单晶硅电池片工艺（初稿）
工艺流程图：
硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库 1． 单晶硅片质量检验标准 1．1 外观检验
1．1．1 基片大小：125³125mm±0.5mm 1．1．2 形状：准方片
1．1．3 直径：∮150±1.0mm Φ165±1.0mm
1．1．4 厚度： 280±30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。
1．1．5 TTV（μm）total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度变化值 ≤50μm 1．1．6 表面缺陷：≤2个 深度不大于0.05mm 1．1．7 破损及针孔：无可见破损和针孔
1．1．8 边缘缺损：长度小于5mm，深度0.5的破损≤1个 1．1．9 钜痕：＜5μm
1．1．10 表面状况：表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹 1．2 电特性：
1．2．1 晶体：无位错直拉（CZ）单晶 1．2．2 晶向：（100）±3° 1．2．3 导电类型：P型（硼掺杂）
1．2．4 电阻率（Ω²CM） 0.5～2.0 用四探针测量平均晶体电阻 1．2．5 少子寿命：＞15μS
使用微波光电导方法，在未钝化区域内，扫描2³2mm区域，去2000次测量平均值，硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。 1．2．6 碳浓度：≤5³10 1．2．7 氧浓度：≤1³10 1．3 质量判断标准：AQL2.5 2．硅片插入片盒：
2．1 工具仪器：25片 片盒 工作桌，凳子，真空吸附镊子 2．2 原材料：125³125mm硅片
2．3 工艺过程：把一定高度的硅片放于工作桌上，在操作者面前，用真空镊子把硅片吸起，把硅片放于片盒的最下一层，释放真空，硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作，直至把任务完成。 2．4 注意事项：
2．4．1 人是最大的污染源，不要面对硅片说话，不要用手直接拿片盒，手上有钠离子、油类污染； 2．4．2 操作人员要戴口罩、手套操作；
2．4．3 硅片易碎，在操作过程中，工作人员要轻拿轻放，尽量减少碎片； 2．4．4 真空吸头经常用酒精擦拭，在工作过程中，保持清洁。 3．硅片清洗： 3．1 去除损伤层：
3．1．1 目的：在硅片切割过程中，引起晶体表面晶格损伤，为把PN结制作在良好的晶体上，去除硅片表面的损伤层。
3．1．2 溶液浓度的配比：
NaOH：H2O=8500：34000（重量比）
在实际工作中，34000克纯水，添加10000克的氢氧化钠
3．1．3 溶液的配制过程：
根据资料查明：NaOH的融解热，10.4千卡/摩尔 8500÷40³10400＝2210000卡 2210000÷34000＝65（度）
结论：8500克氢氧化钠，可以使34000克纯水温升65度，理论计算要与实践相结合，只要把纯
水从室温升高至25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就可以达到85℃了。 3．1．4 试剂纯度：纯水，18MΩ/CM 氢氧化钠，电子纯 3．1．5 溶液温度：85±1℃
3．1．6 腐蚀速率：条件：20％ NaOH溶液，85℃，经验数据表明 4μm/min（两边共同去除）；内圆切割锯20μm/每边，线锯10μm/每边，通常内圆切割锯腐蚀时间10分钟，线锯腐蚀时间5～6.5分钟（根据实际情况摸索准确时间，经验数据，每隔几十片称量一次） 3．1．7 反应机理：
Si＋2NaOH＋H2O=Na2SiO3＋2 H2↑ 28 80 18 122 4
在硅片表面每边去除10μm，两边共去除20μm
A．每片去除的重量：△g=12.5³12.5³0.0020³2.33=0.728g B．每片消耗的NaOH 28：80＝0.728：X X=2.08g
C．每片产生多少Na2SiO3 28：122＝0.728：X X=3.172g
D．如果每配制一次NaOH溶液可以清洗3000片，每片消耗2.08克NaOH，则消耗6.240Kg, 10 Kg的NaOH，只剩下3.76 Kg 在达到2500片时要密切注视，每花篮硅片称量是否达到了设计要求。
E．如果去除损伤层3000片则生成9.516Kg的Na2SiO3 ，整个花篮上浮，使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。
3．1．8 注意事项与问题的讨论：
A．在整个去除损伤层的过程中，大量的H2气泡有可能依附到硅片上，使硅片上浮，在片盒上必须设计一个片盒“盖片”，或者片盒“挡棒”，防止硅片上浮；
B．关于去除损伤层时间的讨论：现在硅片越来越薄，去除损伤层的时间可以大大缩短，要以实践为准。在硅片表面制作绒面的过程中，也要腐蚀掉一层硅，既要PN结制作在良好的晶体上，又要不能使硅片太薄，易产生碎片； 3．2 制绒面：
3．2．1 目的：为了提高效率减少光的反射，在硅片表面制作出直角四面棱锥，使入射光在硅片表面形成多次反射。在P型［100］晶向上，利用晶体的各向异性，在晶体上腐蚀出正金字墙。 3．2．2 溶液浓度的配制：
纯水：氢氧化钠：异丙醇：硅酸钠＝1000：15～20：45ml：4～6g 3．2．3 溶液的配制过程：
A．把预热槽用纯水洗净，把纯水打入预加热槽； B．把纯水加热到85℃； C．把预热槽的纯水打入绒面槽；
D．依次按比例把NaOH、异丙醇、硅酸钠加入到绒面槽中 E．等待温度恒定后进行操作
3．2．4 试剂纯度：
纯水：18MΩ/CM； 氢氧化钠：电子纯；异丙醇：优级纯；硅酸钠：优级纯 3．2．5 溶液浓度：85±1℃
3．2．6 绒面的制备时间：通常25～30分钟左右
3．2．7 反应机理：由于各晶面的面密度不同，腐蚀对各晶面有选择性。（100）、（111）面的面密度分别为2/a2、4.6/a2，因此（100）面的腐蚀密度速度最大，（111）面的腐蚀速度最小。所以腐蚀时（111）面最容易裸露在外面。实验得知，（100）面的腐蚀速度比（111）面大35倍。
择优腐蚀对溶液浓度关系很大，浓度偏高则为抛光腐蚀；浓度偏低则为择优腐蚀。异丙醇为消泡剂。硅酸钠为缓冲腐蚀剂。
3．2．8 注意事项与问题讨论：
A．绒面腐蚀时间：通常为25分钟，根据绒面状况可以适当增加5～10分钟； B．绒面的等直角棱锥体的下边长为多长，反射的光为最长？实践表明，从统计规律来看，a＝3～5μm从电池表面上反射的光线最少。温度偏低一点，82℃，腐蚀速率慢一点，a的长度在3～5μm的可能性较大。
C．在绒面的腐蚀过程中，尤其是在开始的第一、第二批硅片，这种现象最严重，即绒面不连续。这样就增大了反射光，减少了电池的转换效率。NaOH与Si的反应生成硅酸钠，硅酸钠是一种缓腐剂，缓腐的速率与硅酸钠的浓度有很大关系，在反应初期，生成的硅酸钠浓度过低，低于0.1％时，反而引起加速反应，并有可能引起点腐蚀。腐蚀速率过快就容易产生平地。为克服上述现象，每次配制新的腐蚀溶液时增加0.4％～0.6％的硅酸钠，就是为了克服绒面不连续现象。
D．在绒面的制作过程中，会产生大量的H2气泡，附着在硅片上，根据情况，要不断的向溶液中增加异丙醇。异丙醇是消泡剂。（根据实际情况及经验确定其用量）
E．绒面腐蚀液时间久了，硅酸钠的含量逐渐增多，粘度也增大，比重增大，硅片上浮，为了减少绒面的不连续性绒面的腐蚀液的废液也可留下1/4，再增加3/4的新溶液。 F．在绒面的制备过程中，在显微镜下观察，经常会看到右图所示的现象，如果a为正常绒面，b的绒面就太小了；如果b为正常绒面，a的就太大了。B部分为小绒面，被气泡所覆盖，减缓了反应速度，生成小绒面。B部分为小绒面，其表面有油质污染，减缓了反应速度。（形成此现象的具体原因在生产中再摸索） 3．3 漂洗：
3．3．1 目的：在制绒面的过程中，其表面沾污了各种金属离子和各种盐类，本水槽中是四面溢流式，纯水来自上一个喷淋槽，在本槽中硅片初步清洗。
3．3．2 漂洗时间：漂洗时间大约为2分钟左右，在实践中进一步摸索确定。
3．3．3 漂洗方式：漂洗槽是四边溢流式，无任何金属粒子沾污的水泵过滤器，使纯水长生循环，加强去污效果。
3．3．4 漂洗槽温度：室温。 3．4 喷淋槽：
3．4．1 目的：在漂洗槽得到初步清洗的硅片，在喷淋槽中得到进一步较彻底的清洗。纯水是18MΩ/CM的纯水；雾化喷淋。
3．4．2 喷淋时间：喷淋时间大约3～4分钟，在实践中进一步确定。 3．4．3 喷淋槽温度：室温。 3．5 中和槽：
3．5．1 目的：进一步去除硅片表面的钠离子和硅酸盐类的沾污。 3．5．2 溶液的配制：（5.1～7.5）L盐酸＋（28.1～26.5）L纯水 3．5．3 溶液温度：室温
3．5．4 溶液的纯度：电子级（MOS级） 3．5．5 溶液的腐蚀时间：5～6.5分钟 3．6 漂洗：工艺同3．3 3．7 HF酸溶液漂洗硅片,
3．7．1 目的：硅片在清洗的过程中不可避免的在硅片表面形成很厚的一层SiO2,把一层未清洗的SiO2去除 。
3．7．2 溶液的配制： HF：H2O＝1：10 体积比 3．7．3 溶液的纯度：电子级
3．7．4 腐蚀时间：硅片表面不沾水为最佳。SiO2层很薄，腐蚀时间通常不大于20秒。 3．7．5 溶液的温度：室温 3．8 漂洗：工艺同3．3 3．9 喷淋：工艺同3．4 3．10 慢拉槽：
3．10．1 目的：一批可清洗125³125的硅片300片，为了尽量减少硅片和提篮所沾附的水迹。 3．10．2 槽中的溶液：为18MΩCM的纯水 3．10．3 溶液的温度：85±5℃ 3．11 烘干槽：
3．11．1 目的：清除掉硅片表面的水渍。 3．11．2 烘干槽的温度范围：100～110℃ 3．11．3 烘干时间：每个槽不大于10分钟。 4．扩散工艺：
4．1 目的：在硅片表面形成PN结 4．2 工艺条件：
说明：① 三氯氧磷的纯度：5个9
② O2 ≥99.995％（压力：40 psi=2.8Kg/平方厘米）
③ N2 ≥99.998％（压力：40 psi=2.8Kg/平方厘米）1psi=0.07Kg/平方厘米 ④ CDA： 5Kg/立方厘米
⑤ 循环水：进口水温≤25℃，出口水温≤35℃ ⑥ 源温：20±0.5℃
⑦ R□：中心值 60Ω 偏差：60±20Ω（5点检测值 max-min/max+min≤10％） POCl3 99.999％
4．3 注意事项与问题讨论：
4．3．1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。 4．3．2 怎样提高R□均匀一致性：
A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在12分钟左右，硅片的温度一致性好，这是R□均匀的基础。
B．大N2的流量通常为18～20L/分，它是一种输送气体，把POCl3气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的R□不均匀。
C．为了提高R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。 D．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使R□更均匀一致 。
4．3．3 怎样尽量减少PN结的反向以漏电流：
A．在100级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染； B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。
4．3．4 如果硅片在扩散时是背靠背放置，在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真，千万不能混淆。把一对背靠背扩散的AB把A片放置一堆，扩散面朝上，扩散面/未扩散面；把B片放置一堆，扩散面朝下，未扩散面/扩散面，然后在把两堆，再放置再一起，B片翻转180度与A片相重合，交周边刻蚀。
4．3．5 炉管饱和：如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使R□较均匀一致。
4．3．6 做样片：在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。 4．3．7 四探测试台：根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书，R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。 4．3．8 石英管清洗：
A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部； B．用HCL：H2O＝1：10溶液浸泡40分钟； C．用去离子水冲洗10分钟； D．用氮气吹干，待用。
说明：1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套； 2 按石英管清洗机的操作规程清洗。
4．3．9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。为了提高炉管的使用寿命，在炉管不工作时也要恒温在400℃ 4．3．10 关于扩散炉气路系统的说明：
A．减压阀：压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围，
CDA：5Kg/平方厘米；O2、N2：2.8～3 Kg/平方厘米；
B．过滤器的作用：在改变量程，各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃，为了减少尘埃
对系统的沾污，在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；
C．浮子流量计与质量流量控制器：他们都是控制各自回路流量的气体流量的。浮子流量计是随
回路气体的压力变化而变化的，而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；
D．源温控制器：源温控制器对扩散的R□的均匀性很重要。POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成
正比，如果源温不稳定，POCl3在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；
E．三氯乙烷清洗瓶：三氯乙烷是专为清洗炉管用的。在清洗炉管之后，炉管比较脏，可以用三
氯乙烷清洗炉管，在科研时，每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；
4．3 注意事项与问题讨论：
4．3．1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。
4．3．2 怎样提高R□均匀一致性：
A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在12分钟左右，硅片的温度一致性好，这是R□均匀的基础。
B．大N2的流量通常为18～20L/分，它是一种输送气体，把POCl3气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的R□不均匀。
C．为了提高R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。
D．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使R□更均匀一致 。
4．3．3 怎样尽量减少PN结的反向以漏电流：
A．在100级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染；
B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。
4．3．4 如果硅片在扩散时是背靠背放置，在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真，千万不能混淆。把一对背靠背扩散的AB把A片放置一堆，扩散面朝上，扩散面/未扩散面；把B片放置一堆，扩
散面朝下，未扩散面/扩散面，然后在把两堆，再放置再一起，B片翻转180度
与A片相重合，交周边刻蚀。
4．3．5 炉管饱和：如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，
即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使R□较均匀一致。
4．3．6 做样片：在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。
4．3．7 四探测试台：根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书，R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。
4．3．8 石英管清洗：
A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部；
B．用HCL：H2O＝1：10溶液浸泡40分钟；
C．用去离子水冲洗10分钟；
D．用氮气吹干，待用。
说明：1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套；
2 按石英管清洗机的操作规程清洗。
4．3．9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。为了提高炉管的使用寿命，在炉管不工作时也要恒温在400℃
4．3．10 关于扩散炉气路系统的说明：
A．减压阀：压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围，CDA：5Kg/平方厘米；O2、N2：2.8～3 Kg/平方厘米；
B．过滤器的作用：在改变量程，各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃，为了减少尘埃
对系统的沾污，在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；
C．浮子流量计与质量流量控制器：他们都是控制各自回路流量的气体流量的。浮子流量计是随
回路气体的压力变化而变化的，而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；
D．源温控制器：源温控制器对扩散的R□的均匀性很重要。POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成
正比，如果源温不稳定，POCl3在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；
E．三氯乙烷清洗瓶：三氯乙烷是专为清洗炉管用的。在清洗炉管之后，炉管比较脏，可以用三
氯乙烷清洗炉管，在科研时，每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；
F．单向阀：只准许POCl3和三氯乙烷向炉管方向流动，不允许向反向流动；
G．电磁阀气动阀：通过电磁阀来控制气动阀。在源瓶前后的气动阀一定要同时启动，或者，源
瓶前面的气动阀要先启动，源瓶后面的气动阀后启动，否则不堪设想，会把源瓶的源全部送到炉管中会造成事故；
H．各个气路系统的作用：
①．浮子流量计系统：在扩散炉不工作，或者突然停电后，为了保证炉管保持正压，而设计的一个气路，通常流量控制在4～6L/分 ；
②．源温控制器气路：通过电磁阀气动阀的控制，质量流量计控制流量，以小N2携带POCl3把源通入炉管内；
③．大N2气路：大N2作用运载气体，把源快速均匀的运载到炉管；
④．O2气路：如果O2 的流量偏小，POCl3 热分解后，形成PCl5它会对硅片有腐蚀性，为了减少对硅片表面的腐蚀，一定要通一定量的O2气。
5．周边等离子刻蚀：
5．1 目的：在PN结扩散时，不可避免的在硅片的正面和背面都形成了PN结，为了减少漏电流，利用等离子刻蚀的方法，把正、背面的PN结相奋力；
5．2 主要设备：M 42200－1/um型等离子刻蚀机；
5．3 主要材料和仪器：①．扩散PN结的硅片
②．聚四氯乙烯提篮
③．硅片上下部的压块
④．手套、口罩
⑤．N2、O2、CF4气体，纯度为5N
5．4 工艺技术条件：
5．4．1 输出功率：600W
5．4．2 刻蚀时间：9分钟
5．4．3 每批刻蚀的硅片数：200片/批
5．4．4 工艺气体流量：CF4:82.5％；O2：17.5％；（适当变化比例，四十八所调试时注意）
5．4．5 工艺气体的压力范围：0.1～0.2Mpa
（详见设备操作规程）
5．5 安全注意事项及问题讨论：
5．5．1 设备在不工作时，系统应真空保存；
5．5．2 如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需要先进行一次空载刻蚀后再刻蚀硅片；
5．5．3 在刻蚀工艺自动运行过程中，千万不能触摸电感线圈，防止高压电击；
5．5．4 扩散后的硅片是有方向性的，一边为扩散面，另一边为未扩散面，要么扩散面朝上，要么扩散面朝下，一定要永远这样做，绝对不能搞错，一旦发生错误，整批电池的转换效率为零；
5．5．5 每片200片，硅片要排列整齐，用聚四氯乙烯提篮和上下压块把待刻蚀硅片压紧，防止刻蚀到硅片里边；
5．5．6 把提篮放入真空室时要轻拿轻放，防止损坏石英钟罩，以及真空密封部分；
5．5．7 机械泵的泵油要及时更换，至少每半个月或者每一个月换一次油，保持系统的真空良好；
5．5．8 怎样判断周边刻蚀的质量呢？从电池片的IV曲线上就可以判断周边刻蚀的质量：
如果出现如左图的不正常IV曲线，就说明等离子刻蚀质量不好，周
边的PN结没有完全刻蚀掉，有明显的PN结漏气，必须调整工艺参
数。
6．去除硅片表面的氧化层：
6．1 目的：在PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一定厚度的磷硅玻璃层，为了形成良好的欧姆接触，减少入射光的反射，在淀积SixNyHz之前，把磷硅玻璃腐蚀掉。
6．2 设备：去磷硅玻璃清洗机
6．3 主要原材料和工具：A.已经周边刻蚀的硅片；
B.氢氟酸 纯度等级：电子纯；
C.氟化铵 纯度等级：电子纯；
D.片盒、提篮；
E.化学防腐手套；
F.防护眼镜；
G.围裙；
H.金属镊子；
6．4 硅片上片盒：
6．4．1 已扩散的硅片有方向性（有扩散面和未扩散面），片盒同样有方向性，
一定要定义好，扩散面对准片盒的哪一个方向；
6．4．2 在装片的过程中，尽量减少对硅片的污染，人是最大沾污源，不要面对
硅片说话，不能用手直接接触硅片；
6．5 腐蚀液的配制：
A．40％的氟化铵溶液＋5％的氢氟酸（占氟化铵体积的5％）
B．溶液温度：室温；
C．腐蚀时间：2分钟；
说明：当片盒提出腐蚀溶液时，硅片表面不沾水，没有任何水痕，则表示硅片上
的磷硅玻璃已经完全腐蚀干净。
6．6 淋洗槽：（水浴槽），该槽的纯水来源于喷淋槽，该槽的纯水自循环，四
边溢流式；从腐蚀槽出来的提篮，立刻放入水浴槽，时间2～3分钟。
6．7 喷淋槽：喷淋槽的纯水来自纯水站；每一个提篮要喷淋2分钟。
6．8 慢拉槽：进一步清洗硅片，在慢拉过程中，使提篮片盒和硅片上尽量沾少
量的水痕；槽的水温在60～80℃，时间：2分钟；
6．9 双位烘干槽：
温度： 100～110℃ 时间：10分钟；
干净的除油、除尘、除湿的空气吹干。
丝网印刷部分：
1．正面栅线设计：
1．1 细栅线的宽度：0.125
1．2 细栅线的根数为44根
1．3 最边缘的细栅线到电池边缘的距离为1.7mm
0.125³44＋1.7³2＋43³2.7＝125
1．4 两根细栅线之间的距离为2.7mm
1．5 立栅线的宽度为1.5mm 125均分为4
2．正面栅线丝网的材料、目数与膜厚：
2．1 材质：进口德国的不锈钢丝网
2．2 目数：280目；线径：30μm；纱厚：50μm；膜厚：15μm；膜和丝网的总厚度：65μm
2．3 张力：26牛顿
3．浆料：
3．1 浆料：Ag浆；
3．2 生产国家：美国ferro
3．3 规格：3349
4． 丝网与硅片之间的距离：对不锈钢丝网，两者之间的距离1～2mm,以1.5mm为最佳值；
2．背面AgAl浆可焊电极：
2．1 背面栅线图形的设计：
2．1．1 3³109的银铝浆汇流条与1.5³0.2的焊带形成良好的焊接性能。
2．1．2 问题讨论：
1
2
＃ 这两种图形各有优缺点：图1为长条状，浪费了AgAl浆料，如果硅片碎片后可以顺利的划成碎片； 图2可以节省AgAl浆料，降低成本，但是硅片碎片之后，划成小片利用率大大
降低。
＃ 用3这种图形，与铝背场能够形成良好的欧姆接触，铝浆料与银铝浆料有细线重叠部分，这样可以大大提高效率和填充因子。
＃ 尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者的重叠部分严重发黑，既大量大有机溶剂没有充分挥发，这样就严重影响电池效率和填充因子。无锡尚德采用两排交错打孔的方法尽量减少重叠部分的影响。
2．2 背面电极丝网材料、目数与膜厚
2．2．1 材质：进口德国不锈钢丝网
2．2．2 目数：325目
2．2．3 线径：23～28μm
2．2．4 纱厚：46μm
2．2．5 膜厚：15μm
2．2．6 膜和丝网的总厚度：60～63μm
2．3 浆料规格：AgAl浆 牌号：3398
生产国家：FERRO 美国
2．4 丝网与硅片之间的距离：1～1.5mm为宜
3．背面铝背场丝网图形的设计：
3．1 铝背场的图形设计如图所示
3．2 关于丝网的规格
单晶硅电池片工艺（初稿）
工艺流程图：
硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库 1． 单晶硅片质量检验标准 1．1 外观检验
1．1．1 基片大小：125³125mm±0.5mm 1．1．2 形状：准方片
1．1．3 直径：∮150±1.0mm Φ165±1.0mm
1．1．4 厚度： 280±30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。
1．1．5 TTV（μm）total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度变化值 ≤50μm 1．1．6 表面缺陷：≤2个 深度不大于0.05mm 1．1．7 破损及针孔：无可见破损和针孔
1．1．8 边缘缺损：长度小于5mm，深度0.5的破损≤1个 1．1．9 钜痕：＜5μm
1．1．10 表面状况：表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹 1．2 电特性：
1．2．1 晶体：无位错直拉（CZ）单晶 1．2．2 晶向：（100）±3° 1．2．3 导电类型：P型（硼掺杂）
1．2．4 电阻率（Ω²CM） 0.5～2.0 用四探针测量平均晶体电阻 1．2．5 少子寿命：＞15μS
使用微波光电导方法，在未钝化区域内，扫描2³2mm区域，去2000次测量平均值，硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。 1．2．6 碳浓度：≤5³10 1．2．7 氧浓度：≤1³10 1．3 质量判断标准：AQL2.5 2．硅片插入片盒：
2．1 工具仪器：25片 片盒 工作桌，凳子，真空吸附镊子 2．2 原材料：125³125mm硅片
2．3 工艺过程：把一定高度的硅片放于工作桌上，在操作者面前，用真空镊子把硅片吸起，把硅片放于片盒的最下一层，释放真空，硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作，直至把任务完成。 2．4 注意事项：
2．4．1 人是最大的污染源，不要面对硅片说话，不要用手直接拿片盒，手上有钠离子、油类污染； 2．4．2 操作人员要戴口罩、手套操作；
2．4．3 硅片易碎，在操作过程中，工作人员要轻拿轻放，尽量减少碎片； 2．4．4 真空吸头经常用酒精擦拭，在工作过程中，保持清洁。 3．硅片清洗： 3．1 去除损伤层：
3．1．1 目的：在硅片切割过程中，引起晶体表面晶格损伤，为把PN结制作在良好的晶体上，去除硅片表面的损伤层。
3．1．2 溶液浓度的配比：
NaOH：H2O=8500：34000（重量比）
在实际工作中，34000克纯水，添加10000克的氢氧化钠
3．1．3 溶液的配制过程：
根据资料查明：NaOH的融解热，10.4千卡/摩尔 8500÷40³10400＝2210000卡 2210000÷34000＝65（度）
结论：8500克氢氧化钠，可以使34000克纯水温升65度，理论计算要与实践相结合，只要把纯
水从室温升高至25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就可以达到85℃了。 3．1．4 试剂纯度：纯水，18MΩ/CM 氢氧化钠，电子纯 3．1．5 溶液温度：85±1℃
3．1．6 腐蚀速率：条件：20％ NaOH溶液，85℃，经验数据表明 4μm/min（两边共同去除）；内圆切割锯20μm/每边，线锯10μm/每边，通常内圆切割锯腐蚀时间10分钟，线锯腐蚀时间5～6.5分钟（根据实际情况摸索准确时间，经验数据，每隔几十片称量一次） 3．1．7 反应机理：
Si＋2NaOH＋H2O=Na2SiO3＋2 H2↑ 28 80 18 122 4
在硅片表面每边去除10μm，两边共去除20μm
A．每片去除的重量：△g=12.5³12.5³0.0020³2.33=0.728g B．每片消耗的NaOH 28：80＝0.728：X X=2.08g
C．每片产生多少Na2SiO3 28：122＝0.728：X X=3.172g
D．如果每配制一次NaOH溶液可以清洗3000片，每片消耗2.08克NaOH，则消耗6.240Kg, 10 Kg的NaOH，只剩下3.76 Kg 在达到2500片时要密切注视，每花篮硅片称量是否达到了设计要求。
E．如果去除损伤层3000片则生成9.516Kg的Na2SiO3 ，整个花篮上浮，使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。
3．1．8 注意事项与问题的讨论：
A．在整个去除损伤层的过程中，大量的H2气泡有可能依附到硅片上，使硅片上浮，在片盒上必须设计一个片盒“盖片”，或者片盒“挡棒”，防止硅片上浮；
B．关于去除损伤层时间的讨论：现在硅片越来越薄，去除损伤层的时间可以大大缩短，要以实践为准。在硅片表面制作绒面的过程中，也要腐蚀掉一层硅，既要PN结制作在良好的晶体上，又要不能使硅片太薄，易产生碎片； 3．2 制绒面：
3．2．1 目的：为了提高效率减少光的反射，在硅片表面制作出直角四面棱锥，使入射光在硅片表面形成多次反射。在P型［100］晶向上，利用晶体的各向异性，在晶体上腐蚀出正金字墙。 3．2．2 溶液浓度的配制：
纯水：氢氧化钠：异丙醇：硅酸钠＝1000：15～20：45ml：4～6g 3．2．3 溶液的配制过程：
A．把预热槽用纯水洗净，把纯水打入预加热槽； B．把纯水加热到85℃； C．把预热槽的纯水打入绒面槽；
D．依次按比例把NaOH、异丙醇、硅酸钠加入到绒面槽中 E．等待温度恒定后进行操作
3．2．4 试剂纯度：
纯水：18MΩ/CM； 氢氧化钠：电子纯；异丙醇：优级纯；硅酸钠：优级纯 3．2．5 溶液浓度：85±1℃
3．2．6 绒面的制备时间：通常25～30分钟左右
3．2．7 反应机理：由于各晶面的面密度不同，腐蚀对各晶面有选择性。（100）、（111）面的面密度分别为2/a2、4.6/a2，因此（100）面的腐蚀密度速度最大，（111）面的腐蚀速度最小。所以腐蚀时（111）面最容易裸露在外面。实验得知，（100）面的腐蚀速度比（111）面大35倍。
择优腐蚀对溶液浓度关系很大，浓度偏高则为抛光腐蚀；浓度偏低则为择优腐蚀。异丙醇为消泡剂。硅酸钠为缓冲腐蚀剂。
3．2．8 注意事项与问题讨论：
A．绒面腐蚀时间：通常为25分钟，根据绒面状况可以适当增加5～10分钟； B．绒面的等直角棱锥体的下边长为多长，反射的光为最长？实践表明，从统计规律来看，a＝3～5μm从电池表面上反射的光线最少。温度偏低一点，82℃，腐蚀速率慢一点，a的长度在3～5μm的可能性较大。
C．在绒面的腐蚀过程中，尤其是在开始的第一、第二批硅片，这种现象最严重，即绒面不连续。这样就增大了反射光，减少了电池的转换效率。NaOH与Si的反应生成硅酸钠，硅酸钠是一种缓腐剂，缓腐的速率与硅酸钠的浓度有很大关系，在反应初期，生成的硅酸钠浓度过低，低于0.1％时，反而引起加速反应，并有可能引起点腐蚀。腐蚀速率过快就容易产生平地。为克服上述现象，每次配制新的腐蚀溶液时增加0.4％～0.6％的硅酸钠，就是为了克服绒面不连续现象。
D．在绒面的制作过程中，会产生大量的H2气泡，附着在硅片上，根据情况，要不断的向溶液中增加异丙醇。异丙醇是消泡剂。（根据实际情况及经验确定其用量）
E．绒面腐蚀液时间久了，硅酸钠的含量逐渐增多，粘度也增大，比重增大，硅片上浮，为了减少绒面的不连续性绒面的腐蚀液的废液也可留下1/4，再增加3/4的新溶液。 F．在绒面的制备过程中，在显微镜下观察，经常会看到右图所示的现象，如果a为正常绒面，b的绒面就太小了；如果b为正常绒面，a的就太大了。B部分为小绒面，被气泡所覆盖，减缓了反应速度，生成小绒面。B部分为小绒面，其表面有油质污染，减缓了反应速度。（形成此现象的具体原因在生产中再摸索） 3．3 漂洗：
3．3．1 目的：在制绒面的过程中，其表面沾污了各种金属离子和各种盐类，本水槽中是四面溢流式，纯水来自上一个喷淋槽，在本槽中硅片初步清洗。
3．3．2 漂洗时间：漂洗时间大约为2分钟左右，在实践中进一步摸索确定。
3．3．3 漂洗方式：漂洗槽是四边溢流式，无任何金属粒子沾污的水泵过滤器，使纯水长生循环，加强去污效果。
3．3．4 漂洗槽温度：室温。 3．4 喷淋槽：
3．4．1 目的：在漂洗槽得到初步清洗的硅片，在喷淋槽中得到进一步较彻底的清洗。纯水是18MΩ/CM的纯水；雾化喷淋。
3．4．2 喷淋时间：喷淋时间大约3～4分钟，在实践中进一步确定。 3．4．3 喷淋槽温度：室温。 3．5 中和槽：
3．5．1 目的：进一步去除硅片表面的钠离子和硅酸盐类的沾污。 3．5．2 溶液的配制：（5.1～7.5）L盐酸＋（28.1～26.5）L纯水 3．5．3 溶液温度：室温
3．5．4 溶液的纯度：电子级（MOS级） 3．5．5 溶液的腐蚀时间：5～6.5分钟 3．6 漂洗：工艺同3．3 3．7 HF酸溶液漂洗硅片,
3．7．1 目的：硅片在清洗的过程中不可避免的在硅片表面形成很厚的一层SiO2,把一层未清洗的SiO2去除 。
3．7．2 溶液的配制： HF：H2O＝1：10 体积比 3．7．3 溶液的纯度：电子级
3．7．4 腐蚀时间：硅片表面不沾水为最佳。SiO2层很薄，腐蚀时间通常不大于20秒。 3．7．5 溶液的温度：室温 3．8 漂洗：工艺同3．3 3．9 喷淋：工艺同3．4 3．10 慢拉槽：
3．10．1 目的：一批可清洗125³125的硅片300片，为了尽量减少硅片和提篮所沾附的水迹。 3．10．2 槽中的溶液：为18MΩCM的纯水 3．10．3 溶液的温度：85±5℃ 3．11 烘干槽：
3．11．1 目的：清除掉硅片表面的水渍。 3．11．2 烘干槽的温度范围：100～110℃ 3．11．3 烘干时间：每个槽不大于10分钟。 4．扩散工艺：
4．1 目的：在硅片表面形成PN结 4．2 工艺条件：
说明：① 三氯氧磷的纯度：5个9
② O2 ≥99.995％（压力：40 psi=2.8Kg/平方厘米）
③ N2 ≥99.998％（压力：40 psi=2.8Kg/平方厘米）1psi=0.07Kg/平方厘米 ④ CDA： 5Kg/立方厘米
⑤ 循环水：进口水温≤25℃，出口水温≤35℃ ⑥ 源温：20±0.5℃
⑦ R□：中心值 60Ω 偏差：60±20Ω（5点检测值 max-min/max+min≤10％） POCl3 99.999％
4．3 注意事项与问题讨论：
4．3．1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。 4．3．2 怎样提高R□均匀一致性：
A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在12分钟左右，硅片的温度一致性好，这是R□均匀的基础。
B．大N2的流量通常为18～20L/分，它是一种输送气体，把POCl3气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的R□不均匀。
C．为了提高R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。 D．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使R□更均匀一致 。
4．3．3 怎样尽量减少PN结的反向以漏电流：
A．在100级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染； B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。
4．3．4 如果硅片在扩散时是背靠背放置，在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真，千万不能混淆。把一对背靠背扩散的AB把A片放置一堆，扩散面朝上，扩散面/未扩散面；把B片放置一堆，扩散面朝下，未扩散面/扩散面，然后在把两堆，再放置再一起，B片翻转180度与A片相重合，交周边刻蚀。
4．3．5 炉管饱和：如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使R□较均匀一致。
4．3．6 做样片：在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。 4．3．7 四探测试台：根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书，R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。 4．3．8 石英管清洗：
A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部； B．用HCL：H2O＝1：10溶液浸泡40分钟； C．用去离子水冲洗10分钟； D．用氮气吹干，待用。
说明：1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套； 2 按石英管清洗机的操作规程清洗。
4．3．9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。为了提高炉管的使用寿命，在炉管不工作时也要恒温在400℃ 4．3．10 关于扩散炉气路系统的说明：
A．减压阀：压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围，
CDA：5Kg/平方厘米；O2、N2：2.8～3 Kg/平方厘米；
B．过滤器的作用：在改变量程，各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃，为了减少尘埃
对系统的沾污，在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；
C．浮子流量计与质量流量控制器：他们都是控制各自回路流量的气体流量的。浮子流量计是随
回路气体的压力变化而变化的，而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；
D．源温控制器：源温控制器对扩散的R□的均匀性很重要。POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成
正比，如果源温不稳定，POCl3在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；
E．三氯乙烷清洗瓶：三氯乙烷是专为清洗炉管用的。在清洗炉管之后，炉管比较脏，可以用三
氯乙烷清洗炉管，在科研时，每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；
4．3 注意事项与问题讨论：
4．3．1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。
4．3．2 怎样提高R□均匀一致性：
A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在12分钟左右，硅片的温度一致性好，这是R□均匀的基础。
B．大N2的流量通常为18～20L/分，它是一种输送气体，把POCl3气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的R□不均匀。
C．为了提高R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。
D．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使R□更均匀一致 。
4．3．3 怎样尽量减少PN结的反向以漏电流：
A．在100级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染；
B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。
4．3．4 如果硅片在扩散时是背靠背放置，在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真，千万不能混淆。把一对背靠背扩散的AB把A片放置一堆，扩散面朝上，扩散面/未扩散面；把B片放置一堆，扩
散面朝下，未扩散面/扩散面，然后在把两堆，再放置再一起，B片翻转180度
与A片相重合，交周边刻蚀。
4．3．5 炉管饱和：如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，
即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使R□较均匀一致。
4．3．6 做样片：在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。
4．3．7 四探测试台：根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书，R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。
4．3．8 石英管清洗：
A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部；
B．用HCL：H2O＝1：10溶液浸泡40分钟；
C．用去离子水冲洗10分钟；
D．用氮气吹干，待用。
说明：1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套；
2 按石英管清洗机的操作规程清洗。
4．3．9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。为了提高炉管的使用寿命，在炉管不工作时也要恒温在400℃
4．3．10 关于扩散炉气路系统的说明：
A．减压阀：压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围，CDA：5Kg/平方厘米；O2、N2：2.8～3 Kg/平方厘米；
B．过滤器的作用：在改变量程，各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃，为了减少尘埃
对系统的沾污，在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；
C．浮子流量计与质量流量控制器：他们都是控制各自回路流量的气体流量的。浮子流量计是随
回路气体的压力变化而变化的，而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；
D．源温控制器：源温控制器对扩散的R□的均匀性很重要。POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成
正比，如果源温不稳定，POCl3在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；
E．三氯乙烷清洗瓶：三氯乙烷是专为清洗炉管用的。在清洗炉管之后，炉管比较脏，可以用三
氯乙烷清洗炉管，在科研时，每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；
F．单向阀：只准许POCl3和三氯乙烷向炉管方向流动，不允许向反向流动；
G．电磁阀气动阀：通过电磁阀来控制气动阀。在源瓶前后的气动阀一定要同时启动，或者，源
瓶前面的气动阀要先启动，源瓶后面的气动阀后启动，否则不堪设想，会把源瓶的源全部送到炉管中会造成事故；
H．各个气路系统的作用：
①．浮子流量计系统：在扩散炉不工作，或者突然停电后，为了保证炉管保持正压，而设计的一个气路，通常流量控制在4～6L/分 ；
②．源温控制器气路：通过电磁阀气动阀的控制，质量流量计控制流量，以小N2携带POCl3把源通入炉管内；
③．大N2气路：大N2作用运载气体，把源快速均匀的运载到炉管；
④．O2气路：如果O2 的流量偏小，POCl3 热分解后，形成PCl5它会对硅片有腐蚀性，为了减少对硅片表面的腐蚀，一定要通一定量的O2气。
5．周边等离子刻蚀：
5．1 目的：在PN结扩散时，不可避免的在硅片的正面和背面都形成了PN结，为了减少漏电流，利用等离子刻蚀的方法，把正、背面的PN结相奋力；
5．2 主要设备：M 42200－1/um型等离子刻蚀机；
5．3 主要材料和仪器：①．扩散PN结的硅片
②．聚四氯乙烯提篮
③．硅片上下部的压块
④．手套、口罩
⑤．N2、O2、CF4气体，纯度为5N
5．4 工艺技术条件：
5．4．1 输出功率：600W
5．4．2 刻蚀时间：9分钟
5．4．3 每批刻蚀的硅片数：200片/批
5．4．4 工艺气体流量：CF4:82.5％；O2：17.5％；（适当变化比例，四十八所调试时注意）
5．4．5 工艺气体的压力范围：0.1～0.2Mpa
（详见设备操作规程）
5．5 安全注意事项及问题讨论：
5．5．1 设备在不工作时，系统应真空保存；
5．5．2 如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需要先进行一次空载刻蚀后再刻蚀硅片；
5．5．3 在刻蚀工艺自动运行过程中，千万不能触摸电感线圈，防止高压电击；
5．5．4 扩散后的硅片是有方向性的，一边为扩散面，另一边为未扩散面，要么扩散面朝上，要么扩散面朝下，一定要永远这样做，绝对不能搞错，一旦发生错误，整批电池的转换效率为零；
5．5．5 每片200片，硅片要排列整齐，用聚四氯乙烯提篮和上下压块把待刻蚀硅片压紧，防止刻蚀到硅片里边；
5．5．6 把提篮放入真空室时要轻拿轻放，防止损坏石英钟罩，以及真空密封部分；
5．5．7 机械泵的泵油要及时更换，至少每半个月或者每一个月换一次油，保持系统的真空良好；
5．5．8 怎样判断周边刻蚀的质量呢？从电池片的IV曲线上就可以判断周边刻蚀的质量：
如果出现如左图的不正常IV曲线，就说明等离子刻蚀质量不好，周
边的PN结没有完全刻蚀掉，有明显的PN结漏气，必须调整工艺参
数。
6．去除硅片表面的氧化层：
6．1 目的：在PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一定厚度的磷硅玻璃层，为了形成良好的欧姆接触，减少入射光的反射，在淀积SixNyHz之前，把磷硅玻璃腐蚀掉。
6．2 设备：去磷硅玻璃清洗机
6．3 主要原材料和工具：A.已经周边刻蚀的硅片；
B.氢氟酸 纯度等级：电子纯；
C.氟化铵 纯度等级：电子纯；
D.片盒、提篮；
E.化学防腐手套；
F.防护眼镜；
G.围裙；
H.金属镊子；
6．4 硅片上片盒：
6．4．1 已扩散的硅片有方向性（有扩散面和未扩散面），片盒同样有方向性，
一定要定义好，扩散面对准片盒的哪一个方向；
6．4．2 在装片的过程中，尽量减少对硅片的污染，人是最大沾污源，不要面对
硅片说话，不能用手直接接触硅片；
6．5 腐蚀液的配制：
A．40％的氟化铵溶液＋5％的氢氟酸（占氟化铵体积的5％）
B．溶液温度：室温；
C．腐蚀时间：2分钟；
说明：当片盒提出腐蚀溶液时，硅片表面不沾水，没有任何水痕，则表示硅片上
的磷硅玻璃已经完全腐蚀干净。
6．6 淋洗槽：（水浴槽），该槽的纯水来源于喷淋槽，该槽的纯水自循环，四
边溢流式；从腐蚀槽出来的提篮，立刻放入水浴槽，时间2～3分钟。
6．7 喷淋槽：喷淋槽的纯水来自纯水站；每一个提篮要喷淋2分钟。
6．8 慢拉槽：进一步清洗硅片，在慢拉过程中，使提篮片盒和硅片上尽量沾少
量的水痕；槽的水温在60～80℃，时间：2分钟；
6．9 双位烘干槽：
温度： 100～110℃ 时间：10分钟；
干净的除油、除尘、除湿的空气吹干。
丝网印刷部分：
1．正面栅线设计：
1．1 细栅线的宽度：0.125
1．2 细栅线的根数为44根
1．3 最边缘的细栅线到电池边缘的距离为1.7mm
0.125³44＋1.7³2＋43³2.7＝125
1．4 两根细栅线之间的距离为2.7mm
1．5 立栅线的宽度为1.5mm 125均分为4
2．正面栅线丝网的材料、目数与膜厚：
2．1 材质：进口德国的不锈钢丝网
2．2 目数：280目；线径：30μm；纱厚：50μm；膜厚：15μm；膜和丝网的总厚度：65μm
2．3 张力：26牛顿
3．浆料：
3．1 浆料：Ag浆；
3．2 生产国家：美国ferro
3．3 规格：3349
4． 丝网与硅片之间的距离：对不锈钢丝网，两者之间的距离1～2mm,以1.5mm为最佳值；
2．背面AgAl浆可焊电极：
2．1 背面栅线图形的设计：
2．1．1 3³109的银铝浆汇流条与1.5³0.2的焊带形成良好的焊接性能。
2．1．2 问题讨论：
1
2
＃ 这两种图形各有优缺点：图1为长条状，浪费了AgAl浆料，如果硅片碎片后可以顺利的划成碎片； 图2可以节省AgAl浆料，降低成本，但是硅片碎片之后，划成小片利用率大大
降低。
＃ 用3这种图形，与铝背场能够形成良好的欧姆接触，铝浆料与银铝浆料有细线重叠部分，这样可以大大提高效率和填充因子。
＃ 尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者的重叠部分严重发黑，既大量大有机溶剂没有充分挥发，这样就严重影响电池效率和填充因子。无锡尚德采用两排交错打孔的方法尽量减少重叠部分的影响。
2．2 背面电极丝网材料、目数与膜厚
2．2．1 材质：进口德国不锈钢丝网
2．2．2 目数：325目
2．2．3 线径：23～28μm
2．2．4 纱厚：46μm
2．2．5 膜厚：15μm
2．2．6 膜和丝网的总厚度：60～63μm
2．3 浆料规格：AgAl浆 牌号：3398
生产国家：FERRO 美国
2．4 丝网与硅片之间的距离：1～1.5mm为宜
3．背面铝背场丝网图形的设计：
3．1 铝背场的图形设计如图所示
3．2 关于丝网的规格