晶体二极管及整流电路练习题（一）
一、选择题：
1、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A. 不变 B. 变宽 C. 变窄 D. 无法确定
2、PN 结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A. 不变 B. 变宽 C. 变窄 D. 无法确定
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s 将增大，是因为此时PN
结内部的（ ）
A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大
C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小
4、PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ）。
A. 削弱 B. 增强 C. 不变 D. 不确定
5、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。
A 、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管
6、稳压二极管稳压时，其工作在( ) ，
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 D. 不确定
7、发光二极管发光时，工作在( ) 。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 D ．不确定
8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）
A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零
9、稳压二极管是利用PN 结的（ ）。
A. 单向导电性 B. 反向击穿性 C. 电容特性 D. 正向特性
10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A. 反向偏置击穿状态 B. 反向偏置未击穿状态
C. 正向偏置导通状态 D. 正向偏置未导通状态
11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的
管子应为( )。
A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小
C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大
12、关于晶体二极管的不正确叙述是：（ ）
A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
二、判断题：
1、( )将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN
结。
2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
4、（ ）硅二极管门坎电压是0.3V ，正向压降是0.6V 。
5、（ ）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。
6、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
7、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ ）
8、P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P 型半导体带正电。（ ）
9、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）
10、N 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）
11、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）
12、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）
三、填空题：
1、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和 半导体
两大类。
2、二极管的特性是.
3、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两
次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则
此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则
此二极管______________。
4、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D 1处于 状态,
D 2处于 状态, 输出电压U o 为 伏。
5、二极管最主要的特性是。
6、. 在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、。
7、整流二极管的整流作用是利用PN 结的特性，稳压管的稳
压作用是利用PN 结的特性。
四、分析判断题
1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当V I 足够大时，计算各V O 值。
R + + V I o V I o - -
V O =________________ VO =_______________
+ V I o o -
V O =________________ VO =_______________
2、如图，V 1、V 2为理想二极管。
3V
S B
V AB = S合上时，V P = S断开时，V P =
3、桥式整流电路中，若:
1）V 1内部短路，会出现什么现象？
2）V 1虚焊，会出现什么现象？
3）V 1方向接反，会出现什么现象？
4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？
晶体二极管及整流电路练习题（一）
一、选择题：
1、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A. 不变 B. 变宽 C. 变窄 D. 无法确定
2、PN 结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A. 不变 B. 变宽 C. 变窄 D. 无法确定
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s 将增大，是因为此时PN
结内部的（ ）
A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大
C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小
4、PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ）。
A. 削弱 B. 增强 C. 不变 D. 不确定
5、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。
A 、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管
6、稳压二极管稳压时，其工作在( ) ，
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 D. 不确定
7、发光二极管发光时，工作在( ) 。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 D ．不确定
8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）
A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零
9、稳压二极管是利用PN 结的（ ）。
A. 单向导电性 B. 反向击穿性 C. 电容特性 D. 正向特性
10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A. 反向偏置击穿状态 B. 反向偏置未击穿状态
C. 正向偏置导通状态 D. 正向偏置未导通状态
11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的
管子应为( )。
A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小
C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大
12、关于晶体二极管的不正确叙述是：（ ）
A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
二、判断题：
1、( )将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN
结。
2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
4、（ ）硅二极管门坎电压是0.3V ，正向压降是0.6V 。
5、（ ）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。
6、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
7、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ ）
8、P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P 型半导体带正电。（ ）
9、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）
10、N 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）
11、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）
12、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）
三、填空题：
1、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和 半导体
两大类。
2、二极管的特性是.
3、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两
次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则
此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则
此二极管______________。
4、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D 1处于 状态,
D 2处于 状态, 输出电压U o 为 伏。
5、二极管最主要的特性是。
6、. 在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、。
7、整流二极管的整流作用是利用PN 结的特性，稳压管的稳
压作用是利用PN 结的特性。
四、分析判断题
1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当V I 足够大时，计算各V O 值。
R + + V I o V I o - -
V O =________________ VO =_______________
+ V I o o -
V O =________________ VO =_______________
2、如图，V 1、V 2为理想二极管。
3V
S B
V AB = S合上时，V P = S断开时，V P =
3、桥式整流电路中，若:
1）V 1内部短路，会出现什么现象？
2）V 1虚焊，会出现什么现象？
3）V 1方向接反，会出现什么现象？
4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？