 56mA
V CE 1=12-10⨯I c 1-2I E 1⨯10K +12V
≈7V
2）、 A VD 2=βR C
2(R b +r be )
r =200+51⨯26
be 0. 57≈2. 526K Ω
R C =10K R b =10K
3）r ∴id =A VD 2(R 2b =+250⨯10
be (10+2. 526) ≈2. 20526) ≈5. 1K Ω
6、答：R F1为电路引入了电压串联交直流负反馈。使输入电阻变大，输出电阻变小。R F2为电路引入了电流并联直流负反馈。使输入电阻变小，输出电阻变大。
I U CC
BQ =R =12μA
7、（1）B 400=30
I CQ =βI BQ =50⨯0. 03=1. 5mA
U C EQ =U CC -I CQ R C =12-1. 5⨯3=7. 5V
（2）U CEQ =U CC -I CQ R C
I U CC -U CE Q 12-2. 4
CQ =R ==3. 2mA
C 3
I CQ
BQ =I β=3. 2
50=0. 064mA
R U CC
B =I =12187. 5k Ω
BQ 0. 064=
I I CQ 1. 6
BQ =β=50=0. 032mA
（3）
16
R U CC
B =I =12Ω
BQ 0. 032=375k
8、
u o =-R x R ⨯10
1
R 1⨯5
x =10=0. 5M Ω
u 0=-R f R u i =4V
9、一级是电压跟随器电路，后一级是反相比例运算电路，所以1
10、（1）A （2）A C +AB （3）A+C（4）A +B +C （5）A+CD
17