方案三 差分放大电路
【项目目标】
知识目标
掌握场效应管的类型、场效应的电压控制作用及共源极放大电路的分析与应用。 能力目标
具有识别场效应管的能力,具有共源极放大的分析能力。
将J8、J9与 J6、J7之间分别加一毫安表,J10、J11连接与J12 改变电位器RP6.将测量的结果记录如下:
知识点导入
镜像电流源的基本特性。
知识点讲解
基本镜像电流源电路如图所示。
T1、T2参数完全相同(即β1=β2,ICEO1=ICEO2)。 原理:因为VBE1=VBE2,所以IC1=IC2
IREF=IC1+2IB=IC1+2
IC1
β
IREF——基准电流:IC1=推出,当IREF=
β>>2
IREF
=IC2
1+2/β
时,IC2= IC1≈
0-(-UCC+UBE)VCC0-VB1
≈ =
R+Rp6R+Rp6R+Rp6
优点: (1)IC2≈IREF,即IC2不仅由IREF确定,且总与IREF
相等。
(2)T1对T2具有温度补偿作用,IC2温度稳定性能好(设温度增大,使IC2增大,则IC1增大,而IREF一定,因此IB减少,所以IC2减少)。
缺点: 图3.1.4 基本镜像电流源电路 (1)IREF(即IC2)受电源变化的影响大,故要求电源十分稳定。
(2)适用于较大工作电流(mA数量级)的场合。若要IC2下降,则R就必须增大,这在集成电路中因制作大阻值电阻需要占用较大的硅片面积。
(3)交流等效电阻Ro不够大,恒流特性不理想。
(4)IC2与IREF的镜像精度决定于β。当β较小时,
I
C2与IREF 的差别不能忽略。
巩固训练:将电路图中的值按照电位的阻值代入进行计算?看测量结果与理论之间的误差?
电路测试2
将J8、J9与 J6、J7之间分别加一毫安表,改变电位器RP6.将测量的结果
知识点导入
镜像电流源的基本特性。
知识点讲解
比例电流源(改进电路二)
带有发射极电阻的镜像电流源,它是针对基本镜像电流源缺点(3)进行的改进,其中Re1=Re2,两管输入仍有对称性,所以:
1
Io=IR
1+2/β IRR+VBE+IE1Re1=VCC
V-VBE
≠Io IR≈CC
R+Re1
求T2的输出电阻Ro:
⎧vo=(io-βib)rce+ieRe2⎪≈
⎪RB=R//(Re1+rD)≈R//Re1
⎨
⎪ib(RB+
rbe)+ieRe2=0⎪i=i+i⎩ebo
Ro=rce+Re2+
Re2
(βrce-Re2)
rbe+RB+Re2
≈rce(1+
βRe2
rbe+RB+Re2
)
图3.1.6 镜像电流源及其等效电路
输出阻值较大,所以这种电流源具有很好的恒流特性。温度稳定性比基本的电流源好得多。
若此电路Re1不等于Re2,则:
VBE1+IE1Re1=VBE2+IE2Re2
(式中,IE1即IR,IE2即Io)
Io≈
(VBE1-VBE2)+IRRe1
Re2
参数对称的两管在IC相差10倍以内时,|VBE1-VBE1|
R
Io≈e1IR
Re2
即只要合理选择两T射极电阻的比例,可得合适的Io、Ro。因此,此电流源又称为比例电流源。
巩固训练:将电路图中的值按照电位的阻值代入进行计算?看测量结果与理论之间的误差?
知识链接:
微电流源
有些情况下,要求得到极其微小的输出电流IC2,这时可令比例电流源中的Re1=0,如图3.1.7即可以在Re2不大的情况下得到微电流IC2。
原理:当IR一定时,Io可确定为:
VBE1-VBE2=IE2Re2=∆VBE
Io≈IE2=
VBE1-VBE2∆VBE
=
Re2Re2
图3.1.7 微电流源电路 可见,利用两管基-射电压差ΔVBE可以控制Io。由于ΔVBE
的数值小,用阻值不大的Re2即可得微小的工作电流——微电流源。
βRe2
Ro=rce(1+)
rbe1+R5+Re2
微电流源特点:
(1)T1,T2是对管,基极相连,当VCC、R、Re2已知时,IREF≈VBE1、VBE2为定值时,IC2=
∆VBE
也确定了。 Re2
VCC
(略去VBE),当R
(2)当VCC变化时,IREF、ΔVBE也变化,由于Re2的值一般为千欧级,变化部分主要降至Re2上,即ΔVBE2
(3)T1管对T2管有温度补偿作用,IC2的温度稳定性好。总的说来,电流“小”而“稳”。小——R不大时IC2可以很小(微安量级)。稳——Re2(负反馈)使恒流特性好,温度特性好,受电源变化影响小。进一步,电流的数学关系为:
IoRe2=VBE1-VBE2
而 IC≈IseVBE/VT
VBE=
VTln
IC
Is
IoRe2=VT(ln
IC1I
-lnC2)IsIs
I
=26(mV)lnC1
Is
26(mV)IC1
Io=ln
Re2IC2
若
IC1
=10 IC2
则 IC2 Re=26ln10≈60mV
即电流每增加10倍,IC2Re总是增加60mV。因此得到电流每增加10倍,Re上的电压增加60mV的简单数学关系式,使计算十分方便。
思考:若要求提供10µA的输出电流,使用VCC=6V的电源,R=19kΩ,你如何设计这
个电流源?
电流源的主要应用
前面曾提到,增大Rc可以提高共射放大电路的电压增益,但是,Rc不能很大,因为在集成工艺中制造大电阻的代价太高,而且,在电源电压不变的情况下,Rc越大,导致输出幅度越小。那么,能否找到一种元件代替Rc,其动态电阻大,使得电压增益增大,但静态电阻较小,因而不致于减小输出幅度呢?自然地,可以考虑晶体管恒流源。由于电流源具有直流电阻小,交流电阻大的特点,在模拟集成电路中较为广泛地把它作负载使用——有源负载,
【项目操作】
电路测试
1、观察此电路的组成
2、将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。观察此时电压表的读数。
知识点导入
差分放大电路基本特性、静态特性
知识点讲解
一、差分放大电路的静态特性
因没有输入信号,即vs1=vs2=0时,由于电路完全对称:
ic1=ic2=ic=Rc1ic1=Rc2ic2vo=vc1-vc2=0
i2
所以输入为0时,输出也为0。
二、差分放大电路的基本特性 (一)零漂及电路组成
在直接耦合放大电路中提到了零漂的问题,抑制零漂的方法一般有如下几个方面: (1)选用高质量的硅管。
(2)采用补偿的方法,用一个热敏元件,抵消IC受温度影响的变化。 (3)采用差动放大电路。
本节详细讨论差动放大器的工作原理和基本性能,如图3.2.1所示。 基本差动式放大器如图3.2.1所示。
T1、T2——特性相同的晶体管。电路对称,参数也对称,如:
VBE1=VBE2=VBE,Rc1=Rc2=Rc, Rb1=Rb2=Rb,Rs1=Rs2=Rs, β1=β2=β;
电路有两个输入端:b1端,b2端;有个输出端:c1端,c2端。 (二)共模信号和差模信号。
若vs1=-vs2——差模输入信号,大小相等,对共同端极性相反的两个信号,用vsd表示。 若vs1=vs2——共模输入信号,大小相等,对共同端的极性相同,按共同模式变化的信号,用vsc表示。
实际上,对于任何输入信号和输出信号,都是差模信号和共模信号的合成,为分析简便,将它们分开讨论。
考虑到电路的对称性和两信号共同作用的效果有:
v1111
vs1v→vs1+vs2+vs1-vs2=vsc+sd s1→
22222
vsd1111v v→v+v-v+v=v-s2→s2s1s2s1s2sc
22222
于是,此时相应的差模输入信号为:
vsd=vs1-vs2差模信号是两个输入信号之差,即vs1、vs2中含有大小相等极性相反的一对信号。
共模信号:vsc=(vs1+vs2)/2 共模信号则是二者的算术平均值,即vs1、vs2中含有大小相等,极性相同的一对信号。即对于差放电路输入端的两个任意大小和极性的输入信号vs1和vs2均可分解为相应的差模信号和共模输入信号两部分。 (三)、差模信号和共模信号的放大倍数
放大电路对差模输入信号的放大倍数称为差模电压放大倍数AVD:AVD=vo/vsd。 放大电路对共模输入信号的放大倍数称为共模电压放大倍数AVC:AVC=vo/vsc。
在差、共模信号同存情况下,线性工作情况中,可利用叠加原理求放大电路总的输出电压vo。
vo=AVDvsd+AVCvsc
例题讲解:如图3.2.2所示,vs1=5mV,vs2=1mV,则vsd=5-1=4mV,vsc=0.5(5+1)=3mV。 也就是说,两个输入信号可看作是
1
vs1=vsc+vsd
2
1
vs2=vsc-vsd
2
vs1=5mV→3mV+2mV vs2=1mV→-3mV+2mV
差模输入信号vsd=4mV和共模输入信号vsc=3mV叠加而成。
电路测试3
将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。J14、J15与J16、J17之间加一信
知识点导入
差分放大电路动态特性
知识点讲解
从测量的结果看:vb1增大使得ib1增大,使ic1增大使得vc1减小。vb2减小使得ib2减小,又使ic2减小,使得vc2增大。
由此可推出:
vo=vc1-vc2=2v(v为每管变化量)。若在输入端加共模信号,即vs1=vs2。由于电路的对称性和恒流源偏置,理想情况下,vo=0,无输出。
这就是所谓“差动”的意思:两个输入端之间有差别,输出端才有变动。
3. 在差动式电路中,无论是温度的变化,还是电流源的波动都会引起两个三极管的ic
及vc的变化。这个效果相当于在两个输入端加入了共模信号,理想情况下,vo不变从而抑制了零漂。当然实际情况下,要做到两管完全对称和理想恒流源是比较困难的,但输出漂移电压将大为减小。
综上分析,放大差模信号,抑制共模信号是差放的基本特征。通常情况下,我们感兴趣的是差模输入信号,对于这部分有用信号,希望得到尽可能大的放大倍数;而共模输入信号可能反映由于温度变化而产生的漂移信号或随输入信号一起进入放大电路的某种干扰信号,对于这样的共模输入信号我们希望尽量地加以抑制,不予放大传送。凡是对差放两管基极作用相同的信号都是共模信号。
常见的有:
(1)vi1不等于-vi2,信号中含有共模信号;(2)干扰信号(通常是同时作用于输入端); (3)温漂。
ic1=ic2=ic=
静态估算:
i2
vc1=vc2=VCC-icRc
ic
i
ib1=ib2-=ib=
β2β
vb1=vb2=-ibRs
电路测试4
将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。J14、J15与J16、J17之间加一信号源,1、两信号源所加电压大小相等,方向相反,测量结果?
2、两信号源所加电压大小相等,方向相同,测量结果?
知识点导入
差分放大电路动态特性
知识点讲解
差放电路有两个输入端和两个输出端。同样,输出也分双端输出和单端输出方式。组合起来,有4种连接方式:双端输入双端输出、双入单出、单入双出、单入单出。
1.双入双出
(1)输入为差模方式:vS1=-vS2=
vsd
,若ic1上升,而ic2下降。电路完全对称时,则|2
Δic1| =|Δic2|因为I不变,因此Δve=0(vo1=vc1,vo2=vc2)。
vv-v2vvβRc
AVD=o=o1o2=o1=o1=-
vsdvs1-vs22vs1vs1Rs+rbe
即AVC=A1(共发射单管放大电路的放大倍数)。
有负载RL时
AVD'=-
βRL'
Rs+rbe
(RL'=Rc//RL/2)
图3.2.4 差动放大器共模输入交流通路及其等效电路
因为RL的中点是交流地电位,因此在其交流通路中,电路中线上各点均为交流接地,由此可画出信号的交流通路如图3.2.4所示,由上面的计算可见,负载在电路完全对称,双入双出的情况下,AVD=A1,可见该电路使用成倍的元器件换取抑制零漂的能力。
差模输入电阻Ri——从两个输入端看进去的等效电阻Ri=2rbe。 差模输出电阻Ro的值为Ro=2Rc Ro、Ri是单管的两倍。
(2)输入为共模方式:vs1=vs2,此时变化量相等,vc1=vc2
vv-vo2v-vc2
AVC=o=o1=c1=0
vscvscvsc实际上,电路完全对称是不容易的,但即使这样,AVC也很小,放大电路的抑制共模能
力还是很强的。
巩固训练:J3与地连接,将J4悬空,计算电路的放大倍数和输入电阻及
输出电阻。
知识链接 单入双出、单出
若vs1=vi>0,则ic1增大,使ie1也增大,ve增大。由于T2的b级通过Rs接地,如图3.2.6所示,则vBE2=0-ve=-ve,所以有vBE2减小,ic2也减小。整个过程,在单端输入vs的作用下,
两T的电流为ic1增加,ic2减少。所以单端输入时,差动放大的T1、T2仍然工作在差动 状态。
图3.2.5 2Re为等效电阻
图3.2.6 单端输入、双端输出电路
从另一方面理解:vs1=vi,vs2=0将单端输入信号分解成为一个差模信号vsd和共模信号vsc
vsd=vs1-vs2=vi
(v+vs2)vi vsc=s1=
22
将两个输入端的信号看作由共模信号和差模信号叠加而成,即:
vsc+vsdvivi
=+222
vsc-vsdvivi
vs2==-
222vs1=
电路输出端总电压为:vo=AVCvsc+AVDvsd
经过这样的变换后,电路便可按双入情况分析:
βRL
AVC=0,AVD=-
Rs+rbe(1)如为双端输出,则似双入双出中分析:
(RL=Rc//0.5RL)vo=AVDvsd=AVDvi
即可看为单入双出时的输出vo与双入双出相同。 (2)如为单端输出(设从T1,c极输出),则似双入单出中分析
βRL'R'
≈-L AVC=-
2ReRs+rbe+(1+β)2Re
(RL'=Rc//RL)
AVD=-
βRL
2(Rs+rbe)
AVDvi+AVCvi2
vo=AVDvsd+AVCvsc=
(3)差模输入电阻: 当Re很大时(开路),可近似认为Ri与差动输入时相似Ri≈2rbe (4)输出电阻: 双出:Ro=2Rc 单出:Ro=Rc
注:对于单入单出的情况,从T1的c极输出,和从T2的c极输出时输入,输出的相位关系是不同的。
从T1的c极输出如图3.2.7所示。 设vi的瞬时极性大于零,则ic1增大,vc1减小,所以输出与输入电压相位相反,所以AVD
设vi的瞬时极性大于零,则ic1增大,ve增大,使得vBE2减小,所以ic2减小,vc2增大,输入输出相位相同。所以AVD>0。
由以上分析可知在单入单出差放电路中,如果从某个三极管的b极输入,然后从同一个T的c极输出,则vo和vi反相;如果从另一T的c极输出,则vo和vi同相。顺便提一下,在单出的情况下,常将不输出的三极管的Rc省去,而将T的c极直接接到电源VCC上。
图3.2.7 从T1的c极输出 图3.2.8 从T2的c极输出
电路测试5
1、 测量差模放大倍数AVd
将TP9接地,从 TP8处输入峰峰值为50mV,频率为1KHz的差模信号Vid。参见图7-1,用毫伏表分别测出双端输出差模电压Vod(Uo1–Uo2)和单端输出电压Vod1(Uo1)、Vod2(Uo2)。用示波器观察它们的波形(Vod的波形观察方法:用两个探头,分别测Vod1、Vod2的波形,微调档相同,按下示波器Y2反相按键,在显示方式中选择叠加方式即可得到所测的差分波形)。并计算出差模双端输出的放大倍数A Vd和单端输出的差模放大倍数AVd1或A Vd2。记入自制表格中。
2、 测量共模放大倍数AVC
连接输入端TP8和TP9,则R1与R2从电路中断开。从TP8端输入峰峰值为5V,频率为1KHz的共模信号,用毫伏表分别测量T1、T2两管集电极对地的共模输出电压UOC1和UOC2,用示波器观察它们的波形,则双端输出的共模电压为UOC=UOC1-UOC2,并计算出单端输出的共模放大倍数AVC1(或AVC2)和双端输出的共模放大倍数AVC。
知识点导入
共模抑制比
知识点讲解
共模抑制比
共模抑制比KCMR是衡量差放抑制共模信号能力的一项技术指标。
定义: KCMR=|AVD| AVC
有时用分贝数表示:
KCMR=201g|AVD|dB AVC
AVD越大,AVC越小,则共模抑制能力越强,放大器的性能越优良,所以K越大越好。
11
在差放电路中,若电路完全对称,如图3.2.9所示,则有:
图3.2.9 基本差动放大电路在共模输入时的交流通路
(1)双端输出时,KCMR趋于无穷(AVC→0)。
(2)单端输出时,
KCMR=|AVDβRe |≈AVCRs+rbe
由此得,恒流源的交流电阻Re越大,K越大,抑制共模信号能力越强。
vo=AVDvsd+AVCvsc
AVDvscK
v/v=AVDvsd(1+scsd)KCMR
由此知,设计放大器时,必须至少使 KCMR>vsc/vsd。例如:设KCMR=1 000,vsc=1mV,
v/vvsd=1µV,则scsd=1。 KCMR=AVDvsd+
这就是说,当K=1 000时,两端输入信号差为1µV时所得输出vo与两端加同极性信号1mV所得输出vo相等。若KCMR=10 000,则后项只有前项1/10,再一次说明K越大,抑制共模信号的能力越强。
巩固训练:将上述所测量结果代入公式求相应共模抑制比。
【技能训练】
对照电路图在面包板上搭建差分放大电路,并放入防盗报警器中。
【项目总结】
【拓展训练】
12
方案三 差分放大电路
【项目目标】
知识目标
掌握场效应管的类型、场效应的电压控制作用及共源极放大电路的分析与应用。 能力目标
具有识别场效应管的能力,具有共源极放大的分析能力。
将J8、J9与 J6、J7之间分别加一毫安表,J10、J11连接与J12 改变电位器RP6.将测量的结果记录如下:
知识点导入
镜像电流源的基本特性。
知识点讲解
基本镜像电流源电路如图所示。
T1、T2参数完全相同(即β1=β2,ICEO1=ICEO2)。 原理:因为VBE1=VBE2,所以IC1=IC2
IREF=IC1+2IB=IC1+2
IC1
β
IREF——基准电流:IC1=推出,当IREF=
β>>2
IREF
=IC2
1+2/β
时,IC2= IC1≈
0-(-UCC+UBE)VCC0-VB1
≈ =
R+Rp6R+Rp6R+Rp6
优点: (1)IC2≈IREF,即IC2不仅由IREF确定,且总与IREF
相等。
(2)T1对T2具有温度补偿作用,IC2温度稳定性能好(设温度增大,使IC2增大,则IC1增大,而IREF一定,因此IB减少,所以IC2减少)。
缺点: 图3.1.4 基本镜像电流源电路 (1)IREF(即IC2)受电源变化的影响大,故要求电源十分稳定。
(2)适用于较大工作电流(mA数量级)的场合。若要IC2下降,则R就必须增大,这在集成电路中因制作大阻值电阻需要占用较大的硅片面积。
(3)交流等效电阻Ro不够大,恒流特性不理想。
(4)IC2与IREF的镜像精度决定于β。当β较小时,
I
C2与IREF 的差别不能忽略。
巩固训练:将电路图中的值按照电位的阻值代入进行计算?看测量结果与理论之间的误差?
电路测试2
将J8、J9与 J6、J7之间分别加一毫安表,改变电位器RP6.将测量的结果
知识点导入
镜像电流源的基本特性。
知识点讲解
比例电流源(改进电路二)
带有发射极电阻的镜像电流源,它是针对基本镜像电流源缺点(3)进行的改进,其中Re1=Re2,两管输入仍有对称性,所以:
1
Io=IR
1+2/β IRR+VBE+IE1Re1=VCC
V-VBE
≠Io IR≈CC
R+Re1
求T2的输出电阻Ro:
⎧vo=(io-βib)rce+ieRe2⎪≈
⎪RB=R//(Re1+rD)≈R//Re1
⎨
⎪ib(RB+
rbe)+ieRe2=0⎪i=i+i⎩ebo
Ro=rce+Re2+
Re2
(βrce-Re2)
rbe+RB+Re2
≈rce(1+
βRe2
rbe+RB+Re2
)
图3.1.6 镜像电流源及其等效电路
输出阻值较大,所以这种电流源具有很好的恒流特性。温度稳定性比基本的电流源好得多。
若此电路Re1不等于Re2,则:
VBE1+IE1Re1=VBE2+IE2Re2
(式中,IE1即IR,IE2即Io)
Io≈
(VBE1-VBE2)+IRRe1
Re2
参数对称的两管在IC相差10倍以内时,|VBE1-VBE1|
R
Io≈e1IR
Re2
即只要合理选择两T射极电阻的比例,可得合适的Io、Ro。因此,此电流源又称为比例电流源。
巩固训练:将电路图中的值按照电位的阻值代入进行计算?看测量结果与理论之间的误差?
知识链接:
微电流源
有些情况下,要求得到极其微小的输出电流IC2,这时可令比例电流源中的Re1=0,如图3.1.7即可以在Re2不大的情况下得到微电流IC2。
原理:当IR一定时,Io可确定为:
VBE1-VBE2=IE2Re2=∆VBE
Io≈IE2=
VBE1-VBE2∆VBE
=
Re2Re2
图3.1.7 微电流源电路 可见,利用两管基-射电压差ΔVBE可以控制Io。由于ΔVBE
的数值小,用阻值不大的Re2即可得微小的工作电流——微电流源。
βRe2
Ro=rce(1+)
rbe1+R5+Re2
微电流源特点:
(1)T1,T2是对管,基极相连,当VCC、R、Re2已知时,IREF≈VBE1、VBE2为定值时,IC2=
∆VBE
也确定了。 Re2
VCC
(略去VBE),当R
(2)当VCC变化时,IREF、ΔVBE也变化,由于Re2的值一般为千欧级,变化部分主要降至Re2上,即ΔVBE2
(3)T1管对T2管有温度补偿作用,IC2的温度稳定性好。总的说来,电流“小”而“稳”。小——R不大时IC2可以很小(微安量级)。稳——Re2(负反馈)使恒流特性好,温度特性好,受电源变化影响小。进一步,电流的数学关系为:
IoRe2=VBE1-VBE2
而 IC≈IseVBE/VT
VBE=
VTln
IC
Is
IoRe2=VT(ln
IC1I
-lnC2)IsIs
I
=26(mV)lnC1
Is
26(mV)IC1
Io=ln
Re2IC2
若
IC1
=10 IC2
则 IC2 Re=26ln10≈60mV
即电流每增加10倍,IC2Re总是增加60mV。因此得到电流每增加10倍,Re上的电压增加60mV的简单数学关系式,使计算十分方便。
思考:若要求提供10µA的输出电流,使用VCC=6V的电源,R=19kΩ,你如何设计这
个电流源?
电流源的主要应用
前面曾提到,增大Rc可以提高共射放大电路的电压增益,但是,Rc不能很大,因为在集成工艺中制造大电阻的代价太高,而且,在电源电压不变的情况下,Rc越大,导致输出幅度越小。那么,能否找到一种元件代替Rc,其动态电阻大,使得电压增益增大,但静态电阻较小,因而不致于减小输出幅度呢?自然地,可以考虑晶体管恒流源。由于电流源具有直流电阻小,交流电阻大的特点,在模拟集成电路中较为广泛地把它作负载使用——有源负载,
【项目操作】
电路测试
1、观察此电路的组成
2、将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。观察此时电压表的读数。
知识点导入
差分放大电路基本特性、静态特性
知识点讲解
一、差分放大电路的静态特性
因没有输入信号,即vs1=vs2=0时,由于电路完全对称:
ic1=ic2=ic=Rc1ic1=Rc2ic2vo=vc1-vc2=0
i2
所以输入为0时,输出也为0。
二、差分放大电路的基本特性 (一)零漂及电路组成
在直接耦合放大电路中提到了零漂的问题,抑制零漂的方法一般有如下几个方面: (1)选用高质量的硅管。
(2)采用补偿的方法,用一个热敏元件,抵消IC受温度影响的变化。 (3)采用差动放大电路。
本节详细讨论差动放大器的工作原理和基本性能,如图3.2.1所示。 基本差动式放大器如图3.2.1所示。
T1、T2——特性相同的晶体管。电路对称,参数也对称,如:
VBE1=VBE2=VBE,Rc1=Rc2=Rc, Rb1=Rb2=Rb,Rs1=Rs2=Rs, β1=β2=β;
电路有两个输入端:b1端,b2端;有个输出端:c1端,c2端。 (二)共模信号和差模信号。
若vs1=-vs2——差模输入信号,大小相等,对共同端极性相反的两个信号,用vsd表示。 若vs1=vs2——共模输入信号,大小相等,对共同端的极性相同,按共同模式变化的信号,用vsc表示。
实际上,对于任何输入信号和输出信号,都是差模信号和共模信号的合成,为分析简便,将它们分开讨论。
考虑到电路的对称性和两信号共同作用的效果有:
v1111
vs1v→vs1+vs2+vs1-vs2=vsc+sd s1→
22222
vsd1111v v→v+v-v+v=v-s2→s2s1s2s1s2sc
22222
于是,此时相应的差模输入信号为:
vsd=vs1-vs2差模信号是两个输入信号之差,即vs1、vs2中含有大小相等极性相反的一对信号。
共模信号:vsc=(vs1+vs2)/2 共模信号则是二者的算术平均值,即vs1、vs2中含有大小相等,极性相同的一对信号。即对于差放电路输入端的两个任意大小和极性的输入信号vs1和vs2均可分解为相应的差模信号和共模输入信号两部分。 (三)、差模信号和共模信号的放大倍数
放大电路对差模输入信号的放大倍数称为差模电压放大倍数AVD:AVD=vo/vsd。 放大电路对共模输入信号的放大倍数称为共模电压放大倍数AVC:AVC=vo/vsc。
在差、共模信号同存情况下,线性工作情况中,可利用叠加原理求放大电路总的输出电压vo。
vo=AVDvsd+AVCvsc
例题讲解:如图3.2.2所示,vs1=5mV,vs2=1mV,则vsd=5-1=4mV,vsc=0.5(5+1)=3mV。 也就是说,两个输入信号可看作是
1
vs1=vsc+vsd
2
1
vs2=vsc-vsd
2
vs1=5mV→3mV+2mV vs2=1mV→-3mV+2mV
差模输入信号vsd=4mV和共模输入信号vsc=3mV叠加而成。
电路测试3
将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。J14、J15与J16、J17之间加一信
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差分放大电路动态特性
知识点讲解
从测量的结果看:vb1增大使得ib1增大,使ic1增大使得vc1减小。vb2减小使得ib2减小,又使ic2减小,使得vc2增大。
由此可推出:
vo=vc1-vc2=2v(v为每管变化量)。若在输入端加共模信号,即vs1=vs2。由于电路的对称性和恒流源偏置,理想情况下,vo=0,无输出。
这就是所谓“差动”的意思:两个输入端之间有差别,输出端才有变动。
3. 在差动式电路中,无论是温度的变化,还是电流源的波动都会引起两个三极管的ic
及vc的变化。这个效果相当于在两个输入端加入了共模信号,理想情况下,vo不变从而抑制了零漂。当然实际情况下,要做到两管完全对称和理想恒流源是比较困难的,但输出漂移电压将大为减小。
综上分析,放大差模信号,抑制共模信号是差放的基本特征。通常情况下,我们感兴趣的是差模输入信号,对于这部分有用信号,希望得到尽可能大的放大倍数;而共模输入信号可能反映由于温度变化而产生的漂移信号或随输入信号一起进入放大电路的某种干扰信号,对于这样的共模输入信号我们希望尽量地加以抑制,不予放大传送。凡是对差放两管基极作用相同的信号都是共模信号。
常见的有:
(1)vi1不等于-vi2,信号中含有共模信号;(2)干扰信号(通常是同时作用于输入端); (3)温漂。
ic1=ic2=ic=
静态估算:
i2
vc1=vc2=VCC-icRc
ic
i
ib1=ib2-=ib=
β2β
vb1=vb2=-ibRs
电路测试4
将J3、J13与 J4、J5之间分别加一毫安表,J1、J14连接。调整RP7使得两毫安表的电流相等。J3与J4之间放一电压表。J14、J15与J16、J17之间加一信号源,1、两信号源所加电压大小相等,方向相反,测量结果?
2、两信号源所加电压大小相等,方向相同,测量结果?
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差分放大电路动态特性
知识点讲解
差放电路有两个输入端和两个输出端。同样,输出也分双端输出和单端输出方式。组合起来,有4种连接方式:双端输入双端输出、双入单出、单入双出、单入单出。
1.双入双出
(1)输入为差模方式:vS1=-vS2=
vsd
,若ic1上升,而ic2下降。电路完全对称时,则|2
Δic1| =|Δic2|因为I不变,因此Δve=0(vo1=vc1,vo2=vc2)。
vv-v2vvβRc
AVD=o=o1o2=o1=o1=-
vsdvs1-vs22vs1vs1Rs+rbe
即AVC=A1(共发射单管放大电路的放大倍数)。
有负载RL时
AVD'=-
βRL'
Rs+rbe
(RL'=Rc//RL/2)
图3.2.4 差动放大器共模输入交流通路及其等效电路
因为RL的中点是交流地电位,因此在其交流通路中,电路中线上各点均为交流接地,由此可画出信号的交流通路如图3.2.4所示,由上面的计算可见,负载在电路完全对称,双入双出的情况下,AVD=A1,可见该电路使用成倍的元器件换取抑制零漂的能力。
差模输入电阻Ri——从两个输入端看进去的等效电阻Ri=2rbe。 差模输出电阻Ro的值为Ro=2Rc Ro、Ri是单管的两倍。
(2)输入为共模方式:vs1=vs2,此时变化量相等,vc1=vc2
vv-vo2v-vc2
AVC=o=o1=c1=0
vscvscvsc实际上,电路完全对称是不容易的,但即使这样,AVC也很小,放大电路的抑制共模能
力还是很强的。
巩固训练:J3与地连接,将J4悬空,计算电路的放大倍数和输入电阻及
输出电阻。
知识链接 单入双出、单出
若vs1=vi>0,则ic1增大,使ie1也增大,ve增大。由于T2的b级通过Rs接地,如图3.2.6所示,则vBE2=0-ve=-ve,所以有vBE2减小,ic2也减小。整个过程,在单端输入vs的作用下,
两T的电流为ic1增加,ic2减少。所以单端输入时,差动放大的T1、T2仍然工作在差动 状态。
图3.2.5 2Re为等效电阻
图3.2.6 单端输入、双端输出电路
从另一方面理解:vs1=vi,vs2=0将单端输入信号分解成为一个差模信号vsd和共模信号vsc
vsd=vs1-vs2=vi
(v+vs2)vi vsc=s1=
22
将两个输入端的信号看作由共模信号和差模信号叠加而成,即:
vsc+vsdvivi
=+222
vsc-vsdvivi
vs2==-
222vs1=
电路输出端总电压为:vo=AVCvsc+AVDvsd
经过这样的变换后,电路便可按双入情况分析:
βRL
AVC=0,AVD=-
Rs+rbe(1)如为双端输出,则似双入双出中分析:
(RL=Rc//0.5RL)vo=AVDvsd=AVDvi
即可看为单入双出时的输出vo与双入双出相同。 (2)如为单端输出(设从T1,c极输出),则似双入单出中分析
βRL'R'
≈-L AVC=-
2ReRs+rbe+(1+β)2Re
(RL'=Rc//RL)
AVD=-
βRL
2(Rs+rbe)
AVDvi+AVCvi2
vo=AVDvsd+AVCvsc=
(3)差模输入电阻: 当Re很大时(开路),可近似认为Ri与差动输入时相似Ri≈2rbe (4)输出电阻: 双出:Ro=2Rc 单出:Ro=Rc
注:对于单入单出的情况,从T1的c极输出,和从T2的c极输出时输入,输出的相位关系是不同的。
从T1的c极输出如图3.2.7所示。 设vi的瞬时极性大于零,则ic1增大,vc1减小,所以输出与输入电压相位相反,所以AVD
设vi的瞬时极性大于零,则ic1增大,ve增大,使得vBE2减小,所以ic2减小,vc2增大,输入输出相位相同。所以AVD>0。
由以上分析可知在单入单出差放电路中,如果从某个三极管的b极输入,然后从同一个T的c极输出,则vo和vi反相;如果从另一T的c极输出,则vo和vi同相。顺便提一下,在单出的情况下,常将不输出的三极管的Rc省去,而将T的c极直接接到电源VCC上。
图3.2.7 从T1的c极输出 图3.2.8 从T2的c极输出
电路测试5
1、 测量差模放大倍数AVd
将TP9接地,从 TP8处输入峰峰值为50mV,频率为1KHz的差模信号Vid。参见图7-1,用毫伏表分别测出双端输出差模电压Vod(Uo1–Uo2)和单端输出电压Vod1(Uo1)、Vod2(Uo2)。用示波器观察它们的波形(Vod的波形观察方法:用两个探头,分别测Vod1、Vod2的波形,微调档相同,按下示波器Y2反相按键,在显示方式中选择叠加方式即可得到所测的差分波形)。并计算出差模双端输出的放大倍数A Vd和单端输出的差模放大倍数AVd1或A Vd2。记入自制表格中。
2、 测量共模放大倍数AVC
连接输入端TP8和TP9,则R1与R2从电路中断开。从TP8端输入峰峰值为5V,频率为1KHz的共模信号,用毫伏表分别测量T1、T2两管集电极对地的共模输出电压UOC1和UOC2,用示波器观察它们的波形,则双端输出的共模电压为UOC=UOC1-UOC2,并计算出单端输出的共模放大倍数AVC1(或AVC2)和双端输出的共模放大倍数AVC。
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共模抑制比
知识点讲解
共模抑制比
共模抑制比KCMR是衡量差放抑制共模信号能力的一项技术指标。
定义: KCMR=|AVD| AVC
有时用分贝数表示:
KCMR=201g|AVD|dB AVC
AVD越大,AVC越小,则共模抑制能力越强,放大器的性能越优良,所以K越大越好。
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在差放电路中,若电路完全对称,如图3.2.9所示,则有:
图3.2.9 基本差动放大电路在共模输入时的交流通路
(1)双端输出时,KCMR趋于无穷(AVC→0)。
(2)单端输出时,
KCMR=|AVDβRe |≈AVCRs+rbe
由此得,恒流源的交流电阻Re越大,K越大,抑制共模信号能力越强。
vo=AVDvsd+AVCvsc
AVDvscK
v/v=AVDvsd(1+scsd)KCMR
由此知,设计放大器时,必须至少使 KCMR>vsc/vsd。例如:设KCMR=1 000,vsc=1mV,
v/vvsd=1µV,则scsd=1。 KCMR=AVDvsd+
这就是说,当K=1 000时,两端输入信号差为1µV时所得输出vo与两端加同极性信号1mV所得输出vo相等。若KCMR=10 000,则后项只有前项1/10,再一次说明K越大,抑制共模信号的能力越强。
巩固训练:将上述所测量结果代入公式求相应共模抑制比。
【技能训练】
对照电路图在面包板上搭建差分放大电路,并放入防盗报警器中。
【项目总结】
【拓展训练】
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