第二单元 单元测试题
一 ·填空题。
1. 硅材料分为晶硅、多晶硅和非晶硅，单晶硅又分为单晶硅和区熔单晶硅。
2. 圆硅片边缘有定位边，定位边可用于表示硅片的晶体结构、
3. 对硅片进行选择性的化学/可以作出缺陷性质判定和计算评估，这是检测硅片缺陷的直观、简单的方法。
4. 硅单晶片的导电类型分为P 型和型两大类。
5. 工艺的晶向硅片，MOS 器件用晶向的原始抛光硅片作为器件衬底。
6.PN 结正向偏置时，其P 区接电源极，N 区接电源PN 结的电源随外加电压增大而呈 指数 规律快速增大。
7. 耗尽层具有结电容（又称为电容）效应。耗尽层正向偏置电压时，耗尽层变 ；PN 结两端加反向偏置电压时，耗尽层变，相当于结电容“ 充 电”。
8. 双极性器件有电子和两种载流子参与导电，它是一种电
9. 双极性三极管通常有 饱和 、 放大 NPN 管的互补器件。
10. 双极性晶体管的常见特性曲线有特性曲线I B =f (V BE ) V CE 和转移特性曲线
I C =f | I B
11. 场效应晶体管是一种控制的单级四端D G 、源 S 和衬底B ）。
12.MOSFET 的常见特性曲线有漏极特性曲线 I D =f ( | 和转移特性曲线 I D =f ( |。
13.CMOS 器件中，互补的NMOS 作为驱动管、PMOS 作为NOMS 管做在衬底上，则PMOS 必须做在比衬底浓度 高 的“ N 阱”中。 14.TTL 集成电路的民品系列的前缀是“74”，军品系列的前缀是“。TTL 集成电路的标准工作电压是 5 V 。
15. CMOS 反相器是由NOMS 管和PMOS 管互补联构成，CMOS 传输门是由NOMS 管和PMOS 管互补 并 联构成。其他各种基本CMOS 逻辑单元电路可以由NOMS 管和PMOS 管的 串并 联构成。
16.D/A转换器的输入是量，输出是
17. 双极性集成电路芯片版图中的 P 隔离槽区接岛内的 N 外延层通过N 区接 最高 电位。
18. MOS 型集成电路中常采用MOS 管构成的
19. 集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有电路中任意两个分立连接接点之间的电气连通，称为 互连 ，它具有距离和带/线通道的特征。
20. 自动探针测试台的X-Y 二维步进传动机构分为 大类。 -++
二·判断题。
1. 超高纯度的半导体级本征多晶硅是99.9999999%，简称“九个9”。 （√）
2. 圆硅片边缘有定位变，短的次定位边为各种定位基准用，还可表明其单晶结构和晶向，长的主定边可以示意硅片的晶向和导电类型。 （×）
3. 在大于Ñ⎰200 mm 的硅片上，可用定位小孔槽和硅片背面激光刻印信息标志的方法，取代硅片定位边。 （√）
4. 在原硅片上已形成了芯片（晶片）阵列的硅片，被称为“晶圆”。 （√）
5. 半导体IC 、晶体管、晶闸管、二极管的最基本构成要素是PN 结。 （√）
6.PN 结具有重要的双向导电特性。 （×）
7.MOSFET 的导电沟道为电子的，称为P 沟MOS 器件；导电沟道为空穴的，称为N 沟MOS 器件。 （×）
8.LSI 都用耗尽层型MOS 管好构成，CMOS 由NMOS 和PMOS 构成。 （×）
9.BiCMOS 集成电路是在同一硅衬底上同时制作CMOS 器件和双极性型器件而构成的。它适用于制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。 （√）
10.A/D转换器的二进制位数n 增加，即分辨率提高，其取整量化的误差会减小，最大量化误差为1/2 ，即一个量化单位为1 LSB。 n （√）
11. 位权电阻网络和模拟电子开关是D/A转换器的核心电路模块。 （√）
12. 采样保持电路和量化编码电路时A/D转换器的核心功能模块。 （√）
13. 设计时使每个焊盘（PAD) 都需要单独配有独立的隔离岛，是为了避免焊盘之间的短路。 （√）
14. 双击型集成电路中的横向PNP 管常用于大电流的情况。 （√）
15.MOS 型集成电路芯片的二维表面由有效或有源区（MOS 管区）和场氧区（厚氧区）构成。 （√）
16. 微电子测试结构广泛用于芯片制造工艺结束后的晶圆片测试中。 （√） 三·单项选择题。
1. 位错缺陷在硅单晶片上呈现（ B ）的蚀坑。
A. 三角形 B. 四边形 C. 菱形 D. 半月形
2.P 型和N 型交界面附近形成的空间电荷区是两边正负离子数 C 并缺少载流子的耗尽区。
A. 为正离子大于负离子 B. 不相等 C. 相等 D. 为负离子大于正离子
3.PN 结反相偏置时，最低电流几乎为零，随外加反向电压增大，达到某一个临界电压时，电流才迅速增加，该临界电压称为 （ C ） 电压。
A. 正向 B. 反向 C. 击穿 D. 恒定
4. 双极性晶体管的发射区E 、基区B 和集电区C 的掺杂浓度之间的关系为（ C ）。
A.EB>C D.B>E>C
5. 当双极性三极管的 B ）
A. 发射极正偏，集电极正偏 B. 发射极正偏，集电极反偏
C. 发射极反偏，集电极反偏 D. 发射极反偏，集电极正偏
6.MOS 晶体管阈值电压 C ）是增强型的MOS 管。
A. V T ≤0 B. V T ≤0 C. V T >0 D. V T =0
7. 三输入与非门的逻辑输出（ D ）
A. A +B +C B.A+B+C C.ABC D. ABC
8. 双极性集成电路中MOS 电容的上电极通常为（ B ）
A. N 发射区扩散层
C.P 基区扩散层 + B. 金属铝膜 D. N 外延层 -
9. 对于MOS 型集成电路中的双层多晶硅MOS 电容器结构，只要控制 B 和质量，就可以制备高精度的MOS 电容。
A. 上下层多晶硅的厚度 B. 氧化层的厚度
C. 上层多晶硅的掺杂浓度 D. 下层多晶硅的掺杂浓度
10. 集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有 C ）的特征。
A. 键合 B. 延伸 C. 接触 D. 铆接
四·多项选择。（至少有两个正确答案）
1. 由于硅片 ABCE ）
A. 很硬脆 B. 边缘易破裂
C. 边缘会造成应力集中 F. 很单薄 D. 很平整 E. 边缘易产生碎屑
2. 硅片的主要检测项目有（ ABCDEF ）等。
A. 平整度 B. 电阻率 C. 氧含量
D. 晶格缺陷 E. 物理尺寸 F. 表面微粗糙度
3. 硅单晶片的导电类型可以利用 ACDE ）等物理效应进行检测。
A. 热电 B. 原电池
C. 整流 F. 光衍射 D. 霍尔 E. 光电
4. 测量硅单晶片电阻率的方法有 ABCDE ）
A. 两探针法 B. 四探针法
C.C-V 法 F. 六探针法 D. 涡电流法 E. 扩展电阻探针法
5. 芯片的外围四周许多焊盘是 ACEF ）
A. 金属铝 B. 金属钨 C. 探针测试接触点
D. 多晶硅 E. 键合引线压焊点 F. 各自独立的隔离区
6. 利用微电子测试结构可以提取集成电路制造的 ACEF ）
A. 工艺监控 B. 功能
C. 过程质量控制 F. 可靠性模式 D. 频谱 E. 电路设计模式
7. 微电子测试结构通常镶嵌在 BCEF ）
A. 芯片中心
D. 芯片功能区 B. 划片间隔内 E. 晶圆片中心 C. 同一芯片上空隙位置 F. 晶圆的4个象限
8. 二极管的性能参数有（ ABCDEF ）等。
A. 正向电压V F
D. 整流效率R E B. 反向电流I R E. 电容量 C O C. 反向击穿电压BV F. 反向恢复时间
9. 二极管通常用于 ACEF ）
A. 整流 B. 放大 C. 检波
D. 变换 E. 限幅 F. 钳位
10. 集成电路中常用于的二极管有（ ABCF ）二极管。
A. 齐纳 B. 肖特基 C. 一般PN 结
F. 三极管接成的二极管 D. 光电 E. 变容
11. 双极性晶体管的主要电参数有 ABCDE ）
A. 反向击穿电压 B. 极间反向电流
C. 各种电流放大系数 F. 材料参数 D. 开馆时间参数 E. 频率参数
12.CMOS 器件的优点有 ABEF ）。
A. 功率极低 B. 集成度高 C. 电流驱动能力强
D. 适用射频 E. 工艺简单 F. 能按比例缩小
13. 双击型集成电路中除了大量NPN 晶体管外，常见（ BCD ）结构的PNP 管。
A. 纵向 B. 横向 C. 复合
F. 射频
C.4000B
F.74HC D. 衬底 E. 肖特基 14.TTL 集成电路的民品系列有 ABE ）等几种。 A.74LS B.74AS D.54ALS E.74ALS
15.74HC 系列（HCMOS ）具有 BCDEF ）
A. 电流驱动能力强 B. 低功耗 C. 高速型
F. 引脚与TTL 兼容 D. 集成度高 E. 不易阻塞
16.CMOS 反相器的主要性能参数有 ABCDEF ）。
A. 静态电流 B. 输入电平/电流 C. 传输延迟时间
D. 转换时间 E. 输出电平/电流 F. 输入电容
17.CMOS 传输门的主要性能参数有（ ABCDEF ）。
A. 静态电流 B. 泄漏电流 C. 平均传输延迟时间
D. 输入电容 E. 导通电阻 F. 控制端输入电平/电流
18. 运算放大器的重要性能参数大多由输入级决定，如（ ABCDE ）等。
A. 输入失调电压
D. 输入阻抗 B. 输入失调电流 E. 输入电压范围 C. 共模抑制比 F. 总电压增益
19. 理想情况集成电路运算放大器的 ABE ）。
A. CMRR →∞
D. CMRR →∞ B. 输入阻抗为无穷大 E. 输出阻抗 Z O 为零 C. 输入阻抗为零 F. 输出阻抗 Z O 为无穷大
20. 模拟集成电路中应用极广泛的几个最基本有源单元有 ABCDEF ）
A. 单管放大器 B. 复合双管放大器 C. 恒流源电路
F. 有源负载 D. 差分和推挽放大器 E. 偏置电压源电路
21.A/D变换过程可以认为是（ ABDE ）的过程。
A. 采样 B. 量化
C. 离散信号到连续信号 F. 数字信号到模拟信号 D. 保持 E. 编码
22.D/A变换过程可以看作是 ABDF ）的过程。
A. 量化 B. 锁存 C. 连续到离散的
F. 保持 D. 编码 E. 模拟信号到数字信号
23.DAC 的主要性能参数是 ABEF ）
A. 变换精度 B. 分辨率
C. 采样值 F. 线型误差 D. 保持量 E. 变换速度
24.ADC 的性能参数指标有 ABCDEF ）
A. 量化误差 B. 绝对精度 C. 分辨率
D. 转换时间 E. 相对精度 F. 采样频率
25. 集成电路中元器件之间有效的体内三维电学隔离方法有 ABCDF ）。
A.PN 结隔离 B. 场氧介质环隔离
C. P 环槽隔离 F. 二氧化硅介质隔离 +D. 多晶硅介质环槽隔离 E. 金属氧化膜隔离
26. 集成电路中的半导体电阻有（ ACDEF ）
A. 扩散电阻 B. 金属膜电阻 C. 沟道电阻
D. 离子注入电阻 E. 体电阻 F. 有源电阻
27. 成熟的集成电路金属铜模互连线工艺技术，通过（ BDE ）了大规模应用的问题。
A. 湿法刻蚀工艺 B. 镶嵌工艺 C. 干法刻蚀工艺
D. 化学机械抛光工艺 E. 阻挡层包封 F. 铜焊接
28. 利用探针阵列卡可以检测的晶圆测试项目有 ABDE ）。
A. 直流参数 B. 某些极限参数
C. 高速的交流参数 F. 射频参数 D. 低俗低频的交流参数 E. 功能
29. 手动探针卡测试台由（ ABCDEF ）等构成。
A. 载物工作台 B. 探针卡 C. 打墨点装置
D. 体视显微镜 E. 探针卡支架 F. 电学测试仪器装置
30. 自动探针测试台进行晶圆测试时，首先要设定（ ABCDEF ）等工作参数。
A. 芯片X 与Y 步进间距
D.Z 方向的分离高度
五·简答题。 B. 晶圆直径 C. 测试方法 F. 打点模式 E.Z 向升降工作模式
1. 简述硅片制备的加工工艺流程。
答：硅片制备的加工工艺流程为：硅单晶棒→整形处理→定位于切片→倒角与磨片→ 腐蚀与抛光→清洗与质量检测→包装入库。
2. 简述Bipoly ，CMOS 和BiMOS 集成电路的特点。
答：Bipoly ，CMOS 和BiMOS 集成电路的特点分别如下所示。
（1）Bipoly 集成电路中的跨导高、负载驱动能力强、速度高、与其他电路易匹配，缺点是集成度相对较低、功耗也较大。
（2）CMOS 集成电路的静态功耗趋近于零、动态功耗也极低、输出电压范围宽、结构简单、输入阻抗高、抗干扰能力强和集成度高，适合大规模集成。亚微米级CMOS 电路的工作速度已可达到大于几百MHz 的水平。CMOS 集成电路已成为大规模集成电路发展的主流。
（3）BiMOS 集成电路整合了CMOS 工艺技术和双极性工艺技术，综合了CMOS 器件高集成度、低功耗和双极性器件跨导高、负载驱动能力强的优点。但是，BiMOS 工艺较复杂，工序较多，制造成本也会增加，适应与制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。
3. 简述集成运算放大器的4个主要组成部分，并画出组成框图和图形符号。
答：
（1）集成运算放大器的4个主要组成部分为差动输入级（第一级放大）、中间放大器（第二级放大）、推挽输出级和各级的偏置电路。
（2）集成运算放大器的组成如图2-53所示。
图2-53 集成运算放大器组成框图
（3）集成运算放大器的图形符号如图2-54所示。
图2-54 集成运算放大器的图形符号
（4）简述自动探针测试台晶圆测试的整个工作步骤。
答：自动探针测试台晶圆测试的整个工作步骤如下所示。
（1）设定自动探针测试台的工作参数，如晶圆直径、X-Y 方向的芯片步进间距、Z 方向的分离高度、Z 向升降工作模式、测试方式和打点模式等。
（2）晶圆装在晶圆承片步进台上，晶圆承片步进台进入探针测试台中心。
（3）CCD 显微摄像装置对晶圆扫描找准后，X-Y 二维步进工作台移动定位。
（4）升降电动机控制Z 轴，抬升承片台，使探针阵列和测试芯片准确接触。
（5）探针测试台受启动测试信号的控制，对芯片进行测试。
（6）芯片测试过程结束，探针测试台发出测试完成等信号。
（7）打点装置受打点信号控制，按照测试结果决定是否打墨点之后，承片台下降。
（8）X-Y 二维步进工作台移动一个芯片的步进间距，再次抬升承片台，对下一个对准的芯片进行测试。
（9）不断循环上述步骤，完成晶圆上的所有芯片测试，所有数据和处理结果记录保存。
（10）晶圆从晶圆承片上步进台卸下，完成晶圆测试。
第二单元 单元测试题
一 ·填空题。
1. 硅材料分为晶硅、多晶硅和非晶硅，单晶硅又分为单晶硅和区熔单晶硅。
2. 圆硅片边缘有定位边，定位边可用于表示硅片的晶体结构、
3. 对硅片进行选择性的化学/可以作出缺陷性质判定和计算评估，这是检测硅片缺陷的直观、简单的方法。
4. 硅单晶片的导电类型分为P 型和型两大类。
5. 工艺的晶向硅片，MOS 器件用晶向的原始抛光硅片作为器件衬底。
6.PN 结正向偏置时，其P 区接电源极，N 区接电源PN 结的电源随外加电压增大而呈 指数 规律快速增大。
7. 耗尽层具有结电容（又称为电容）效应。耗尽层正向偏置电压时，耗尽层变 ；PN 结两端加反向偏置电压时，耗尽层变，相当于结电容“ 充 电”。
8. 双极性器件有电子和两种载流子参与导电，它是一种电
9. 双极性三极管通常有 饱和 、 放大 NPN 管的互补器件。
10. 双极性晶体管的常见特性曲线有特性曲线I B =f (V BE ) V CE 和转移特性曲线
I C =f | I B
11. 场效应晶体管是一种控制的单级四端D G 、源 S 和衬底B ）。
12.MOSFET 的常见特性曲线有漏极特性曲线 I D =f ( | 和转移特性曲线 I D =f ( |。
13.CMOS 器件中，互补的NMOS 作为驱动管、PMOS 作为NOMS 管做在衬底上，则PMOS 必须做在比衬底浓度 高 的“ N 阱”中。 14.TTL 集成电路的民品系列的前缀是“74”，军品系列的前缀是“。TTL 集成电路的标准工作电压是 5 V 。
15. CMOS 反相器是由NOMS 管和PMOS 管互补联构成，CMOS 传输门是由NOMS 管和PMOS 管互补 并 联构成。其他各种基本CMOS 逻辑单元电路可以由NOMS 管和PMOS 管的 串并 联构成。
16.D/A转换器的输入是量，输出是
17. 双极性集成电路芯片版图中的 P 隔离槽区接岛内的 N 外延层通过N 区接 最高 电位。
18. MOS 型集成电路中常采用MOS 管构成的
19. 集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有电路中任意两个分立连接接点之间的电气连通，称为 互连 ，它具有距离和带/线通道的特征。
20. 自动探针测试台的X-Y 二维步进传动机构分为 大类。 -++
二·判断题。
1. 超高纯度的半导体级本征多晶硅是99.9999999%，简称“九个9”。 （√）
2. 圆硅片边缘有定位变，短的次定位边为各种定位基准用，还可表明其单晶结构和晶向，长的主定边可以示意硅片的晶向和导电类型。 （×）
3. 在大于Ñ⎰200 mm 的硅片上，可用定位小孔槽和硅片背面激光刻印信息标志的方法，取代硅片定位边。 （√）
4. 在原硅片上已形成了芯片（晶片）阵列的硅片，被称为“晶圆”。 （√）
5. 半导体IC 、晶体管、晶闸管、二极管的最基本构成要素是PN 结。 （√）
6.PN 结具有重要的双向导电特性。 （×）
7.MOSFET 的导电沟道为电子的，称为P 沟MOS 器件；导电沟道为空穴的，称为N 沟MOS 器件。 （×）
8.LSI 都用耗尽层型MOS 管好构成，CMOS 由NMOS 和PMOS 构成。 （×）
9.BiCMOS 集成电路是在同一硅衬底上同时制作CMOS 器件和双极性型器件而构成的。它适用于制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。 （√）
10.A/D转换器的二进制位数n 增加，即分辨率提高，其取整量化的误差会减小，最大量化误差为1/2 ，即一个量化单位为1 LSB。 n （√）
11. 位权电阻网络和模拟电子开关是D/A转换器的核心电路模块。 （√）
12. 采样保持电路和量化编码电路时A/D转换器的核心功能模块。 （√）
13. 设计时使每个焊盘（PAD) 都需要单独配有独立的隔离岛，是为了避免焊盘之间的短路。 （√）
14. 双击型集成电路中的横向PNP 管常用于大电流的情况。 （√）
15.MOS 型集成电路芯片的二维表面由有效或有源区（MOS 管区）和场氧区（厚氧区）构成。 （√）
16. 微电子测试结构广泛用于芯片制造工艺结束后的晶圆片测试中。 （√） 三·单项选择题。
1. 位错缺陷在硅单晶片上呈现（ B ）的蚀坑。
A. 三角形 B. 四边形 C. 菱形 D. 半月形
2.P 型和N 型交界面附近形成的空间电荷区是两边正负离子数 C 并缺少载流子的耗尽区。
A. 为正离子大于负离子 B. 不相等 C. 相等 D. 为负离子大于正离子
3.PN 结反相偏置时，最低电流几乎为零，随外加反向电压增大，达到某一个临界电压时，电流才迅速增加，该临界电压称为 （ C ） 电压。
A. 正向 B. 反向 C. 击穿 D. 恒定
4. 双极性晶体管的发射区E 、基区B 和集电区C 的掺杂浓度之间的关系为（ C ）。
A.EB>C D.B>E>C
5. 当双极性三极管的 B ）
A. 发射极正偏，集电极正偏 B. 发射极正偏，集电极反偏
C. 发射极反偏，集电极反偏 D. 发射极反偏，集电极正偏
6.MOS 晶体管阈值电压 C ）是增强型的MOS 管。
A. V T ≤0 B. V T ≤0 C. V T >0 D. V T =0
7. 三输入与非门的逻辑输出（ D ）
A. A +B +C B.A+B+C C.ABC D. ABC
8. 双极性集成电路中MOS 电容的上电极通常为（ B ）
A. N 发射区扩散层
C.P 基区扩散层 + B. 金属铝膜 D. N 外延层 -
9. 对于MOS 型集成电路中的双层多晶硅MOS 电容器结构，只要控制 B 和质量，就可以制备高精度的MOS 电容。
A. 上下层多晶硅的厚度 B. 氧化层的厚度
C. 上层多晶硅的掺杂浓度 D. 下层多晶硅的掺杂浓度
10. 集成电路中紧邻两点或多点之间的电气连通，称为连接，它具有 C ）的特征。
A. 键合 B. 延伸 C. 接触 D. 铆接
四·多项选择。（至少有两个正确答案）
1. 由于硅片 ABCE ）
A. 很硬脆 B. 边缘易破裂
C. 边缘会造成应力集中 F. 很单薄 D. 很平整 E. 边缘易产生碎屑
2. 硅片的主要检测项目有（ ABCDEF ）等。
A. 平整度 B. 电阻率 C. 氧含量
D. 晶格缺陷 E. 物理尺寸 F. 表面微粗糙度
3. 硅单晶片的导电类型可以利用 ACDE ）等物理效应进行检测。
A. 热电 B. 原电池
C. 整流 F. 光衍射 D. 霍尔 E. 光电
4. 测量硅单晶片电阻率的方法有 ABCDE ）
A. 两探针法 B. 四探针法
C.C-V 法 F. 六探针法 D. 涡电流法 E. 扩展电阻探针法
5. 芯片的外围四周许多焊盘是 ACEF ）
A. 金属铝 B. 金属钨 C. 探针测试接触点
D. 多晶硅 E. 键合引线压焊点 F. 各自独立的隔离区
6. 利用微电子测试结构可以提取集成电路制造的 ACEF ）
A. 工艺监控 B. 功能
C. 过程质量控制 F. 可靠性模式 D. 频谱 E. 电路设计模式
7. 微电子测试结构通常镶嵌在 BCEF ）
A. 芯片中心
D. 芯片功能区 B. 划片间隔内 E. 晶圆片中心 C. 同一芯片上空隙位置 F. 晶圆的4个象限
8. 二极管的性能参数有（ ABCDEF ）等。
A. 正向电压V F
D. 整流效率R E B. 反向电流I R E. 电容量 C O C. 反向击穿电压BV F. 反向恢复时间
9. 二极管通常用于 ACEF ）
A. 整流 B. 放大 C. 检波
D. 变换 E. 限幅 F. 钳位
10. 集成电路中常用于的二极管有（ ABCF ）二极管。
A. 齐纳 B. 肖特基 C. 一般PN 结
F. 三极管接成的二极管 D. 光电 E. 变容
11. 双极性晶体管的主要电参数有 ABCDE ）
A. 反向击穿电压 B. 极间反向电流
C. 各种电流放大系数 F. 材料参数 D. 开馆时间参数 E. 频率参数
12.CMOS 器件的优点有 ABEF ）。
A. 功率极低 B. 集成度高 C. 电流驱动能力强
D. 适用射频 E. 工艺简单 F. 能按比例缩小
13. 双击型集成电路中除了大量NPN 晶体管外，常见（ BCD ）结构的PNP 管。
A. 纵向 B. 横向 C. 复合
F. 射频
C.4000B
F.74HC D. 衬底 E. 肖特基 14.TTL 集成电路的民品系列有 ABE ）等几种。 A.74LS B.74AS D.54ALS E.74ALS
15.74HC 系列（HCMOS ）具有 BCDEF ）
A. 电流驱动能力强 B. 低功耗 C. 高速型
F. 引脚与TTL 兼容 D. 集成度高 E. 不易阻塞
16.CMOS 反相器的主要性能参数有 ABCDEF ）。
A. 静态电流 B. 输入电平/电流 C. 传输延迟时间
D. 转换时间 E. 输出电平/电流 F. 输入电容
17.CMOS 传输门的主要性能参数有（ ABCDEF ）。
A. 静态电流 B. 泄漏电流 C. 平均传输延迟时间
D. 输入电容 E. 导通电阻 F. 控制端输入电平/电流
18. 运算放大器的重要性能参数大多由输入级决定，如（ ABCDE ）等。
A. 输入失调电压
D. 输入阻抗 B. 输入失调电流 E. 输入电压范围 C. 共模抑制比 F. 总电压增益
19. 理想情况集成电路运算放大器的 ABE ）。
A. CMRR →∞
D. CMRR →∞ B. 输入阻抗为无穷大 E. 输出阻抗 Z O 为零 C. 输入阻抗为零 F. 输出阻抗 Z O 为无穷大
20. 模拟集成电路中应用极广泛的几个最基本有源单元有 ABCDEF ）
A. 单管放大器 B. 复合双管放大器 C. 恒流源电路
F. 有源负载 D. 差分和推挽放大器 E. 偏置电压源电路
21.A/D变换过程可以认为是（ ABDE ）的过程。
A. 采样 B. 量化
C. 离散信号到连续信号 F. 数字信号到模拟信号 D. 保持 E. 编码
22.D/A变换过程可以看作是 ABDF ）的过程。
A. 量化 B. 锁存 C. 连续到离散的
F. 保持 D. 编码 E. 模拟信号到数字信号
23.DAC 的主要性能参数是 ABEF ）
A. 变换精度 B. 分辨率
C. 采样值 F. 线型误差 D. 保持量 E. 变换速度
24.ADC 的性能参数指标有 ABCDEF ）
A. 量化误差 B. 绝对精度 C. 分辨率
D. 转换时间 E. 相对精度 F. 采样频率
25. 集成电路中元器件之间有效的体内三维电学隔离方法有 ABCDF ）。
A.PN 结隔离 B. 场氧介质环隔离
C. P 环槽隔离 F. 二氧化硅介质隔离 +D. 多晶硅介质环槽隔离 E. 金属氧化膜隔离
26. 集成电路中的半导体电阻有（ ACDEF ）
A. 扩散电阻 B. 金属膜电阻 C. 沟道电阻
D. 离子注入电阻 E. 体电阻 F. 有源电阻
27. 成熟的集成电路金属铜模互连线工艺技术，通过（ BDE ）了大规模应用的问题。
A. 湿法刻蚀工艺 B. 镶嵌工艺 C. 干法刻蚀工艺
D. 化学机械抛光工艺 E. 阻挡层包封 F. 铜焊接
28. 利用探针阵列卡可以检测的晶圆测试项目有 ABDE ）。
A. 直流参数 B. 某些极限参数
C. 高速的交流参数 F. 射频参数 D. 低俗低频的交流参数 E. 功能
29. 手动探针卡测试台由（ ABCDEF ）等构成。
A. 载物工作台 B. 探针卡 C. 打墨点装置
D. 体视显微镜 E. 探针卡支架 F. 电学测试仪器装置
30. 自动探针测试台进行晶圆测试时，首先要设定（ ABCDEF ）等工作参数。
A. 芯片X 与Y 步进间距
D.Z 方向的分离高度
五·简答题。 B. 晶圆直径 C. 测试方法 F. 打点模式 E.Z 向升降工作模式
1. 简述硅片制备的加工工艺流程。
答：硅片制备的加工工艺流程为：硅单晶棒→整形处理→定位于切片→倒角与磨片→ 腐蚀与抛光→清洗与质量检测→包装入库。
2. 简述Bipoly ，CMOS 和BiMOS 集成电路的特点。
答：Bipoly ，CMOS 和BiMOS 集成电路的特点分别如下所示。
（1）Bipoly 集成电路中的跨导高、负载驱动能力强、速度高、与其他电路易匹配，缺点是集成度相对较低、功耗也较大。
（2）CMOS 集成电路的静态功耗趋近于零、动态功耗也极低、输出电压范围宽、结构简单、输入阻抗高、抗干扰能力强和集成度高，适合大规模集成。亚微米级CMOS 电路的工作速度已可达到大于几百MHz 的水平。CMOS 集成电路已成为大规模集成电路发展的主流。
（3）BiMOS 集成电路整合了CMOS 工艺技术和双极性工艺技术，综合了CMOS 器件高集成度、低功耗和双极性器件跨导高、负载驱动能力强的优点。但是，BiMOS 工艺较复杂，工序较多，制造成本也会增加，适应与制作同时要求高集成度、高速和高性能的单片集成电路。
3. 简述集成运算放大器的4个主要组成部分，并画出组成框图和图形符号。
答：
（1）集成运算放大器的4个主要组成部分为差动输入级（第一级放大）、中间放大器（第二级放大）、推挽输出级和各级的偏置电路。
（2）集成运算放大器的组成如图2-53所示。
图2-53 集成运算放大器组成框图
（3）集成运算放大器的图形符号如图2-54所示。
图2-54 集成运算放大器的图形符号
（4）简述自动探针测试台晶圆测试的整个工作步骤。
答：自动探针测试台晶圆测试的整个工作步骤如下所示。
（1）设定自动探针测试台的工作参数，如晶圆直径、X-Y 方向的芯片步进间距、Z 方向的分离高度、Z 向升降工作模式、测试方式和打点模式等。
（2）晶圆装在晶圆承片步进台上，晶圆承片步进台进入探针测试台中心。
（3）CCD 显微摄像装置对晶圆扫描找准后，X-Y 二维步进工作台移动定位。
（4）升降电动机控制Z 轴，抬升承片台，使探针阵列和测试芯片准确接触。
（5）探针测试台受启动测试信号的控制，对芯片进行测试。
（6）芯片测试过程结束，探针测试台发出测试完成等信号。
（7）打点装置受打点信号控制，按照测试结果决定是否打墨点之后，承片台下降。
（8）X-Y 二维步进工作台移动一个芯片的步进间距，再次抬升承片台，对下一个对准的芯片进行测试。
（9）不断循环上述步骤，完成晶圆上的所有芯片测试，所有数据和处理结果记录保存。
（10）晶圆从晶圆承片上步进台卸下，完成晶圆测试。