ds--C漏-源-电容 Cdu--
--衬漏底容 电
Cgd----栅电容
源Cg-s--漏-源容电
Ci ss--栅-路共短源输入电 容
ossC---短栅路共源出输电容
Crs--s栅短路-源共向反传输容电
---占D比(空占空系,外数电路数参
)id/d-t-电流上-升(率外电路参数 )d
vdt/---电上压率(外电升路数参 )
ID---漏极流(直流)电
DM-I--漏脉冲电极
I流Do(n)---通漏态极电流
DI-Q-静-漏极电流(态频功射率管 )
IDS--漏源-流电
ID M-S--大漏最源电流
DISS--栅-源-路短,时极电流漏
I D(Sat)s---沟道和饱电(流源饱和漏流电
)I-G--极电流(栅直) 流
IG---正向栅电F 流IG
-R-反-栅向电 流
IGDO--源极-开时路截,栅电止 流
IGS--O-漏开极路,时截止电栅流 I
M-G--栅脉极冲流 电
IP-G--栅极峰值电流 IF---
二极管向正电 流
IGSS---极漏短时截止路栅流 电ID
S1S---管对第管漏一源饱和电流
ISDS2---管对二第管漏源饱和流
电I---衬u底流电
Ipr---流电脉峰冲(值电外参路数)
gsf---正跨导 向
Gp--功率-增益
G ps---源共极中高和功频增率益
GGp--共-极中栅高频和率增功 益G
PD---共极漏中和频功率增益高 gg
-d-栅-电漏
g导sd--漏源电- 导
-K--调电压温失系度
Ku-数--输传数 系L---
载电负感外电路(参) 数
L---漏D极电感
Ls--源-电感极
DS-r-漏源电阻
-DSro()-n--源通漏电阻 态
rS(ofD-)--源断漏电态阻 r
D-G--漏栅阻电
Gr-S--源栅电 阻
Rg---极外栅电接阻外(路参电) 数R
--L-负电载(阻电外参路数)
Rth(j)-c-结壳热-阻 R(
t)ha---j结环阻 热
PD--漏-极耗功散率 P
D---漏极最大允M耗许功散率
IP--N入功输率
POTU--输出-率功 P
PK--脉冲功率-值峰外电(路数) 参t
(on)-o-开通延-时间
td迟(off--)-断关迟延时间
t---i升时间 上
ton--开通-间时 t
fof--关-时间断
t--f下-时降 间t
r--r-反恢复时向间
T-j-结-温 Tjm
--最-大许允温结 T
a--环-境温 度
cT---管壳温 度
Ttg-s--贮成度温
VD-S--源电压(直流漏 )
VGS--栅源电-压(流)直
VGF-S-向栅正电压(直源流)
VSG-R--向栅源电反(压直)流
VD--D-极(直漏)电源流压(外电路电数参)
VGG---栅(直极)电源流压(电电外路参)数
V ss---极源(流直)电源压电(电路参外数) V
G(thS)--开-电压或启阀电
压(BR)VDSS--漏源击穿电压
V(BR)GSS---漏-源短时路栅击穿电压源 VD
(Son)--漏-通态源电压 V
D(sSat)--漏源饱和-电
压GD-V-栅漏电压-(流直)
V us---衬源底电(直流压 )VD
---漏u底衬电压直流( )
VGu---衬栅电底(直流) 压Z
-o-驱动-内阻 源η-
--极漏效(射率频功率管)
Vn --噪声电-
a压DI--漏-极流电温度系 数
ras-d-漏源电-温阻度系
双数型极体晶管符及意义 号
Cc-
--电极集电 容
Cbc--集电-与极基极间电容
Cc---发e极接射地输电出容
i---C入输容电
Ci---共b极输入电容基
iCe--共-射极发输入
电
C容ise---发射共短极输路入电容
ieC---共发o极射路输开电容 入
C-n-中和-电容外电(路数)参
Co-- -出输容 电Cob
---共基输出电容.在基极极路中电,集电与极基间输极电容出 C
e--o共-射极发输电出 容
Ceo-o-共-射发极开输路出电容 C
re--共发-射极反馈电 容Cic
---电集势垒电结容
C-L-负载电容(-外电参路)数
pC--并联-电(外电容参数) 路
BcbV---o射极发开路集,极电与极间基击穿电压 B
Vco-e-基极开-,路C结击E穿压 电
VebB--o -电极集开E路B击结穿电
压VBec-s-基-极与发射极路短E结击C电压穿
BV cr---e基与发极射串极接电阻,一EC击穿电压结
D--占空-比 f
T--特-频率征 fmax---最
振高荡率.当频极三管功增率益等于1的时工频作率 hFE-
-共发射极-态电静放流大数系
h I-E--发射共极静态输阻抗 入
OE--h共-射发极态静输电出 导
RhE---发共极静射电态压馈系反 数
hei--共-发射小信号极路输入阻短抗 h
re---发射共小信号开极电路压馈系反数
feh---共发极小射信号短路压放大电数系
h e--o共发-极小信射号路输开导出纳 I
---基B直流电极或交流电流流的平均 值I
c--集电-直极流电或流交电流流平均值的
IE-- -射极直发流电或交流电流流的平均值
Ic b-o-基极接-地,发射对地极开,路规在定的VC反向B电压件条的集下极电与基之间极的向反截止流 电
ceIo---发射极地接基,对极地路开在,定的反向电规压VE条C件,下集极与电发射之极的反间向截电流止 Ie
o---基b接地,极集极电对地开路在,规的定向电反VE压B件下,发条极射与极之基的反间截向止流 电
cIre---基极发射与极串间电联R,阻集极与电射发极的间电V压CE规为值时定,电极集与射发之间的反极向截电止流 I
ces---射发接极地基极对,地路短,规定在的向反电VCE压件条,下集电极与射发极间之反的向截止流电 I
ec---x发极接射地基极与发,射间极加定指压偏在,规的反定偏压V向C下,集电E与发极射之极间反向的截电流止 I
CM--集电-极最大许电流允交流或电的最流平均值. 大
BMI---集电极允在许耗散率的范功内围,连续地能通过基极直的流电流最大值,或交的电流的流最大平值均
IMC-P--集电极大允最许冲电流脉
SBI---次二击电流穿 I
AC--G正向-自动控电制流
P c---集极耗散功率 电
CM-P--电极最大集许允散功率 耗
P---i输入功率
Po---出功输
Posc率---荡振率功 Pn
--噪声-功 率
toPt--总耗-散功率
SBE--二次击-能量 穿r
b&b#39;--基区扩展-阻电(基本征电阻)区
r b&b3#;9Cc---极基-电极集间常时数即,基扩展电极与集阻电结容电量的积乘
ri---发e极射地接,交输出短流时的路入输电阻 ro
--e发-射
极接地在规,VCE、Ic或IE、频定率条件测定的下流交输短入时路的输电阻出
ER--外接-发
极电阻射外(路电数参 )RB
---外接极电阻基(外电参路)数
cR ---接外电集电阻极外电(路参) 数
BER---接基外-发极极射电阻(间电路外数参
RL)---载电负阻(电路外数参 )R
G--信-号源内阻
Rht--热-阻
Ta--环-境温度
cT---管温壳 度Ts--
结-温
T mj---大允最结许 温
Ttgs--贮存温度- t
d---延迟时间 -tr-
--升时间上 ts
--存贮-间时 tf---下降
时 间
on-t--开通间时
otff---断时间关
VC B--集-电极-基(直流极)压电
VEC--集电--极射极发直流(电压 )
VE-B-基-极射极(发流)直电压
VC B-O--极基地接,发极对射开地路,集极电基极之与在间定条指件的最下耐高压
VEOB--基极接地-集电,对地开路,极发极射基与极之在间指定条件下最高的耐
压CVEO---发极射地,接基极地对开,路集电与发极射极间在之定条件指下最的耐压高
VCER--发射-极接,地基极发与射间串接电极R阻集,电与极发射极间在指条定下的件高耐压最
VCE-S-发-射接极地,极基对短路地集,极与电射发之间极指在定件条下的高耐最
VC压E-X--发射极地,接极与发基射极间加之规定偏压的集电,与发射极之间极规定条在件下的最耐高压 V
--p-通穿电. 压
SV-B-二次-击穿压电 V
B-B--基极(流直)电源压电外电(路数)参
cVc---集极(电直)流源电压(电电外路数)参
EEV--发射极(直-)电流电源(外压电路数)参
VECsa()-t--射发极接地规,定c、IIB件条下的集极-电发极射饱间压降和
BVE(sta)---射极接地,规发I定、Ic条件下B,基极-发极饱射压和降前向(压降 )V
AG-C-正向自动增益-控制电 压
n(p-pV)---输入等效噪声电压端值峰
Vn- -噪-声压电
jC--结-极间()电,容 表在二示极管端两加定规压下,偏锗检波极二管的电容
总jCv--偏-压电结容
Co--零-偏压容 电
Cjo--零偏压结电容
-jo/CCjn---电结容变 化Cs--
管-电壳容封装或容 电
t-C--电总 容C
V--T-电温度压系数在测试电.下流稳,电压定的对变相化与境温度的绝环对化变之 比CTC
---容电度温系数
Cnv---称电标 容
双极型晶体管符号及意 义
I---正向F直流电流正(测试电流)向.锗波二极管在规定检正的向电VF压,通下过极的电流间硅;流整管、堆硅规在定使用条件下,在正弦半的中允波连续通许过最的工作电大(流平值),均开硅二关极在额管定率下允功许过的最大正通向流电流;测稳压直极管正向电参二时给数的电定.流
IF(VA)---正向均平电流 IF
(IM)M---正峰值向电(流正向大最电流.在)额定功率,允下通许过极管的二最正向脉大冲流.发光二电管极限电极. 流I
-H--定电流、维持电恒流.
iI-- -发二光极管辉起流电
IFR--M正-向重峰值电复 流IF
S-M--向正重不峰值电复(流涌电浪流
I)o--整流-流.在特定电路线规中定率和频规定电条压下所通过件的工
作电流
FI(ov)--正-过向电载
流LI---光电或稳流流二管极极限流 电ID---
电流暗 IB2-
-单结晶-体中管的基极制电流调 I
EM---射极发值峰流
电IB1E---0基双极结单体管晶发射极中与第基一极间反电向 流IEB20---
双极基结单体晶管中射发向电流 极
IMC---大输最出均电平 流
FIPM--正-向脉冲电流 I
---P点电峰
I流V---点电流谷
GTI--晶-闸控管制触极电发 流IG
--D晶闸管控-制极触不电发流
GIF-M--控制极正峰向电流值
IRAV)-(-反向-平电均流
IRIn(-)--向反直电流(流反向电流).漏测反向在特性时给定的反向电流;,堆硅正在弦半电波性阻负载路中电加反,电压规向值定,所时过通的流;硅电开二极管关两加端向工反电作压VR时通过的所电;流稳二极压在管向电压反,产生的下漏电;流流整管正在弦半最波反高工作向电压的漏电流下.
IR
-M-反-向值电峰 流
RIR---闸管反晶重向复均平电
I流DR--晶-管断态平均重闸电复流
RIRM---反重向复值电峰
流RSM-I-反向不-复峰重值流(电反向涌电流)
浪Ir-p-反-恢复电流 向
Iz--稳定-电电流压反向测(电试流.测试)向电反数参,时给定的向电流反
I k---稳压管膝z电点 流
O--M最大-向正整流)(流电在规.定条下,件能承的受向最大正瞬时流电;电阻性在荷的正负弦半整流波路电允许连中通续锗检过波二极管最的工作大流 电
IZ
SM---压稳二管浪涌电流
极IZ-M--大稳压电流最在最大耗.散率功稳压二下管允极许通的电流过
F-i--向总瞬时正流电
Ri---向反总时电瞬 流
ir--反-恢复向电 流I
po---作电工流
Is--稳-二流管极定稳电流 f
---频
率n--电-容化指数;电容变
Q比---值优品质因素)(
δvz--稳压-电管漂移压
i/dtd---通电态临流上界升 率
dvdt-/-通态电压-临界上率 升
PB--承受脉-烧毁功率冲
PFT(AV)---向正导通平均散功率耗 PF
T-M--正峰向值散功率 耗P
F---T正导向总通瞬时耗功率 散
P-d--耗散率功 PG
--门-平均功极 率
GPM--门极峰值功- 率
CP--控-制平极功均率集或极电散耗率功
Pi --输-入功率
P-K--最大关开率功
P -M-额-定率功.二极硅管结温不高于510度能承所的受最大率功
PP---最大M漏过脉冲功 率
MPS--最大承受脉-功冲 率
Po--输-出功率
PR ---反向浪功涌率 P
ott---耗总散功率
Poam-x-最大-出输功 率
Ps-c-连-输出续功率
SM--P-不复浪重功率涌
PZ-M-最-大散功耗率.给在使定条用件下稳,二极压允许管受承最的大功率
RFr()--正向-微分电阻.在正导向时通,电随流压电数的增加,指现呈明显的非性特性.线某在
一正电向压下电,增加微压量小V,正△向流相应电加增△,则△V/△II微分电称阻 R
BB--双-基晶体管极基极的间阻 电RE--
-射电频阻
LR--负载-电 阻
s(rs)-R--串-电阻 联
tR-h---
阻
热Rt()hja----结环境到的阻
Rz(r热)u---动电阻态
R(htj)c---到壳的结热
r 阻-δ-衰减电阻- r(t
h)--瞬态-电
阻a-T--境温度
环T-c--壳 温
t-d-延迟-间时
t-f-下降-时间
tr-f-正-恢向时复间
tg---路电换向关时间断 t
g-t--极门控制开极时通间
T-j-结温 -T
m--j-高结温 最
on--t开-时间 通tof
f--关-断间 时
t-r--升时上 间
trr---反向恢复时 间t
-s-存-时储
ts间tg---温度补二极管的贮偿温成度 a---
度系温 数
λp---发光峰值长 波
△ -λ--谱光半宽度
η---结晶单管分体比压效率或
VB--反-向值峰穿电压 击
Vc--整流-入电输
压VB2B-1-基-间电压极
BVE1-0--射极发第一与极反基向电
VEB压--饱-和压降
FVM---最正大向降(正压向峰电值)压
VF--正-压降(向向正直流压)
电△FV--正-压降向差 V
RDM---断重态复峰值压电
V GT---极触门发电 压
VDG---极门不触发电压 VG
M--F-门正向峰极值电压
VGRM---极门向峰反电值 压
FVAV()---正向平均压
Vo电---流输入交压电
VOM---大输出最平均电
V压op--工作电压 -
nV---中心压电
pV---峰点电 压
VR--反-向工电压作反向(流直电) 压VR
M--反-峰向值电(压高测最试压)电
V (BR-)-击-电压穿 V
t-h--电压阀(门限电压)
RRM-V--向重反复峰电值压反(向涌浪压电) VR
WM--反-工向作值电峰压
Vv ---谷电点 压
Vz--稳定-压电
△Vz--稳压范围电压增-量
Vs---通电压向(信号电压或稳流)稳定管流电压 电
v---a电温压度系数
Vk --膝点-压(电流二稳极管)
V L--极-限电
压二管参数极号符及意义
CT
---势垒容
C电-j-结(-间极)电容, 表在二极示管两端加规定压偏下,锗波二极检的总管电容
jv-C--偏结电压容
o-C--零压偏电容
Coj---偏零压结电容
jo/CjCn--结电容变化-
Cs---管电壳或容封电容 装
t-C--总容电 CT
V---压温度电数系在测.试流下,稳定电电的相压对化与环境变温的绝对变度化比 之
CCT--电容温-度系
C数vn--标-电容 称
IF---正向直流流(电向正测试流)电锗.波检极二管规在定正向的电压FV,通下极过间的电流硅整流管;、堆硅规定在使的用件条,下在正半弦中波许连续通过的最大工允作流(平均值)电,开关硅极管二在定功额下率允许过的通大正向最直流电流;稳压二测极管向正电参时数给的电流 定
IF(A)V---正向均平流电
IM(FIM--)正-向峰值电流正(最向电大)流.在定额率下,功允许通过极二的管最大正向冲电流脉发.二光极极管限流电
.H---恒定电流、维持电I流.
I-i--发 二极管起光辉
电流
I RF---M正重向复值电流 峰
ISMF---向正重复不峰值流(电浪电涌)流
Io- -整-电流流.在定线特路中规定率和规频电定条压下件通过的所工电作流
IFo(v)---向正载电流
IL-过--电流光稳流二极或管极限电流
I-D--
暗流 电
I2-B-单结-体晶管中的极调基电制 流
EIM--发射-峰极值流电
EBI0-1--基极单双晶结体中发管极与射一基极间第向电流反
IE20B--双-基单结晶极体中管发极向射流电
CMI---大最出平输电流 均
FMP---正I脉冲电向流
PI---峰电点
流V---I点谷电 流
GTI--晶-闸管控极制触发电流
IDG---晶闸控管极不触发制流电
IGF M--控-制正向极值峰流 电
R(IV)-A--反向平均电 流
I(In)-R--反向流电直(反流漏电流向)在.测反向性时,特定的反向电给;硅堆流正弦在半波阻电负载电性中,路反向电压加定值规时所通过的电流,硅开关二极;两管端反加向工作压电RV所时过的通电流;稳压极管二反在向压电,产生的下电漏流整流管在正弦;波半高反最工向电压作下的漏电.
流
IMR--反向-峰电流 值
IR-R-晶闸管反向-复重均电流 平
IDR--晶-管闸态平断均重复电 流IRR
M--反向-复峰重电流值
ISR--M反-不向重峰值复流电(向反浪电流)涌
Ir--p-反恢向复流电 I
---z稳电压定电流(向反试电流).测测反向试参电时数给定的反向电流, Izk
--稳压-膝点管电
流OI-M-最-正向大(流整电流.在规定)条件,能承受下正向的大瞬最电流时;电阻在负性荷的正半波整流弦路电中允许连通续锗检过波二管极最的工作大流电
ISZM--稳压二-管浪极涌流 电IZ
M--最大稳-电压.流在大最散耗功下稳率二极压允管通许的过流 电iF
--正向总-时瞬流 电
i---R向反瞬时电总 流
i-r-反-恢复电流向
Ip-o--工电作流 Is--
稳流二极管-定电流稳
---f率频
n---电变化容指数;容比 电
---Q值(品质优素因 )δ
v--z稳压-电压漂移 管
i/dt---d通电流态界上临升 率
v/ddt---通电态临界压升上率
P B---受脉承烧毁冲功率
PF(ATV)---正导通向平耗均散率 功PF
M-T-正-峰向值散耗功
率FT-P-正向-导通总时耗散功率瞬
P-d--耗功散 率PG---
门极均平功率
PGM--门-极峰值率 功
PC---制极平控功均率集或极耗散电率功
Pi---输功率 入
P-K-最大-开功关率
P-M-额定功率-硅二极管.温结不高于501度能所受承的最大率功 PMP
---大漏过最冲脉率功 PMS-
-最大承受-脉功冲 率Po
---出功率 输
P--R-向浪反功率涌
P tot--总-散功率耗
Pom x-a--大最出功输 率Psc
--连-续出输功率
PS--M不-重复浪功率涌
PZM---大最散功率.耗给在使用条件定,稳下压二管允极承受许最的功大率
R(Fr)---向正分电阻.在微正导通向,电流时电随指压的增加数呈现明显的非,线性特.性
在某正向电一下,压电压加增微量小V,△向电流相应正加增△,I则△V/I称△微电分 阻R
BB--双-极基晶体管基极间电阻的
ER--射-电阻频
L-R--载负阻
R电srs)-(--串-电联阻 R
ht----阻热
R (thja)---结到-境的环阻热
z(ru)-R--态电动阻
R(h)jc-t--到壳的结阻热 r δ-
-
-衰减阻电 r(
h)t---瞬态阻 电
Ta--环-境度 温
T--c-温 壳
dt---迟延间时
t f---降下间时
trf---正恢复向间 时tg--
电路换向关-断间 时
tgt--门-极制控开通极间时
T ---结温j
Tj m---最高结 温
to---开n时通间 t
ff--o关断时间
-r--t-上升时间
trr---向反复恢间 时
st--存储时-间
tsg--t温-度补二偿管的极成温度贮
a--温-度数系
pλ---发光峰值长波
λ△--光谱-宽度 半η
--单-晶结体管压分比效率或
V ---反B向峰值击穿电 压
V-c--整流入电输压
VB B2---1基间极电 压
VE10B--发射极与第一基极-向电反 压
VB-E-饱和-压
降FV-M-最大正-压降向(正峰值向电) 压VF
--正向-降压(向正直流电) 压△
FV---向正压差降
VRMD---断态重峰复电值 压
VGT---极触门电压发
V DG--门-极不发触电压 VG
MF--门-极向峰值正电压 V
GMR--门极-向反值电压
峰F(VAV)--正-平均向压电 Vo
--交流-入电输压
VMO---大输最平均出压
Vop电--工作电压- Vn-
--心中压电 Vp---峰
点压电
R---反向V作工压电(反向直流压)电
V R---反M向值峰电(最压高试电压) 测
V(RB)---穿击压 电
Vh---阀电t(门限压电压)
VRM---反向重R峰值复电压(向浪涌电压反)
RWM--V-向工作反值电压 峰V v-
--点电压 谷
z-V-稳-电定压
△ V---稳z范压围压增电 量
s-V-通-电向压信号电压)或(稳流管定电流稳压 电
v-a--电压度系数温
V k---膝电点压(稳流二管极 )
LV ---限极电C压-T-势垒电-容 Cj---结
极间()容, 电示表二极在两管端加定偏规压下锗,波检极管二总的容 电
Cv--j-偏压电结 容C
o--零偏-电压容
Co---j零压结偏容电
Co/jCn---结电容j变化
sC---壳电容管或装电封
Ct---容电容总
TC-V-电压温-度系.数测试在流电下稳定,压的电相对变与化境温度环的对变化之绝
比TC---C电温容系度 数
Cv---n称电标 容
IF--正向-流电流直正向测(电试流.)锗波检极二在规管的正向电压V定下F通过极,的电流间;整流管硅、硅在规定堆的用条件使下在,弦正半中允许连波通过续的大工最电作流平(值)均,硅关开极二在额定管功下率许通允过的最正大向流电直;测流压稳极二管向正参数电给定时的电流
I
F(A)V--正向-平电均 流I
F(IMM)---正峰向电值流(向最大电正流)在.额功定率下,允许通二过管的极大最正向脉冲电.流光发二极极管电流限.
IH--恒-定流、维持电流电.
Ii-- 发-二极管起辉电流 光
FRMI---正向复峰重
值电
IFS流-M-正-不重复峰向值电流(浪涌流电 )Io--
-流整电流在.特定线路中定频规率和定规电条件下压所通过的工作流电 IF(ov
)---向过正载电 流
LI--光-电或稳流流极二管限极电流
DI---暗电流
IB2--单-晶结管中的基极调体电流制
IEM--发射-极峰值电
IE流B1-0--双极基单晶体管中结发射与第极
一基极反间向流 电
IEB0--2-双极单基晶体管结发射极向电流 中
ICM--最-输大平出电均 流
IMP-F--向正脉电流 冲
PI--峰点电流-
VI---谷电点 流
IT--G-晶闸控制极触发电管流
IG-D--晶闸管控极制不发触电
流IGMF---制极正控峰值电流 向
IR(VA-)-反向平均-电 流
I(IRn)---反向直流流电反(向漏流)电.测反向特性时,给在的定向反流;电堆在硅正弦波半阻电负性载电路中,加反向压规电定值,所通过时的电流;硅开关二极两端加反向管工作电压VR所时通过的电;流稳压二极管反向在压下电产,生漏电流;整流管的在弦正波半最反向高工电压作的下电漏流.
RIM--反向峰值电-
I流RR---闸管晶向反重复平电流 均
DRI--晶-闸断管态平均重复电 流
IRR--M反向重复-值峰电 流
ISMR--反向-重复不值峰电(流反向涌电流) 浪
Irp--反-向复恢流 电
zI---定电压电稳流(反测向试电流.测)试反向电参数,时定给反向电流的 I
kz---稳压管点电流 膝
IM--O-大正最(向流整电)流.规在定件条,能下承的正向最大瞬时电流;在电阻受性负荷的弦正波半整流路中允电连续通许过锗波检二管的极大工作最流 电
ISMZ--稳压二极-管浪电涌流
I ZM---大最稳压流.电最在耗散功率下大稳二极压允许通过管的流电 i
F---向正瞬总电时流 iR
--反-总向时瞬流电
i---反r向恢电流 复
Ipo---作电工流 Is-
--流二极管稳稳定电流
f---率 频
-n--电容变化数;指电容比
Q---值(品质因素优)
δz---稳v压管电漂移
压id/t-d-通态电流-界临升上 率
d/dtv---态通电临压上升界 率
二极
管数参符号及义意中()
P
B--承-受脉烧冲毁功 率
P
FTAV()--正向-导平均通散耗功 率
PFM---正T向峰耗散功率值
P T--F-向导通正总瞬耗时功率散
dP--耗散功-
P率---门G平均功率 极
PG-M--极门峰功值率 P
C---制控平均功极率集电或极耗散率功
iP---输入功率
P--K-大最开关功率 PM
---定功率额硅二.管结温极高不15于0度所能承的受大功率最
P M---P最漏大过冲脉功 率
PMS--最大承受脉-功冲
率oP---出功率输
R-P-反向浪涌功-率
tPo---总耗t散功 率
IZSM--稳压二-极浪涌管流电
IZ-M--大最压稳电.流在大最耗功散率下压稳极二管许允过的通流电
iF---向总瞬时正电流
R-i--向反总时瞬流 电
ir---反恢复向流电
Io-p--工电流 作
Is--稳流-极管稳二电流定
f
--频率-
n- -电-容变化数;电容指比
Q--优-(值品质因素) δ
z-v--稳管压电压漂移
di d/---通t电态流界上临率升
dvd/t--通-电压临态上界率升
PB --承-脉受烧毁冲率功
FPTA()-V-正向导通平-耗散均率功
PTMF--正-向峰值散耗率 功
FPT--正向导-总瞬通时耗功率 散P
---耗d功散 率
P-G--门平均功极 率
PGM---极峰值门率功
C-P--控极制均功平率集或
电极耗散率 功Pi
---输入率 功PK
--最-开关大功率 P
---额定M率功.二硅极管结温不于1高50所度能承受最的大功 率
MP-P-最-大漏脉冲过率 功PM
-S-最大承-脉受功率
冲P-o--输出率 功
P---反R向浪功涌 率
Ptt--o总-散功率 耗P
moa---最大x输出率
P功c--s连-输续功出 率
PSM---不复重浪功率涌
PMZ--最-大散功率耗在.给使定条件下,稳用二压管允极许受的承大功率 最
F(rR)---正向分微阻.电正在向通时,导电流随压指数电的加增呈,现明显非的性线特.在性某一向电压正下,压电增加微小△量,正V向电相应增加流I△,△V/则△I称微电分 阻
RB---双基B晶体管极基的极电阻间
R-E-射频电阻-
L-R-负载电-阻
Rs(sr----串)联阻 电
Rth---热-阻
(Rh)jt--a--结到境的环热阻 R
(zur)--动-态电
阻Rt()jh---c到结的壳热阻 r δ
---衰电减 阻
rth()---瞬电态 阻
aT--环境温度-
Tc--壳温-
d-t--延时间迟
t--f-下降间
t时fr--正向-恢时间复
t--g电路-向关换断间时 tgt-
--极门制极开控时通间
j---T温结
Tm---j最结温 高
ton--开通时间- tof
---关断时间f tr-
--上时升 间t
rr--反-恢复时向 间
t--s-存时储 间tstg--
温-补偿度二管极贮的温度 成
a--温度-系 数
pλ---光峰值波发
△ λ长--光谱-半宽 度η-
-单结-体晶分压管或效率 比
V--B-反向值击峰穿电
V压-c-整-流输入电
压VBB21---极基电间 压
VBE1---发0极射第一基与极反电向压
VEB--饱和-降压 V
F-M-最大正向压-降正(峰向值电压) V
F--正-向降压(向正直电流压) △VF
--正-向压差降 VDRM
--断态-重复峰电压值
GT--V门-触发极电 压VGD
---门不极触发电 压
VFGM---极正门向值峰电压
VRGM--门-极反峰向电压 值VF(
V)A--正向平-均压
V电o--交-流入输压 电
VOM--最-大输平出电均压 Vo
-p-工-电作压
Vn---心中电压 V
-p-峰点-电压
RV--反向-工作电(压反直流向压电)
VMR---反向值电压(峰高测最电压)试
(BRV-)--穿击电压
tVh---电压(阀门电压限 )
VRR-M--反向复峰值电重压(反向浪涌压电 )
RVW--M-向工反峰作电压 值
V v---谷点电压 Vz
--稳-电定 压
V△z---压范稳电压围增
Vs量--通向-压(信号电压电)稳或管稳定流电电流 压
av---压电温度数 系V
k---膝点压电稳流二(管极)
V --L极限电压C---T-垒势容电
j---C(极间结电), 容示在表极二
管两加规定偏压端,下锗波检极管二的电总 容
Cj-v--压结偏电 容
C-o--偏压零电 容
Cjo---零压结偏电容 Cj
/Cjn-o-结-容变化电
Cs---管壳电或封装容容 电Ct
---总容电
CT-V--压电度温数.系测试在电下流稳定,电的相对变压化与环温境的绝度对化之变比
CC--T-电容温系度数
vn-C--标电容称
FI--正向-直电流(流向测正电流).试锗波二极管检规定的正在向电压V下,F通过极的间流;硅
电整流、硅堆在规管定的用使条件下,在正弦波中半允连续通过许最的工作大流(电均平值),硅开二极管关在额定功下允率通许过的大正最直向流流;测电压二稳极管向电参数正给定时的流电
二管极数符参及号义(下) 意
Pi-
-输入功- 率
K-P-最大-开关功率
P -M-额-定功率.二硅极结管不温于150度高能承受所的最功率 大PM
---最大漏过脉冲功率 P
MSP--最大承-受冲脉功率
oP---出输功 率
PR--反向浪-涌率 功
Pott---耗总功率 散Po
am-x--大最出功输 率Ps
---c连续输功率 出
PM-S--不复浪重涌率 功
PMZ--最-耗散功大率.在定使用给件条,稳压下二极管许承受允最大的率功
R F()r---正向分电阻微在.正向导通,时电流电随指压数增加,的现明呈显的非性线特.性某一正在电向压下,电增压微小加量△V,正电流相向增应加△I,△V/则I△称微电阻分
BB-R-双基极-晶体管的极基电阻间 RE-
--频射电阻
R-L--载电负阻
R (ss)-r---联串电阻 R
h-t---阻热
(tR)jah---结-到环境的阻热 Rz
(r)-u-动态电- 阻R(th)
c---j结到壳热的阻
rδ-- -减电衰阻 r(t
h-)-瞬-态阻 电Ta-
--环温度 境Tc
--壳-
td-温-延迟-间 时tf--
-下时间降
fr--t正-向恢时间
复t--g-电换向路关时断 间
gt-t--极控制极门开时通
间Tj---结温
Tmj---最结温高
on-t-开通时间-
toff---关时断间
r-t-上升时间-
t rr---反恢复向间时 t
--s存储-间 时t
ts-g--温度补偿极二的管成贮度温
a--温度系数-
λ-p-发光-峰波值
长 △-λ-光谱-宽半 度η-
-单结晶-管分压体比或率 效V
---反向B值击穿峰电 压
c-V-整流输入-压电 V
B21B---极间基压
V电B1E-0-发-射极与一基第反极电压 向
EB-V--饱压和降
FM-V--最正大压降向(正向值峰电压)
V-F--向正压(降向直流正电)压 △V
F--正向压降差-
VRD--M-态重复断峰电压值
VT-G-门极触发-电压
VGD-- 门极不触发电压-
GVM---门F极向峰正值压电
GVM-R-门极-向反峰电压 值
VF(A)-V--向正均电平压
V-o--流输交电入 压V
MO---最大输出均电平压 V
po--工-作电 压
n---中V心压 电
pV--峰-点压电
R-V-反向-工作电(反向直流压电)
压VMR--反向峰值-压电(最测试高电压)
(BVR-)-击-电穿 压
Vht--阀-电(门限电压) 压V
RRM--反-向重峰复值压(反向电涌浪
电压 )VR
M-W--反工作向峰电压 值
vV---点电压谷
zV---稳电定 压
V△z--稳-压围范压电量 增
V-s-通向电-压信(号电)压稳流或管定电流电压 稳
av--电压-度系数温
Vk--膝点电-压(流稳极二管 )V
L- -极限电压-CT---垒势电容
Cj- -结-(间极电), 表示容二极管两端在加定偏压规下,检波二锗极的总管电 容C
v---j偏压结电容
oC---偏零压容电
Coj---偏零结压电容
Cj oC/n-j--电结容化 变C
s--管壳-电容封或电装容
C t--总电-容
TC-V--
电温度系压数在测.电试下,流定电稳的压对变化与环相温度的绝境变化之比对
C TC---容温度电系数 C
v---n标称电容
I ---正F向流直电流(向测正电试流.)检波锗极二管在规定正的电压V向F,通下过间的电极;流整流硅、管堆硅规定在的用使条下件在,正弦波中允半许续通过的连最工大作电(流均平值,硅开)关极管二在定额功下率允通过的最大许向直正电流流;稳压测二极管正电向参时数定的电给流
F(AV)I--正向-平均电流
IFM(I)M--正-向峰值流电正向(最电大流).额在定率功下允许通,过二极管最的正大脉冲电流.发光二向极管极限流. 电
I-H-恒-定电流维、持电流.
i-I- 发光二-管极起电辉流
IRF-M--正重复向峰电流值 IF
S-M--向不重复正值峰流电浪(电流)涌
I---o流整电.流在特线定路中规定频率和规定压电件条所下通过的工电作流
IF (vo-)-正-过向载电流
IL---光流电或流二稳管极限电极 流
D-I--暗电
流IB-2--结晶单管体的中极基调制流
IEM-电-发-极峰射值电
IE流B0-1--基极单结晶双体管中射极发与第一基间极向反电
I流E20--B双基-极结单晶体管中发极射向电流
CIM---大最输出平均流
I电FPM---正向脉冲电流
PI--峰点-电流 I
--V-谷电流点 I
GT--晶闸管-控制极发触电流 I
GD--晶-闸管控极制触发不电 流
IGFM---控极正向制值峰电流 I
(RVA)--反向-平电均 流IR
I(n)---向直反流电流反向(电漏).流在测反向性特时给定的,反电向流硅;在堆弦正半电阻波性载电负中,路反向加压电定规值,时所通过电流的硅;开二极管两端关反加向工作电V压R时所通过电流的;稳二极压管反在向电压下,生产漏的电流整;管在正流弦波最半反高向作电压下工的漏电.流
RIM---反峰向电流 值IR
---晶R闸管反重复向均电平 流
IRD---闸管断态平均重复电流 晶I
RMR--反-向重峰复电值流 IR
M---反向不S重峰复电值流反向(涌电浪)
流Ip---反r向复电恢流 I
-z--稳定电电压(流反测向电流)试.测反向试参数时,电定的给向电流 反Izk--
-压管膝点电稳
流OM-I-最-正大(整流)电流.在向定条件下规,能承受正的向最瞬时电大流在;电性阻负的荷正半波整弦流电中允许路连续过锗检波通
二极管的大工作最电
流
IZMS---稳二压极管涌电流浪
I MZ--最大稳压电-流.最在耗大散率下稳功二极压管许允通的电过流
F---正i总向瞬电流时
iR---反总瞬向时流电
r-i--反向恢复电流
opI---作工电 流
sI--稳-流极管二定电稳 流
f--频-率 n
--电-变容指数;化电容 比
Q---优值(质因素品)
vδz---压稳管压漂移 电
i/dt---通态电流临d上升界率
vd/td--通-电态临压界升率上 P
B---承脉受烧冲毁功 率
FTP(VA)--正向导-通平均耗功率散 PFT
--M-向峰正耗值功率散 P
FT--正向-
导通瞬时耗总功率散
dP---耗功率散
P-G--极平门功率
P均MG---极门值功率峰 PC---控制
极均平功率或电集耗散极率 功
P-i--入输率 功
PK--最大开-功关率
P-M--定额功.率二极管硅温结高于不10度5所能受的承最大率功 P
P---最大漏过脉M功率冲 P
MS--最大-受承冲脉率 功
Po--输-功率出
R-P-反向-涌浪率
P功to--t-总散耗功率 P
oax---m最输出功大率 Psc-
--连输续出功率
PMS---不复浪重功涌率
ZPM---最耗散功率.在给定使大用件下条,压二稳极管许承受允的大功率 最
F(Rr--)正-向分电微.阻在正导向时通,电随电压流数的指增加,呈明显的非线现特性性.某在一正向压电,电下压加增小微△V量,正向流电相应加△增,则IV△△I/称分电阻 微
RBB---
双极晶体管基基的间极电
阻E-R--射频电 阻
L-R--负电载 阻
Rs(r)-s---联电阻 串Rth----热阻
R(thja--)--到结环境的阻 热
z(Rr)u--动-电态 阻R(
htj)-c-结到-的壳热阻 r δ
---衰电减阻
rt(h--)-态瞬电阻
Ta--环境温- 度
Tc---温
td壳--延迟-时间
t f--下-降时 间
trf---正向复恢时间 t
g---路换电向断关间 时
ttg--门极-控极制通时间开
T j---温结
Tmj---高结最温
tn--o开通时间 -t
ffo--关-时断 间
tr--上升时间-
t rr---向恢复时间反
t --s存-储间时
ttg-s-温度补-二极管偿的贮成度
温-a--度温系数
pλ---发光峰波长 值△
---λ光谱宽度半
η --单结晶-体分管比或压率效
VB ---向峰反击值穿压 电
V--c整流输入电-压
VB 2B---基极1电间
VBE10压--发-射与极第一基反向极压电
EVB--饱和压降 -
VFM---大正最压降(向向正值峰压)电
VF---向正降(正向压直流压电)
△F---V向正降压 差
VRD-M--断态复重峰电压值
GTV--门极-触发电 压V
DG---门不触发电极
压VGM---F极正门向值峰电压 V
RMG--门-极向峰值反压电 V
(AV)---F正向均电压平
V ---交o流入输压电
V O--M-大最输出平均压电 V
op--工-电压作
Vn--中心电-压
p-V--峰电点 压
RV---向工反作电压(向直反电流) 压
VM-R--向反值电压(最峰测高试压)电
V(R)B--击穿电- 压V
ht--阀电-压(门电压限)
VR MR---反向复重值电峰(反向压涌浪压)电
VRM--W-反工
向作峰电值压
V v- --点电谷压
zV--稳定电压
-△Vz---稳范压围电压增
量s-V-通-电压向(信号电)或压稳流管稳定流电压电
v-a--电压温系度
数V--k-点膝电压(稳流二极) 管
L -V--限极压
电
ds--C漏-源-电容 Cdu--
--衬漏底容 电
Cgd----栅电容
源Cg-s--漏-源容电
Ci ss--栅-路共短源输入电 容
ossC---短栅路共源出输电容
Crs--s栅短路-源共向反传输容电
---占D比(空占空系,外数电路数参
)id/d-t-电流上-升(率外电路参数 )d
vdt/---电上压率(外电升路数参 )
ID---漏极流(直流)电
DM-I--漏脉冲电极
I流Do(n)---通漏态极电流
DI-Q-静-漏极电流(态频功射率管 )
IDS--漏源-流电
ID M-S--大漏最源电流
DISS--栅-源-路短,时极电流漏
I D(Sat)s---沟道和饱电(流源饱和漏流电
)I-G--极电流(栅直) 流
IG---正向栅电F 流IG
-R-反-栅向电 流
IGDO--源极-开时路截,栅电止 流
IGS--O-漏开极路,时截止电栅流 I
M-G--栅脉极冲流 电
IP-G--栅极峰值电流 IF---
二极管向正电 流
IGSS---极漏短时截止路栅流 电ID
S1S---管对第管漏一源饱和电流
ISDS2---管对二第管漏源饱和流
电I---衬u底流电
Ipr---流电脉峰冲(值电外参路数)
gsf---正跨导 向
Gp--功率-增益
G ps---源共极中高和功频增率益
GGp--共-极中栅高频和率增功 益G
PD---共极漏中和频功率增益高 gg
-d-栅-电漏
g导sd--漏源电- 导
-K--调电压温失系度
Ku-数--输传数 系L---
载电负感外电路(参) 数
L---漏D极电感
Ls--源-电感极
DS-r-漏源电阻
-DSro()-n--源通漏电阻 态
rS(ofD-)--源断漏电态阻 r
D-G--漏栅阻电
Gr-S--源栅电 阻
Rg---极外栅电接阻外(路参电) 数R
--L-负电载(阻电外参路数)
Rth(j)-c-结壳热-阻 R(
t)ha---j结环阻 热
PD--漏-极耗功散率 P
D---漏极最大允M耗许功散率
IP--N入功输率
POTU--输出-率功 P
PK--脉冲功率-值峰外电(路数) 参t
(on)-o-开通延-时间
td迟(off--)-断关迟延时间
t---i升时间 上
ton--开通-间时 t
fof--关-时间断
t--f下-时降 间t
r--r-反恢复时向间
T-j-结-温 Tjm
--最-大许允温结 T
a--环-境温 度
cT---管壳温 度
Ttg-s--贮成度温
VD-S--源电压(直流漏 )
VGS--栅源电-压(流)直
VGF-S-向栅正电压(直源流)
VSG-R--向栅源电反(压直)流
VD--D-极(直漏)电源流压(外电路电数参)
VGG---栅(直极)电源流压(电电外路参)数
V ss---极源(流直)电源压电(电路参外数) V
G(thS)--开-电压或启阀电
压(BR)VDSS--漏源击穿电压
V(BR)GSS---漏-源短时路栅击穿电压源 VD
(Son)--漏-通态源电压 V
D(sSat)--漏源饱和-电
压GD-V-栅漏电压-(流直)
V us---衬源底电(直流压 )VD
---漏u底衬电压直流( )
VGu---衬栅电底(直流) 压Z
-o-驱动-内阻 源η-
--极漏效(射率频功率管)
Vn --噪声电-
a压DI--漏-极流电温度系 数
ras-d-漏源电-温阻度系
双数型极体晶管符及意义 号
Cc-
--电极集电 容
Cbc--集电-与极基极间电容
Cc---发e极接射地输电出容
i---C入输容电
Ci---共b极输入电容基
iCe--共-射极发输入
电
C容ise---发射共短极输路入电容
ieC---共发o极射路输开电容 入
C-n-中和-电容外电(路数)参
Co-- -出输容 电Cob
---共基输出电容.在基极极路中电,集电与极基间输极电容出 C
e--o共-射极发输电出 容
Ceo-o-共-射发极开输路出电容 C
re--共发-射极反馈电 容Cic
---电集势垒电结容
C-L-负载电容(-外电参路)数
pC--并联-电(外电容参数) 路
BcbV---o射极发开路集,极电与极间基击穿电压 B
Vco-e-基极开-,路C结击E穿压 电
VebB--o -电极集开E路B击结穿电
压VBec-s-基-极与发射极路短E结击C电压穿
BV cr---e基与发极射串极接电阻,一EC击穿电压结
D--占空-比 f
T--特-频率征 fmax---最
振高荡率.当频极三管功增率益等于1的时工频作率 hFE-
-共发射极-态电静放流大数系
h I-E--发射共极静态输阻抗 入
OE--h共-射发极态静输电出 导
RhE---发共极静射电态压馈系反 数
hei--共-发射小信号极路输入阻短抗 h
re---发射共小信号开极电路压馈系反数
feh---共发极小射信号短路压放大电数系
h e--o共发-极小信射号路输开导出纳 I
---基B直流电极或交流电流流的平均 值I
c--集电-直极流电或流交电流流平均值的
IE-- -射极直发流电或交流电流流的平均值
Ic b-o-基极接-地,发射对地极开,路规在定的VC反向B电压件条的集下极电与基之间极的向反截止流 电
ceIo---发射极地接基,对极地路开在,定的反向电规压VE条C件,下集极与电发射之极的反间向截电流止 Ie
o---基b接地,极集极电对地开路在,规的定向电反VE压B件下,发条极射与极之基的反间截向止流 电
cIre---基极发射与极串间电联R,阻集极与电射发极的间电V压CE规为值时定,电极集与射发之间的反极向截电止流 I
ces---射发接极地基极对,地路短,规定在的向反电VCE压件条,下集电极与射发极间之反的向截止流电 I
ec---x发极接射地基极与发,射间极加定指压偏在,规的反定偏压V向C下,集电E与发极射之极间反向的截电流止 I
CM--集电-极最大许电流允交流或电的最流平均值. 大
BMI---集电极允在许耗散率的范功内围,连续地能通过基极直的流电流最大值,或交的电流的流最大平值均
IMC-P--集电极大允最许冲电流脉
SBI---次二击电流穿 I
AC--G正向-自动控电制流
P c---集极耗散功率 电
CM-P--电极最大集许允散功率 耗
P---i输入功率
Po---出功输
Posc率---荡振率功 Pn
--噪声-功 率
toPt--总耗-散功率
SBE--二次击-能量 穿r
b&b#39;--基区扩展-阻电(基本征电阻)区
r b&b3#;9Cc---极基-电极集间常时数即,基扩展电极与集阻电结容电量的积乘
ri---发e极射地接,交输出短流时的路入输电阻 ro
--e发-射
极接地在规,VCE、Ic或IE、频定率条件测定的下流交输短入时路的输电阻出
ER--外接-发
极电阻射外(路电数参 )RB
---外接极电阻基(外电参路)数
cR ---接外电集电阻极外电(路参) 数
BER---接基外-发极极射电阻(间电路外数参
RL)---载电负阻(电路外数参 )R
G--信-号源内阻
Rht--热-阻
Ta--环-境温度
cT---管温壳 度Ts--
结-温
T mj---大允最结许 温
Ttgs--贮存温度- t
d---延迟时间 -tr-
--升时间上 ts
--存贮-间时 tf---下降
时 间
on-t--开通间时
otff---断时间关
VC B--集-电极-基(直流极)压电
VEC--集电--极射极发直流(电压 )
VE-B-基-极射极(发流)直电压
VC B-O--极基地接,发极对射开地路,集极电基极之与在间定条指件的最下耐高压
VEOB--基极接地-集电,对地开路,极发极射基与极之在间指定条件下最高的耐
压CVEO---发极射地,接基极地对开,路集电与发极射极间在之定条件指下最的耐压高
VCER--发射-极接,地基极发与射间串接电极R阻集,电与极发射极间在指条定下的件高耐压最
VCE-S-发-射接极地,极基对短路地集,极与电射发之间极指在定件条下的高耐最
VC压E-X--发射极地,接极与发基射极间加之规定偏压的集电,与发射极之间极规定条在件下的最耐高压 V
--p-通穿电. 压
SV-B-二次-击穿压电 V
B-B--基极(流直)电源压电外电(路数)参
cVc---集极(电直)流源电压(电电外路数)参
EEV--发射极(直-)电流电源(外压电路数)参
VECsa()-t--射发极接地规,定c、IIB件条下的集极-电发极射饱间压降和
BVE(sta)---射极接地,规发I定、Ic条件下B,基极-发极饱射压和降前向(压降 )V
AG-C-正向自动增益-控制电 压
n(p-pV)---输入等效噪声电压端值峰
Vn- -噪-声压电
jC--结-极间()电,容 表在二示极管端两加定规压下,偏锗检波极二管的电容
总jCv--偏-压电结容
Co--零-偏压容 电
Cjo--零偏压结电容
-jo/CCjn---电结容变 化Cs--
管-电壳容封装或容 电
t-C--电总 容C
V--T-电温度压系数在测试电.下流稳,电压定的对变相化与境温度的绝环对化变之 比CTC
---容电度温系数
Cnv---称电标 容
双极型晶体管符号及意 义
I---正向F直流电流正(测试电流)向.锗波二极管在规定检正的向电VF压,通下过极的电流间硅;流整管、堆硅规在定使用条件下,在正弦半的中允波连续通许过最的工作电大(流平值),均开硅二关极在额管定率下允功许过的最大正通向流电流;测稳压直极管正向电参二时给数的电定.流
IF(VA)---正向均平电流 IF
(IM)M---正峰值向电(流正向大最电流.在)额定功率,允下通许过极管的二最正向脉大冲流.发光二电管极限电极. 流I
-H--定电流、维持电恒流.
iI-- -发二光极管辉起流电
IFR--M正-向重峰值电复 流IF
S-M--向正重不峰值电复(流涌电浪流
I)o--整流-流.在特定电路线规中定率和频规定电条压下所通过件的工
作电流
FI(ov)--正-过向电载
流LI---光电或稳流流二管极极限流 电ID---
电流暗 IB2-
-单结晶-体中管的基极制电流调 I
EM---射极发值峰流
电IB1E---0基双极结单体管晶发射极中与第基一极间反电向 流IEB20---
双极基结单体晶管中射发向电流 极
IMC---大输最出均电平 流
FIPM--正-向脉冲电流 I
---P点电峰
I流V---点电流谷
GTI--晶-闸控管制触极电发 流IG
--D晶闸管控-制极触不电发流
GIF-M--控制极正峰向电流值
IRAV)-(-反向-平电均流
IRIn(-)--向反直电流(流反向电流).漏测反向在特性时给定的反向电流;,堆硅正在弦半电波性阻负载路中电加反,电压规向值定,所时过通的流;硅电开二极管关两加端向工反电作压VR时通过的所电;流稳二极压在管向电压反,产生的下漏电;流流整管正在弦半最波反高工作向电压的漏电流下.
IR
-M-反-向值电峰 流
RIR---闸管反晶重向复均平电
I流DR--晶-管断态平均重闸电复流
RIRM---反重向复值电峰
流RSM-I-反向不-复峰重值流(电反向涌电流)
浪Ir-p-反-恢复电流 向
Iz--稳定-电电流压反向测(电试流.测试)向电反数参,时给定的向电流反
I k---稳压管膝z电点 流
O--M最大-向正整流)(流电在规.定条下,件能承的受向最大正瞬时流电;电阻性在荷的正负弦半整流波路电允许连中通续锗检过波二极管最的工作大流 电
IZ
SM---压稳二管浪涌电流
极IZ-M--大稳压电流最在最大耗.散率功稳压二下管允极许通的电流过
F-i--向总瞬时正流电
Ri---向反总时电瞬 流
ir--反-恢复向电 流I
po---作电工流
Is--稳-二流管极定稳电流 f
---频
率n--电-容化指数;电容变
Q比---值优品质因素)(
δvz--稳压-电管漂移压
i/dtd---通电态临流上界升 率
dvdt-/-通态电压-临界上率 升
PB--承受脉-烧毁功率冲
PFT(AV)---向正导通平均散功率耗 PF
T-M--正峰向值散功率 耗P
F---T正导向总通瞬时耗功率 散
P-d--耗散率功 PG
--门-平均功极 率
GPM--门极峰值功- 率
CP--控-制平极功均率集或极电散耗率功
Pi --输-入功率
P-K--最大关开率功
P -M-额-定率功.二极硅管结温不高于510度能承所的受最大率功
PP---最大M漏过脉冲功 率
MPS--最大承受脉-功冲 率
Po--输-出功率
PR ---反向浪功涌率 P
ott---耗总散功率
Poam-x-最大-出输功 率
Ps-c-连-输出续功率
SM--P-不复浪重功率涌
PZ-M-最-大散功耗率.给在使定条用件下稳,二极压允许管受承最的大功率
RFr()--正向-微分电阻.在正导向时通,电随流压电数的增加,指现呈明显的非性特性.线某在
一正电向压下电,增加微压量小V,正△向流相应电加增△,则△V/△II微分电称阻 R
BB--双-基晶体管极基极的间阻 电RE--
-射电频阻
LR--负载-电 阻
s(rs)-R--串-电阻 联
tR-h---
阻
热Rt()hja----结环境到的阻
Rz(r热)u---动电阻态
R(htj)c---到壳的结热
r 阻-δ-衰减电阻- r(t
h)--瞬态-电
阻a-T--境温度
环T-c--壳 温
t-d-延迟-间时
t-f-下降-时间
tr-f-正-恢向时复间
tg---路电换向关时间断 t
g-t--极门控制开极时通间
T-j-结温 -T
m--j-高结温 最
on--t开-时间 通tof
f--关-断间 时
t-r--升时上 间
trr---反向恢复时 间t
-s-存-时储
ts间tg---温度补二极管的贮偿温成度 a---
度系温 数
λp---发光峰值长 波
△ -λ--谱光半宽度
η---结晶单管分体比压效率或
VB--反-向值峰穿电压 击
Vc--整流-入电输
压VB2B-1-基-间电压极
BVE1-0--射极发第一与极反基向电
VEB压--饱-和压降
FVM---最正大向降(正压向峰电值)压
VF--正-压降(向向正直流压)
电△FV--正-压降向差 V
RDM---断重态复峰值压电
V GT---极触门发电 压
VDG---极门不触发电压 VG
M--F-门正向峰极值电压
VGRM---极门向峰反电值 压
FVAV()---正向平均压
Vo电---流输入交压电
VOM---大输出最平均电
V压op--工作电压 -
nV---中心压电
pV---峰点电 压
VR--反-向工电压作反向(流直电) 压VR
M--反-峰向值电(压高测最试压)电
V (BR-)-击-电压穿 V
t-h--电压阀(门限电压)
RRM-V--向重反复峰电值压反(向涌浪压电) VR
WM--反-工向作值电峰压
Vv ---谷电点 压
Vz--稳定-压电
△Vz--稳压范围电压增-量
Vs---通电压向(信号电压或稳流)稳定管流电压 电
v---a电温压度系数
Vk --膝点-压(电流二稳极管)
V L--极-限电
压二管参数极号符及意义
CT
---势垒容
C电-j-结(-间极)电容, 表在二极示管两端加规定压偏下,锗波二极检的总管电容
jv-C--偏结电压容
o-C--零压偏电容
Coj---偏零压结电容
jo/CjCn--结电容变化-
Cs---管电壳或容封电容 装
t-C--总容电 CT
V---压温度电数系在测.试流下,稳定电电的相压对化与环境变温的绝对变度化比 之
CCT--电容温-度系
C数vn--标-电容 称
IF---正向直流流(电向正测试流)电锗.波检极二管规在定正向的电压FV,通下极过间的电流硅整流管;、堆硅规定在使的用件条,下在正半弦中波许连续通过的最大工允作流(平均值)电,开关硅极管二在定功额下率允许过的通大正向最直流电流;稳压二测极管向正电参时数给的电流 定
IF(A)V---正向均平流电
IM(FIM--)正-向峰值电流正(最向电大)流.在定额率下,功允许通过极二的管最大正向冲电流脉发.二光极极管限流电
.H---恒定电流、维持电I流.
I-i--发 二极管起光辉
电流
I RF---M正重向复值电流 峰
ISMF---向正重复不峰值流(电浪电涌)流
Io- -整-电流流.在定线特路中规定率和规频电定条压下件通过的所工电作流
IFo(v)---向正载电流
IL-过--电流光稳流二极或管极限电流
I-D--
暗流 电
I2-B-单结-体晶管中的极调基电制 流
EIM--发射-峰极值流电
EBI0-1--基极单双晶结体中发管极与射一基极间第向电流反
IE20B--双-基单结晶极体中管发极向射流电
CMI---大最出平输电流 均
FMP---正I脉冲电向流
PI---峰电点
流V---I点谷电 流
GTI--晶-闸管控极制触发电流
IDG---晶闸控管极不触发制流电
IGF M--控-制正向极值峰流 电
R(IV)-A--反向平均电 流
I(In)-R--反向流电直(反流漏电流向)在.测反向性时,特定的反向电给;硅堆流正弦在半波阻电负载电性中,路反向电压加定值规时所通过的电流,硅开关二极;两管端反加向工作压电RV所时过的通电流;稳压极管二反在向压电,产生的下电漏流整流管在正弦;波半高反最工向电压作下的漏电.
流
IMR--反向-峰电流 值
IR-R-晶闸管反向-复重均电流 平
IDR--晶-管闸态平断均重复电 流IRR
M--反向-复峰重电流值
ISR--M反-不向重峰值复流电(向反浪电流)涌
Ir--p-反恢向复流电 I
---z稳电压定电流(向反试电流).测测反向试参电时数给定的反向电流, Izk
--稳压-膝点管电
流OI-M-最-正向大(流整电流.在规定)条件,能承受下正向的大瞬最电流时;电阻在负性荷的正半波整流弦路电中允许连通续锗检过波二管极最的工作大流电
ISZM--稳压二-管浪极涌流 电IZ
M--最大稳-电压.流在大最散耗功下稳率二极压允管通许的过流 电iF
--正向总-时瞬流 电
i---R向反瞬时电总 流
i-r-反-恢复电流向
Ip-o--工电作流 Is--
稳流二极管-定电流稳
---f率频
n---电变化容指数;容比 电
---Q值(品质优素因 )δ
v--z稳压-电压漂移 管
i/dt---d通电流态界上临升 率
v/ddt---通电态临界压升上率
P B---受脉承烧毁冲功率
PF(ATV)---正导通向平耗均散率 功PF
M-T-正-峰向值散耗功
率FT-P-正向-导通总时耗散功率瞬
P-d--耗功散 率PG---
门极均平功率
PGM--门-极峰值率 功
PC---制极平控功均率集或极耗散电率功
Pi---输功率 入
P-K-最大-开功关率
P-M-额定功率-硅二极管.温结不高于501度能所受承的最大率功 PMP
---大漏过最冲脉率功 PMS-
-最大承受-脉功冲 率Po
---出功率 输
P--R-向浪反功率涌
P tot--总-散功率耗
Pom x-a--大最出功输 率Psc
--连-续出输功率
PS--M不-重复浪功率涌
PZM---大最散功率.耗给在使用条件定,稳下压二管允极承受许最的功大率
R(Fr)---向正分电阻.在微正导通向,电流时电随指压的增加数呈现明显的非,线性特.性
在某正向电一下,压电压加增微量小V,△向电流相应正加增△,I则△V/I称△微电分 阻R
BB--双-极基晶体管基极间电阻的
ER--射-电阻频
L-R--载负阻
R电srs)-(--串-电联阻 R
ht----阻热
R (thja)---结到-境的环阻热
z(ru)-R--态电动阻
R(h)jc-t--到壳的结阻热 r δ-
-
-衰减阻电 r(
h)t---瞬态阻 电
Ta--环-境度 温
T--c-温 壳
dt---迟延间时
t f---降下间时
trf---正恢复向间 时tg--
电路换向关-断间 时
tgt--门-极制控开通极间时
T ---结温j
Tj m---最高结 温
to---开n时通间 t
ff--o关断时间
-r--t-上升时间
trr---向反复恢间 时
st--存储时-间
tsg--t温-度补二偿管的极成温度贮
a--温-度数系
pλ---发光峰值长波
λ△--光谱-宽度 半η
--单-晶结体管压分比效率或
V ---反B向峰值击穿电 压
V-c--整流入电输压
VB B2---1基间极电 压
VE10B--发射极与第一基极-向电反 压
VB-E-饱和-压
降FV-M-最大正-压降向(正峰值向电) 压VF
--正向-降压(向正直流电) 压△
FV---向正压差降
VRMD---断态重峰复电值 压
VGT---极触门电压发
V DG--门-极不发触电压 VG
MF--门-极向峰值正电压 V
GMR--门极-向反值电压
峰F(VAV)--正-平均向压电 Vo
--交流-入电输压
VMO---大输最平均出压
Vop电--工作电压- Vn-
--心中压电 Vp---峰
点压电
R---反向V作工压电(反向直流压)电
V R---反M向值峰电(最压高试电压) 测
V(RB)---穿击压 电
Vh---阀电t(门限压电压)
VRM---反向重R峰值复电压(向浪涌电压反)
RWM--V-向工作反值电压 峰V v-
--点电压 谷
z-V-稳-电定压
△ V---稳z范压围压增电 量
s-V-通-电向压信号电压)或(稳流管定电流稳压 电
v-a--电压度系数温
V k---膝电点压(稳流二管极 )
LV ---限极电C压-T-势垒电-容 Cj---结
极间()容, 电示表二极在两管端加定偏规压下锗,波检极管二总的容 电
Cv--j-偏压电结 容C
o--零偏-电压容
Co---j零压结偏容电
Co/jCn---结电容j变化
sC---壳电容管或装电封
Ct---容电容总
TC-V-电压温-度系.数测试在流电下稳定,压的电相对变与化境温度环的对变化之绝
比TC---C电温容系度 数
Cv---n称电标 容
IF--正向-流电流直正向测(电试流.)锗波检极二在规管的正向电压V定下F通过极,的电流间;整流管硅、硅在规定堆的用条件使下在,弦正半中允许连波通过续的大工最电作流平(值)均,硅关开极二在额定管功下率许通允过的最正大向流电直;测流压稳极二管向正参数电给定时的电流
I
F(A)V--正向-平电均 流I
F(IMM)---正峰向电值流(向最大电正流)在.额功定率下,允许通二过管的极大最正向脉冲电.流光发二极极管电流限.
IH--恒-定流、维持电流电.
Ii-- 发-二极管起辉电流 光
FRMI---正向复峰重
值电
IFS流-M-正-不重复峰向值电流(浪涌流电 )Io--
-流整电流在.特定线路中定频规率和定规电条件下压所通过的工作流电 IF(ov
)---向过正载电 流
LI--光-电或稳流流极二管限极电流
DI---暗电流
IB2--单-晶结管中的基极调体电流制
IEM--发射-极峰值电
IE流B1-0--双极基单晶体管中结发射与第极
一基极反间向流 电
IEB0--2-双极单基晶体管结发射极向电流 中
ICM--最-输大平出电均 流
IMP-F--向正脉电流 冲
PI--峰点电流-
VI---谷电点 流
IT--G-晶闸控制极触发电管流
IG-D--晶闸管控极制不发触电
流IGMF---制极正控峰值电流 向
IR(VA-)-反向平均-电 流
I(IRn)---反向直流流电反(向漏流)电.测反向特性时,给在的定向反流;电堆在硅正弦波半阻电负性载电路中,加反向压规电定值,所通过时的电流;硅开关二极两端加反向管工作电压VR所时通过的电;流稳压二极管反向在压下电产,生漏电流;整流管的在弦正波半最反向高工电压作的下电漏流.
RIM--反向峰值电-
I流RR---闸管晶向反重复平电流 均
DRI--晶-闸断管态平均重复电 流
IRR--M反向重复-值峰电 流
ISMR--反向-重复不值峰电(流反向涌电流) 浪
Irp--反-向复恢流 电
zI---定电压电稳流(反测向试电流.测)试反向电参数,时定给反向电流的 I
kz---稳压管点电流 膝
IM--O-大正最(向流整电)流.规在定件条,能下承的正向最大瞬时电流;在电阻受性负荷的弦正波半整流路中允电连续通许过锗波检二管的极大工作最流 电
ISMZ--稳压二极-管浪电涌流
I ZM---大最稳压流.电最在耗散功率下大稳二极压允许通过管的流电 i
F---向正瞬总电时流 iR
--反-总向时瞬流电
i---反r向恢电流 复
Ipo---作电工流 Is-
--流二极管稳稳定电流
f---率 频
-n--电容变化数;指电容比
Q---值(品质因素优)
δz---稳v压管电漂移
压id/t-d-通态电流-界临升上 率
d/dtv---态通电临压上升界 率
二极
管数参符号及义意中()
P
B--承-受脉烧冲毁功 率
P
FTAV()--正向-导平均通散耗功 率
PFM---正T向峰耗散功率值
P T--F-向导通正总瞬耗时功率散
dP--耗散功-
P率---门G平均功率 极
PG-M--极门峰功值率 P
C---制控平均功极率集电或极耗散率功
iP---输入功率
P--K-大最开关功率 PM
---定功率额硅二.管结温极高不15于0度所能承的受大功率最
P M---P最漏大过冲脉功 率
PMS--最大承受脉-功冲
率oP---出功率输
R-P-反向浪涌功-率
tPo---总耗t散功 率
IZSM--稳压二-极浪涌管流电
IZ-M--大最压稳电.流在大最耗功散率下压稳极二管许允过的通流电
iF---向总瞬时正电流
R-i--向反总时瞬流 电
ir---反恢复向流电
Io-p--工电流 作
Is--稳流-极管稳二电流定
f
--频率-
n- -电-容变化数;电容指比
Q--优-(值品质因素) δ
z-v--稳管压电压漂移
di d/---通t电态流界上临率升
dvd/t--通-电压临态上界率升
PB --承-脉受烧毁冲率功
FPTA()-V-正向导通平-耗散均率功
PTMF--正-向峰值散耗率 功
FPT--正向导-总瞬通时耗功率 散P
---耗d功散 率
P-G--门平均功极 率
PGM---极峰值门率功
C-P--控极制均功平率集或
电极耗散率 功Pi
---输入率 功PK
--最-开关大功率 P
---额定M率功.二硅极管结温不于1高50所度能承受最的大功 率
MP-P-最-大漏脉冲过率 功PM
-S-最大承-脉受功率
冲P-o--输出率 功
P---反R向浪功涌 率
Ptt--o总-散功率 耗P
moa---最大x输出率
P功c--s连-输续功出 率
PSM---不复重浪功率涌
PMZ--最-大散功率耗在.给使定条件下,稳用二压管允极许受的承大功率 最
F(rR)---正向分微阻.电正在向通时,导电流随压指数电的加增呈,现明显非的性线特.在性某一向电压正下,压电增加微小△量,正V向电相应增加流I△,△V/则△I称微电分 阻
RB---双基B晶体管极基的极电阻间
R-E-射频电阻-
L-R-负载电-阻
Rs(sr----串)联阻 电
Rth---热-阻
(Rh)jt--a--结到境的环热阻 R
(zur)--动-态电
阻Rt()jh---c到结的壳热阻 r δ
---衰电减 阻
rth()---瞬电态 阻
aT--环境温度-
Tc--壳温-
d-t--延时间迟
t--f-下降间
t时fr--正向-恢时间复
t--g电路-向关换断间时 tgt-
--极门制极开控时通间
j---T温结
Tm---j最结温 高
ton--开通时间- tof
---关断时间f tr-
--上时升 间t
rr--反-恢复时向 间
t--s-存时储 间tstg--
温-补偿度二管极贮的温度 成
a--温度-系 数
pλ---光峰值波发
△ λ长--光谱-半宽 度η-
-单结-体晶分压管或效率 比
V--B-反向值击峰穿电
V压-c-整-流输入电
压VBB21---极基电间 压
VBE1---发0极射第一基与极反电向压
VEB--饱和-降压 V
F-M-最大正向压-降正(峰向值电压) V
F--正-向降压(向正直电流压) △VF
--正-向压差降 VDRM
--断态-重复峰电压值
GT--V门-触发极电 压VGD
---门不极触发电 压
VFGM---极正门向值峰电压
VRGM--门-极反峰向电压 值VF(
V)A--正向平-均压
V电o--交-流入输压 电
VOM--最-大输平出电均压 Vo
-p-工-电作压
Vn---心中电压 V
-p-峰点-电压
RV--反向-工作电(压反直流向压电)
VMR---反向值电压(峰高测最电压)试
(BRV-)--穿击电压
tVh---电压(阀门电压限 )
VRR-M--反向复峰值电重压(反向浪涌压电 )
RVW--M-向工反峰作电压 值
V v---谷点电压 Vz
--稳-电定 压
V△z---压范稳电压围增
Vs量--通向-压(信号电压电)稳或管稳定流电电流 压
av---压电温度数 系V
k---膝点压电稳流二(管极)
V --L极限电压C---T-垒势容电
j---C(极间结电), 容示在表极二
管两加规定偏压端,下锗波检极管二的电总 容
Cj-v--压结偏电 容
C-o--偏压零电 容
Cjo---零压结偏电容 Cj
/Cjn-o-结-容变化电
Cs---管壳电或封装容容 电Ct
---总容电
CT-V--压电度温数.系测试在电下流稳定,电的相对变压化与环温境的绝度对化之变比
CC--T-电容温系度数
vn-C--标电容称
FI--正向-直电流(流向测正电流).试锗波二极管检规定的正在向电压V下,F通过极的间流;硅
电整流、硅堆在规管定的用使条件下,在正弦波中半允连续通过许最的工作大流(电均平值),硅开二极管关在额定功下允率通许过的大正最直向流流;测电压二稳极管向电参数正给定时的流电
二管极数符参及号义(下) 意
Pi-
-输入功- 率
K-P-最大-开关功率
P -M-额-定功率.二硅极结管不温于150度高能承受所的最功率 大PM
---最大漏过脉冲功率 P
MSP--最大承-受冲脉功率
oP---出输功 率
PR--反向浪-涌率 功
Pott---耗总功率 散Po
am-x--大最出功输 率Ps
---c连续输功率 出
PM-S--不复浪重涌率 功
PMZ--最-耗散功大率.在定使用给件条,稳压下二极管许承受允最大的率功
R F()r---正向分电阻微在.正向导通,时电流电随指压数增加,的现明呈显的非性线特.性某一正在电向压下,电增压微小加量△V,正电流相向增应加△I,△V/则I△称微电阻分
BB-R-双基极-晶体管的极基电阻间 RE-
--频射电阻
R-L--载电负阻
R (ss)-r---联串电阻 R
h-t---阻热
(tR)jah---结-到环境的阻热 Rz
(r)-u-动态电- 阻R(th)
c---j结到壳热的阻
rδ-- -减电衰阻 r(t
h-)-瞬-态阻 电Ta-
--环温度 境Tc
--壳-
td-温-延迟-间 时tf--
-下时间降
fr--t正-向恢时间
复t--g-电换向路关时断 间
gt-t--极控制极门开时通
间Tj---结温
Tmj---最结温高
on-t-开通时间-
toff---关时断间
r-t-上升时间-
t rr---反恢复向间时 t
--s存储-间 时t
ts-g--温度补偿极二的管成贮度温
a--温度系数-
λ-p-发光-峰波值
长 △-λ-光谱-宽半 度η-
-单结晶-管分压体比或率 效V
---反向B值击穿峰电 压
c-V-整流输入-压电 V
B21B---极间基压
V电B1E-0-发-射极与一基第反极电压 向
EB-V--饱压和降
FM-V--最正大压降向(正向值峰电压)
V-F--向正压(降向直流正电)压 △V
F--正向压降差-
VRD--M-态重复断峰电压值
VT-G-门极触发-电压
VGD-- 门极不触发电压-
GVM---门F极向峰正值压电
GVM-R-门极-向反峰电压 值
VF(A)-V--向正均电平压
V-o--流输交电入 压V
MO---最大输出均电平压 V
po--工-作电 压
n---中V心压 电
pV--峰-点压电
R-V-反向-工作电(反向直流压电)
压VMR--反向峰值-压电(最测试高电压)
(BVR-)-击-电穿 压
Vht--阀-电(门限电压) 压V
RRM--反-向重峰复值压(反向电涌浪
电压 )VR
M-W--反工作向峰电压 值
vV---点电压谷
zV---稳电定 压
V△z--稳-压围范压电量 增
V-s-通向电-压信(号电)压稳流或管定电流电压 稳
av--电压-度系数温
Vk--膝点电-压(流稳极二管 )V
L- -极限电压-CT---垒势电容
Cj- -结-(间极电), 表示容二极管两端在加定偏压规下,检波二锗极的总管电 容C
v---j偏压结电容
oC---偏零压容电
Coj---偏零结压电容
Cj oC/n-j--电结容化 变C
s--管壳-电容封或电装容
C t--总电-容
TC-V--
电温度系压数在测.电试下,流定电稳的压对变化与环相温度的绝境变化之比对
C TC---容温度电系数 C
v---n标称电容
I ---正F向流直电流(向测正电试流.)检波锗极二管在规定正的电压V向F,通下过间的电极;流整流硅、管堆硅规定在的用使条下件在,正弦波中允半许续通过的连最工大作电(流均平值,硅开)关极管二在定额功下率允通过的最大许向直正电流流;稳压测二极管正电向参时数定的电给流
F(AV)I--正向-平均电流
IFM(I)M--正-向峰值流电正向(最电大流).额在定率功下允许通,过二极管最的正大脉冲电流.发光二向极管极限流. 电
I-H-恒-定电流维、持电流.
i-I- 发光二-管极起电辉流
IRF-M--正重复向峰电流值 IF
S-M--向不重复正值峰流电浪(电流)涌
I---o流整电.流在特线定路中规定频率和规定压电件条所下通过的工电作流
IF (vo-)-正-过向载电流
IL---光流电或流二稳管极限电极 流
D-I--暗电
流IB-2--结晶单管体的中极基调制流
IEM-电-发-极峰射值电
IE流B0-1--基极单结晶双体管中射极发与第一基间极向反电
I流E20--B双基-极结单晶体管中发极射向电流
CIM---大最输出平均流
I电FPM---正向脉冲电流
PI--峰点-电流 I
--V-谷电流点 I
GT--晶闸管-控制极发触电流 I
GD--晶-闸管控极制触发不电 流
IGFM---控极正向制值峰电流 I
(RVA)--反向-平电均 流IR
I(n)---向直反流电流反向(电漏).流在测反向性特时给定的,反电向流硅;在堆弦正半电阻波性载电负中,路反向加压电定规值,时所通过电流的硅;开二极管两端关反加向工作电V压R时所通过电流的;稳二极压管反在向电压下,生产漏的电流整;管在正流弦波最半反高向作电压下工的漏电.流
RIM---反峰向电流 值IR
---晶R闸管反重复向均电平 流
IRD---闸管断态平均重复电流 晶I
RMR--反-向重峰复电值流 IR
M---反向不S重峰复电值流反向(涌电浪)
流Ip---反r向复电恢流 I
-z--稳定电电压(流反测向电流)试.测反向试参数时,电定的给向电流 反Izk--
-压管膝点电稳
流OM-I-最-正大(整流)电流.在向定条件下规,能承受正的向最瞬时电大流在;电性阻负的荷正半波整弦流电中允许路连续过锗检波通
二极管的大工作最电
流
IZMS---稳二压极管涌电流浪
I MZ--最大稳压电-流.最在耗大散率下稳功二极压管许允通的电过流
F---正i总向瞬电流时
iR---反总瞬向时流电
r-i--反向恢复电流
opI---作工电 流
sI--稳-流极管二定电稳 流
f--频-率 n
--电-变容指数;化电容 比
Q---优值(质因素品)
vδz---压稳管压漂移 电
i/dt---通态电流临d上升界率
vd/td--通-电态临压界升率上 P
B---承脉受烧冲毁功 率
FTP(VA)--正向导-通平均耗功率散 PFT
--M-向峰正耗值功率散 P
FT--正向-
导通瞬时耗总功率散
dP---耗功率散
P-G--极平门功率
P均MG---极门值功率峰 PC---控制
极均平功率或电集耗散极率 功
P-i--入输率 功
PK--最大开-功关率
P-M--定额功.率二极管硅温结高于不10度5所能受的承最大率功 P
P---最大漏过脉M功率冲 P
MS--最大-受承冲脉率 功
Po--输-功率出
R-P-反向-涌浪率
P功to--t-总散耗功率 P
oax---m最输出功大率 Psc-
--连输续出功率
PMS---不复浪重功涌率
ZPM---最耗散功率.在给定使大用件下条,压二稳极管许承受允的大功率 最
F(Rr--)正-向分电微.阻在正导向时通,电随电压流数的指增加,呈明显的非线现特性性.某在一正向压电,电下压加增小微△V量,正向流电相应加△增,则IV△△I/称分电阻 微
RBB---
双极晶体管基基的间极电
阻E-R--射频电 阻
L-R--负电载 阻
Rs(r)-s---联电阻 串Rth----热阻
R(thja--)--到结环境的阻 热
z(Rr)u--动-电态 阻R(
htj)-c-结到-的壳热阻 r δ
---衰电减阻
rt(h--)-态瞬电阻
Ta--环境温- 度
Tc---温
td壳--延迟-时间
t f--下-降时 间
trf---正向复恢时间 t
g---路换电向断关间 时
ttg--门极-控极制通时间开
T j---温结
Tmj---高结最温
tn--o开通时间 -t
ffo--关-时断 间
tr--上升时间-
t rr---向恢复时间反
t --s存-储间时
ttg-s-温度补-二极管偿的贮成度
温-a--度温系数
pλ---发光峰波长 值△
---λ光谱宽度半
η --单结晶-体分管比或压率效
VB ---向峰反击值穿压 电
V--c整流输入电-压
VB 2B---基极1电间
VBE10压--发-射与极第一基反向极压电
EVB--饱和压降 -
VFM---大正最压降(向向正值峰压)电
VF---向正降(正向压直流压电)
△F---V向正降压 差
VRD-M--断态复重峰电压值
GTV--门极-触发电 压V
DG---门不触发电极
压VGM---F极正门向值峰电压 V
RMG--门-极向峰值反压电 V
(AV)---F正向均电压平
V ---交o流入输压电
V O--M-大最输出平均压电 V
op--工-电压作
Vn--中心电-压
p-V--峰电点 压
RV---向工反作电压(向直反电流) 压
VM-R--向反值电压(最峰测高试压)电
V(R)B--击穿电- 压V
ht--阀电-压(门电压限)
VR MR---反向复重值电峰(反向压涌浪压)电
VRM--W-反工
向作峰电值压
V v- --点电谷压
zV--稳定电压
-△Vz---稳范压围电压增
量s-V-通-电压向(信号电)或压稳流管稳定流电压电
v-a--电压温系度
数V--k-点膝电压(稳流二极) 管
L -V--限极压
电